Tentamen i EITF90 Ellära och elektronik, 28/8 2018

Relevanta dokument
Tentamen i ETE115 Ellära och elektronik, 3/6 2017

Tentamen ETE115 Ellära och elektronik för F och N,

Tentamen i ETE115 Ellära och elektronik, 4/1 2017

Tentamen i ETE115 Ellära och elektronik, 10/1 2015

Tentamen i ETE115 Ellära och elektronik, 25/8 2015

1 Bestäm Théveninekvivalenten med avseende på nodparet a-b i nedanstående krets.

1 Bestäm Théveninekvivalenten med avseende på nodparet a-b i nedanstående krets.

Tentamen ETE115 Ellära och elektronik för F och N,

Komplexa tal. j 2 = 1

Du behöver inte räkna ut några siffervärden, svara med storheter som V 0 etc.

Tentamen Elektronik för F (ETE022)

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen april 2006

Tentamen i ETE115 Ellära och elektronik, 16/8 2017

Skriftlig tentamen i Elektromagnetisk fältteori för π3 (ETEF01) och F3 (ETE055)

93FY51/ STN1 Elektromagnetism Tenta : svar och anvisningar

Tentamen i Elektronik för E, ESS010, 12 april 2010

Tentamen ellära 92FY21 och 27

Lösningar till repetitionstentamen i EF för π3 och F3

Tentamen i Elektromagnetisk fältteori för π3 och Modellering och simulering inom fältteori för F3, 29 augusti, 2008, kl

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 1 den 21 oktober 2008 klockan 8:00 13:00

Lösningar till tentamen i EF för π3 och F3

Tentamen i Elektronik för E, 8 januari 2010

Tentamen i Elektronik, ESS010, den 15 december 2005 klockan 8:00 13:00

Tentamen i Elektronik för F, 2 juni 2005

SIGNALER OCH SYSTEM II LEKTION 2 / MATEMATISK LEKTION 1. Fredrik Andréasson. Department of Mathematics, KTH

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen januari 2008

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 1 den 18 oktober, 2010, kl

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen oktober 2006

Tentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 5 april 2013

Lösningar till tentamen i EF för π3 och F3

1 Bestäm Théveninekvivalenten mellan anslutningarna a och b i nedanstående krets.

Tentamen i Elektronik för F, 13 januari 2006

Komplexa tal. j 2 = 1

Tentamen i Elektromagnetisk fältteori för π3 och Modellering och simulering inom fältteori för F3, 17 december, 2007, kl. 8 13, lokal: Gasque

Tentamen i Elektronik, ESS010, del1 4,5hp den 19 oktober 2007 klockan 8:00 13:00 För de som är inskrivna hösten 2007, E07

Skriftlig tentamen i Elektromagnetisk fältteori för π3 (ETEF01) och F3 (ETE055)

Föreläsning 8. Ohms lag (Kap. 7.1) 7.1 i Griffiths

Lösningar till uppgifter i magnetostatik

nmosfet och analoga kretsar

Skriftlig tentamen i Elektromagnetisk fältteori för π3 (ETEF01) och F3 (EITF85)

IEA 1. En tvåpol sett utifrån från lasten - karakteriseras av tomgångsspänning E t., inre impedans Z i

Tentamen i Analys B för KB/TB (TATA09/TEN1) kl 08 13

Växelström i frekvensdomän [5.2]

Sammanfattning av kursen ETIA01 Elektronik för D, Del 1 (föreläsning 1-6)

1 Grundläggande Ellära

2. DC (direct current, likström): Kretsar med tidskonstanta spänningar och strömmar.

Kontrollskrivning 3 till Diskret Matematik SF1610, för CINTE1, vt 2019 Examinator: Armin Halilovic Datum: 2 maj

24 Integraler av masstyp

Växelström i frekvensdomän [5.2]

1 e x2. lim. x ln(1 + x) lim. 1 (1 x 2 + O(x 4 )) = lim. x 0 x 2 /2 + O(x 3 ) x 2 + O(x 4 ) = lim. 1 + O(x 2 ) = lim = x = arctan x 1

Försättsblad till skriftlig tentamen vid Linköpings universitet G33(1) TER4(63)

Formelsamling i kretsteori, ellära och elektronik

TMV151/TMV181. Fredrik Lindgren. 19 november 2013

10. Kretsar med långsamt varierande ström

Magnetfälten beskrivs av följande Maxwells ekvationer

Komplexa tal. j 2 = 1

Tentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 11 januari 2013

Bestäm uttrycken för följande spänningar/strömmar i kretsen, i termer av ( ) in a) Utspänningen vut b) Den totala strömmen i ( ) c) Strömmen () 2

IE1206 Inbyggd Elektronik

Tentamen i Elektronik, ESS010, och Elektronik för D, ETI190 den 10 jan 2006 klockan 14:00 19:00

Försättsblad till skriftlig tentamen vid Linköpings universitet KÅRA T1 T2 U2 U4

Skriftlig tentamen i Elektromagnetisk fältteori för π3 (ETEF01) och F3 (EITF85)

Elektronik 2017 EITA35

Lösningsförslag till tentamen i SF1683 och SF1629 (del 1) 23 oktober 2017

SF1626 Flervariabelanalys Tentamen 8 juni 2011, Svar och lösningsförslag

93FY51/ STN1 Elektromagnetism Tenta : svar och anvisningar

FK Elektromagnetism, Fysikum, Stockholms universitet Tentamensskrivning (2:a omtentan), fredag 30 augusti 2013, kl 9:00-14:00

Tentamen ellära 92FY21 och 27

i(t) C i(t) = dq(t) dt = C dy(t) dt y(t) + (4)

Sammanfattning av kursen ETIA01 Elektronik för D, Del 1 (föreläsning 1-10)

Gauss och Stokes analoga satser och fältsingulariteter: källor och virvlar Mats Persson

Fö 2 - TMEI01 Elkraftteknik Trefas effektberäkningar

Volum av rotationskroppar. Båglängd, rotationsytor. Adams 7.1, 7.2, 7.3

HF1703, Inledande matematik (Byggproduktion) DEN TRIGONOMETRISKA ENHETSCIRKELN OCH TRIGONOMETRISKA FUNKTIONER

Tentamen i EDA320 Digitalteknik-syntes för D2

Rätt svar (1p): u A. α β A B. u B. b) (max 3p) I början har endast puck A rörelseenergi: E AB,i = 1 2 m Av 2 A = 1 2 m Au 2 A

Användande av formler för balk på elastiskt underlag

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007.

Lösningsskiss för tentamen Vektorfält och klassisk fysik (FFM234 och FFM232)

============================================================ V1. Intervallet [a,b] är ändligt, dvs gränserna a, b är reella tal och INTE.

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Växelström K O M P E N D I U M 2 ELEKTRO

10. Kretsar med långsamt varierande ström

10. Kretsar med långsamt varierande ström

10. Kretsar med långsamt varierande ström

Föreläsning 3/12. Transienter. Hambley avsnitt

IF1330 Ellära KK1 LAB1 KK2 LAB2. tentamen

Föreläsnng Sal alfa

TSKS06 Linjära system för kommunikation Kursdel Elektriska kretsar. Föreläsning 3

Tentamen för FYSIK (TFYA68), samt ELEKTROMAGNETISM (TFYA48, 9FY321)

1 Föreläsning IX, tillämpning av integral

Lösningsförslag till deltentamen i IM2601 Fasta tillståndets fysik. Teoridel


Tentamen för FYSIK (TFYA68), samt ELEKTROMAGNETISM (TFYA48, 9FY321)

Tentamen Elektronik för F (ETE022)

IE1206 Inbyggd Elektronik

Definition. En cirkel är mängden av de punkter i planet vars avstånd till en given punkt är (*)

Generaliserade integraler

V1. Intervallet [a,b] är ändligt, dvs gränserna a, b är reella tal och INTE ±. är begränsad i intervallet [a,b].

Onsdagen den 16 mars 2005, 8:00 13:00

Transkript:

Tentmen i EITF9 Ellär och elektronik, 8/8 8 Tillåtn hjälpmedel: Formelsmling i kretsteori. Oserver tt uppgiftern inte är sorterde i svårighetsordning. All lösningr skll ges tydlig motiveringr. Bestäm Thévenin-ekvivlenten med vseende på nodpret i nednstående krets. αv v v En elektrod i form v en metllisk hlvsfär med rdie sänks ned i ett större hlvsfäriskt metllskl med rdie fyllt med ett mteril med ledningsförmåg σ, enligt figur. Beräkn resistnsen. σ 3 Bestäm spänningrn v (t), v (t) och (t) om v in (t) = V sin(ωt). Diodern kn nts vr idel. v v

4 Bestäm utsignlen v ut (t) då (t) = V sin(ωt)h(t), där H(t) = för t < och H(t) = för t >. Opertionsförstärkren kn nses vr idel och kondenstorn är olddd för tider t <. C v ut i D v m (t) x(t) G D V GSQ S V DD Eftersom dioder och trnsistorer hr en olinjär ström- spänningskrkteristik kn de nvänds för tt moduler signler. I figuren viss en enkel krets med en MOSFET (NMOS) för tt illustrer principen. Antg tt signlen x(t) = A cos(ω t) sk modulers med ärvågen v m (t) = M cos(ω c t) för tt generer signler med vinkelfrekvenser ω c ± ω. Tröskelspänningen V t och strömmen I DSS är givn för trnsistorn. Likspänningrn V GSQ och V DD är vld så tt trnsistorn efinner sig i mättndsområdet. () Bestäm strömmen i D (t) () Bestäm mplituden för frekvenskomponentern ω c ± ω i strömmen i D (t). 6 Figuren visr en krets med tidshrmonisk spänning v in (t) = e{v in e jωt }. i in () Bestäm den rektiv effekten Q L i spolen och Q C i kondenstorn. C L () Bestäm den totl rektiv effekten Q i kretsen för fllet = L/C. (c) Bestäm inimpednsen Z(ω) = V in /I in för fllet = L/C. v in

Lösningr Jord nod och nvänd Kirchhoffs strömlg (KCL) i nod : v αv v v v = v = v 3 α = v där v etecknr tomgångsspänningen. Vid kortslutning är spänningen v =, och vi får kortslutningsströmmen i = v. Slutligen fås Thévenin-resistnsen som th = v i = 3 α Svr: Thévenin-ekvivlenten ges v en spänningskäll v th = v th =. 3α 3α i serie med resistnsen Kn modeller resistnsen som en seriekoppling v hlvsfärisk skl med tjocklek dr som vrder hr resistnsen d = dr σπr där vi nvänt tt de sfärisk hlvsklen hr re 4πr / = πr. Summer upp delresistnsern dr = d = σπr = [ ] = ( πσ r πσ ) Svr: = ( πσ ) Alterntiv fältteorilösning Med strömfördelningen J = J e r r hr vi det elektrisk fältet E = J/σ = J, och därmed σr spänningen J v v = E dr = r= σr e r e r dr = J dr }{{}}{{} σ r = J [ ] = J ( σ r σ ) =dr =E Den totl strömmen ges v en ytintegrl som omsluter hel strömnn. Denn väljs enklst som en hlvsfär med rdie r = r, där < r <. Beteckn denn yt med S, och noter tt integrlen över den pln gränsytn (e n = e z ) ger noll idrg eftersom strömflödet är prllellt med denn gränsyt). Svr: i = S J e n ds = r=r J r e r }{{} =J e r ds = J }{{} r =e n ds r=r ds = J r = v v = ( i σπ ) 3 πr }{{} ytn v en hlfär = πj

3 Då v in (t) > är den mitterst dioden kortsluten medn de ndr två är vrott. Det gör tt v (t) = (t) = V sin(ωt) och v (t) = Då v in (t) < är den mitterst dioden ett vrott medn de ndr två är kortslutn. Det gör tt v (t) = (t) = och v (t) = V sin(ωt) v v v v 4 V V s V sc V ut Trnsformer kretsen till Lplce-plnet enligt ovn. Använd nodnlys på nodern och, vilk hr smm potentil V = V. Nod : Nod : V V s V sc V KCL för nod ger V ut = V som instt i KCL för nod ger V ut (s) = V s sc v ut (t) = C 4 t V V ut V V ut (τ) dτ = V C t = = sin(ωτ) dτ

Svr: (t) = V ( cos(ωt)) H(t) ωc Strömmen ges v i mättndsområdet. Spänningen v GS (t) är Instt i (??) i D = K (v GS V t ) () v GS (t) = V GSQ M cos(ω c t) A cos(ω t) i D (t) = K ( V GSQ M cos(ω c t) A cos(ω t) V t ) = K ( (V GSQ V t ) M cos (ω c t)a cos (ω t)(v GSQ V t )(M cos(ω c t)a cos(ω t)) ) KMA cos(ω c t) cos(ω t) Det är r den sist termen som innehåller de intressnt termern (de övrig termern innehåller DC, ursprunglig frekvenser och dul frekvenser). Den sist termen kn skrivs KMA cos(ω c t) cos(ω t) = KMA ( cos([ω c ω ]t) cos([ω c ω ]t) ) Svr: Strömmen i D (t) enligt ovn. Amplituden för frekvenskomponentern ω c ± ω är KMA. 6 () Den komplex effekten ges v S = V I = Z I, så estämmer först strömmen genom spolen och kondenstorn De komplex effektern är I L = V in jωl och I C = V in jωc S L = ( jωl) V in ω L och S C = ( jωc ) V in ω C som ger de rektiv effektern Q L = ωl () För fllet = L/C hr vi Q L = ωl V in ω L och Q C = V in ωc ω C V in och Q L/C ω L C = ωl V in ω LC L/C ω C Den totl rektiv effekten är därmed Q =. = ωl (c) Kretsen är frekvensoeroende och rent resistiv med Z(ω) =. V in ω L L/C = Q L