Tentamen ETE115 Ellära och elektronik för F och N,

Relevanta dokument
Tentamen i Elektronik för F, 13 januari 2006

Tentamen Elektronik för F (ETE022)

Tentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 11 januari 2013

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen april 2006

Tentamen i Elektronik för E, ESS010, 12 april 2010

Tentamen i Elektronik för E, 8 januari 2010

Du behöver inte räkna ut några siffervärden, svara med storheter som V 0 etc.

Tentamen i Elektronik för F, 2 juni 2005

Tentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 5 april 2013

Tentamen i ETE115 Ellära och elektronik, 3/6 2017

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 1 den 18 oktober, 2010, kl

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen januari 2008

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen oktober 2006

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 16 dec 2008 klockan 8:00 13:00.

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007.

Tentamen i ETE115 Ellära och elektronik, 10/1 2015

nmosfet och analoga kretsar

1 Bestäm Théveninekvivalenten mellan anslutningarna a och b i nedanstående krets.

Föreläsning 4, Ht 2. Aktiva filter 1. Hambley avsnitt 14.10, 4.1

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 1 den 21 oktober 2008 klockan 8:00 13:00

Tentamen Elektronik för F (ETE022)

Tentamen ETE115 Ellära och elektronik för F och N,

Elektriska komponenter och kretsar. Emma Björk

Tentamen i Elektronik, ESS010, del1 4,5hp den 19 oktober 2007 klockan 8:00 13:00 För de som är inskrivna hösten 2007, E07

Tentamen i Elektronik - ETIA01

Tentamen ellära 92FY21 och 27

1 Grundläggande Ellära

Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2

Tentamen i EITF90 Ellära och elektronik, 28/8 2018

FK Elektromagnetism, Fysikum, Stockholms universitet Tentamensskrivning (2:a omtentan), fredag 30 augusti 2013, kl 9:00-14:00

Tentamen i Elektronik fk 5hp

Sensorer och elektronik. Grundläggande ellära

Formelsamling i kretsteori, ellära och elektronik

3.4 RLC kretsen Impedans, Z

Skriftlig tentamen i Elektromagnetisk fältteori för π3 (ETEF01) och F3 (EITF85)

Tentamen i El- och vågrörelselära,

Föreläsning 8. Ohms lag (Kap. 7.1) 7.1 i Griffiths

Skriftlig tentamen i Elektromagnetisk fältteori för π3 (ETEF01) och F3 (ETE055)

Införa begreppen ström, strömtäthet och resistans Ohms lag Tillämpningar på enkla kretsar Energi och effekt i kretsar

2. DC (direct current, likström): Kretsar med tidskonstanta spänningar och strömmar.

Lösningsförslag Inlämningsuppgift 3 Kapacitans, ström, resistans

Lektion 1: Automation. 5MT001: Lektion 1 p. 1

Föreläsning 29/11. Transienter. Hambley avsnitt

Introduktion till modifierad nodanalys

Föreläsning 3/12. Transienter. Hambley avsnitt

Tentamen den 20 oktober TEL108 Introduktion till EDI-programmet. TEL118 Inledande elektronik och mätteknik. Del 1

Komplexa tal. j 2 = 1

Bestäm uttrycken för följande spänningar/strömmar i kretsen, i termer av ( ) in a) Utspänningen vut b) Den totala strömmen i ( ) c) Strömmen () 2

Extrauppgifter Elektricitet

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Tentamen på elläradelen i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET

Tentamen i ETE115 Ellära och elektronik, 25/8 2015

Elektronik 2017 EITA35

Sammanfattning av kursen ETIA01 Elektronik för D, Del 1 (föreläsning 1-10)

FÖRELÄSNING 3. Förstärkaren. Arbetspunkten. Olika lastresistanser. Småsignalsschemat. Föreläsning 3

Tentamen i Elektronik grundkurs ETA007 för E

Försättsblad till skriftlig tentamen vid Linköpings Universitet

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

ETE115 Ellära och elektronik, vt 2013 Laboration 1

Växelström i frekvensdomän [5.2]

Föreläsning 4/11. Lite om logiska operationer. Hambley avsnitt 12.7, 14.1 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar)

Växelström i frekvensdomän [5.2]

Elektronik grundkurs Laboration 1 Mätteknik

IF1330 Ellära KK1 LAB1 KK2 LAB2 KK4 LAB4. tentamen

FK Elektromagnetism, Fysikum, Stockholms universitet Tentamensskrivning (1:a omtentan), tisdag 17 juni 2014, kl 9:00-14:00

Tentamen på elläradelen i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET

Ellära. Laboration 2 Mätning och simulering av likströmsnät (Thevenin-ekvivalent)

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Viktigt! Glöm inte att skriva Tentamenskod på alla blad du lämnar in.

Tentamen i Krets- och mätteknik, fk, ETEF15. Exempeltentamen

Extralab fo r basterminen: Elektriska kretsar

Ledningar med förluster. Förlustfria ledningar. Rum-tid-diagram. Bergerondiagram. Appendix: Härledning av Bergerondiagrammet

TENTAMEN Elektronik för elkraft

Sammanfattning av likströmsläran

Laborationsrapport Elektroteknik grundkurs ET1002 Mätteknik

En ideal op-förstärkare har oändlig inimedans, noll utimpedans och oändlig förstärkning.

LABORATION SPÄNNING, STRÖM OCH RESISTANS

isolerande skikt positiv laddning Q=CV negativ laddning -Q V V

Sammanfattning av kursen ETIA01 Elektronik för D, Del 1 (föreläsning 1-6)

Tentamen Modellering och simulering inom fältteori, 21 oktober, 2006

Lab nr Elinstallation, begränsad behörighet ET1013 Likströmskretsar

IF1330 Ellära KK1 LAB1 KK2 LAB2. tentamen

Skriftlig tentamen i Elektromagnetisk fältteori för π3 (ETEF01) och F3 (ETE055)

Tentamen i Elektronik, ESS010, den 15 december 2005 klockan 8:00 13:00

MOSFET:ens in- och utimpedanser. Småsignalsmodeller. Spänning- och strömstyrning. Stora signaler. MOSFET:ens högfrekvensegenskaper

Elektronik 2018 EITA35

Vi börjar med en vanlig ledare av koppar.

Figur 1 Konstant ström genom givaren R t.

ETE115 Ellära och elektronik, vt 2015 Laboration 1

Svar och Lösningar. 1 Grundläggande Ellära. 1.1 Elektriska begrepp. 1.2 Kretslagar Svar: e) Slinga. f) Maska

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Tentamen i El- och vågrörelselära,

TENTAMENSUPPGIFTER I ELEKTROTEKNIK MED SVAR

TENTAMENSUPPGIFTER I ELEKTROTEKNIK MED SVAR

Extra kursmaterial om. Elektriska Kretsar. Lasse Alfredsson. Linköpings universitet November 2015

IDE-sektionen. Laboration 5 Växelströmsmätningar

Tentamen Modellering och simulering inom fältteori, 8 januari, 2007

Hambley avsnitt 12.7 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar) sann 1 falsk 0

Tentamen på del 1 i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET

Transkript:

Tentamen ETE5 Ellära och elektronik för F och N, 2009 0602 Tillåtna hjälpmedel: formelsamling i kretsteori och elektronik. Observera att uppgifterna inte är ordnade i svårighetsordning. Alla lösningar skall ges tydliga motiveringar. Johan har fyra halvdåliga.5 V batterier och skall till dessa koppla in en glödlampa som enligt beskrivning förbrukar 3 W vid.5 V spänning. Genom att använda en voltmeter och en resistans av 5 Ω lyckas Johan mäta upp att samtliga batterier har en inre resistans av 0.75 Ω och tomgångsspänningen.5 V. a) Beskriv hur Johan kan mäta upp den inre resistansen och tomgångsspänningen. ita enkla kretsscheman. Voltmetern kan representeras av en kvadrat med en plus och minuspol. b) Genom att koppla in batterierna på rätt sätt kan Johan få lampan att lysa med full effekt, dvs så att den förbrukar 3 W. Beskriv hur Johan har kopplat batterierna och lampan och rita ett kretsschema för kopplingen. Ledning: Alla siffervärden är valda så att man inte behöver kalkylator för att lösa uppgiften. 2 Området mellan inner och ytterledaren i en koaxialkabel är fyllt med ett material vars konduktivitet är σ. Koaxialkabelns innerledare har ytterradien a och dess ytterledare har innerradien b. Kabelns längd L är mycket större än b. Antag att vi driver en ström I från innerledaren till ytterledaren. a) ita en figur över koaxialkabelns tvärsnitt och rita ut strömtäthetens riktning i några olika punkter mellan inner och ytterledaren. b) Bestäm strömtätheten J(r) i alla punkter mellan inner och ytterledare. c) Bestäm spänningen V (a) V (b) mellan inner och ytterledare. d) Bestäm resistansen mellan inner och ytterledaren.

3 i(t) v(t) Spänningskällan ger en fyrkantpuls med spänningen 0 t < 0 v(t) = V 0 0 t T 0 t > T där V 0 > 0 och pulslängden T är mycket större än. a) Bestäm i(t) för 0 t T. b) Bestäm i(t) för t T. 2

4 200 Z ab/ f a 50 Z ab Z 0 Z L 00 e b ` 50 0 0 Im 2 3 50 /m En last Z L är kopplad till en transmissionsledning med karakteristisk impedans Z 0 och längd l. Man mäter impedansen Z ab mellan nodparet ab för att bestämma Z L, Z 0, och l. Figuren visar real och imaginärdelen av den uppmätta impedansen Z ab (enhet Ω) som funktion av vågtalet β = 2πf/v (enhet m ), där f betecknar frekvensen och v fashastigheten i transmissionsledningen. 3

a) Bestäm lastens impedans Z L. b) Bestäm längden l. c) Bestäm den karakteristisk impedansen Z 0. Motivera resultaten. Transmissionsledningen kan anses vara förlustfri. 5 Figuren visar en common drain förstärkare med en NMOStransistor. Likspänningskällan V DD och motstånden, 2, S är valda så att transistorn är i mättnadsområdet. Insignalen v in (t) = V in cos(ωt) är vald så att V in V DD och så att kopplingskapacitansernas impedanser kan försummas. Tröskelspänningen V t V DD och konstanten K för transistorn är kända. v in t 2 G S D S L v ut V DD a) ita kretsschemat för likspänningen V DD (storsignalschemat). b) Bestäm ekvationerna för de två kurvor i {V GS, I D }planet vars skärningspunkt ger arbetspunkten, dvs V GSQ och I DQ. c) Skissa de två kurvor i {V GS, I D }planet vars skärningspunkt ger arbetspunkten, dvs V GSQ och I DQ. d) Vilken effekt utvecklas i motstånden, 2, s, likspänningskällan och transistorn. Alla resistanser, spänningen V DD och arbetspunkten (V GSQ, I DQ ) antas kända. 6 V I a s 2 s 3 4 5 b Figuren visar en krets med två operationsförstärkare. Impedansen Z ab kan bestämmas med nodanalys i tre noder. a) Ange de tre noder där KL skall användas, motivera? 4

b) Ange nodanalysekvationerna för de tre noderna. c) Bestäm impedansen Z ab = V /I. Noderna är numrerade till 5 med tillhörande nodpotentialer V n, n =,..., 5. Operationsförstärkarna kan anses vara ideala och resistansen och kapacitansen är kända. Spänningskällan ges av v (t) = e{v e jωt }. 5

Lösningsförslag a) Johan mäter först upp tomgångsspänningarna genom att koppla in voltmetern direkt på ett batteri i taget. Därefter bestämmer Johan de inre resistanserna. Detta gör han genom att koppla in 5 Ω motståndet till vardera batteri och mäta spänningen över motståndet. Spänningsdelning ger V uppmätt = 5 i 5.5 V Därmed ges den inre resistansen av ( ).5 i = 5 V uppmätt b) Glödlampan ger 3 W vid.5 V spänning. Det gäller alltså att få.5 V över lampan. Lampan ger effekten P = 3 W vid.5 V vilket ger lampans resistans Man kan då koppla enligt figuren. lampa = V 2 P =.52 3 = 0.75 Ω i i.5v.5v lampa i i.5v.5v 2 i 3V 2 i 3V lampa i 3V lampa Eftersom i = lampa får vi spänningen.5 V över glödlampan och därmed förbrukar den 3 W. 6

2 a) Strömtätheten är riktad radiellt ut från symmetriaxeln. b) J(r c ) = I 2πr c L ˆr c där ˆr c är enhetsvektorn som pekar i radiell led. c) Det elektriska fältet ges av E(r c ) = σ J(r c ) = Spänningen ges av d) = 3 V (b) V (a) I V (a) V (b) = = 2πσL ln(b/a) b a I 2πσr c L ˆr c. E(r c ) ˆr c dr c = I 2πσL ln(b/a) a) För 0 < t < T är dioden framspänd och kan ersättas med en kortslutning. Kretsen blir då en vanlig krets som laddas upp av en spänning V 0. Detta ger spänningen över den undre kondensatorn v c (t) = V 0 ( e t/τ ), 0 < t < T där τ =. Strömmen ges av i(t) = dv c(t) dt = V 0 e t/τ, 0 < t < T b) Vi antar nu att T τ. Det gör att den undre kondensatorn är uppladdad till spänningen V 0 vid tiden t = T. För t > T är dioden backspänd och vi får den övre kretsen i figuren. Man kan bestämma strömmen med Laplacetransformering eller direkt i tidsplanet. Inför först tiden t = t T och bestäm v c (t) för t > 0. Lösning med Laplacetransformering Eftersom v c = V 0 för t = 0 kan vi ersätta den under kondensatorn med en kondensator i serie med en spänningskälla vilket leder till den undre kretsen i figuren. 7

i(t) v c (t) I(s) s s V0 s Ur denna får vi strömmen V 0 I(s) = s(2 2/(s)) = V 0 2( s) Motsvarande tidsberoende ström är (se formelsamling) där τ =. Detta ger Om t ersätts med t T fås i(t) = V 0 2 e t/τ, 0 < t < T i(t) = V 0 2 e t/τ i(t) = V 0 2 e (t T )/, t > T Lösning i tidsplanet För t > T kan vi seriekoppla de båda motstånden till en resistans 2 och de båda kondensatorerna till en kapacitansen /2. Begynnelsvillkoret vid t = T är att kapacitansen /2 är uppladdad till spänningen V 0, se figur (man inser detta om man använder Theveninekvivalenten för kondensatorerna.) Standardmetoden för att behandla urladdning av kondensatorer ger att spänningen över kapacitansen /2 blir (t T )/ v c (t) = V 0 e Strömmen ges av i(t) = 2 dv c (t) dt = V 0 2 e (t T )/, t > T 8

4 Impedansen ges av Z ab = Z in = Z 0 Z L cos(βl) jz 0 sin(βl) Z 0 cos(βl) jz L sin(βl) () a) För β = 0 får vi Z ab = Z L = 50 Ω. b) Z ab är periodisk, dvs Z ab (β) = Z ab (β m ). Enligt impedanstransformeringen är därmed 2l = 2π m, och l = π m. c) Det enklaste är att använda kvartvågstransformatorn (2βl = π eller β = 0.5 m ) där 200 Ω = Z ab = Z 2 0/Z L som ger Z 0 = 00 Ω. 5 I 2 0 G V GS D I D S S I DD V DD 20 G V S 0 I DQ 0 I [ma] D VGS 0 2 4 5 Vt V V [V] GSQ G Q a) Kretsschemat visas i figuren. b) Arbetspunkten, Q, för transistorn kan bestämmas med belastningslinjen. KVL längs slingan i figuren ger V G V GS I D S = 0 där V G = V DD 2 2 är potentialen i G. Sambandet i mättnadsområdet är I D = K(V GS V t ) 2 Lösningen av ekvationssystemet ger arbetspunkten I DQ, V GSQ. c) Se figur. d) Strömmen genom och 2 är I = V DD /( 2 ) vilket ger effektutvecklingen V 2 DD p = I 2 = ( 2 ) 2 och p 2 = 2 I 2 VDD 2 = 2 ( 2 ) 2 Strömmen genom s är I DQ vilket ger p s = s I 2 DQ 9

Strömmen genom spänningskällan ges av I DD = I I DQ som ger V 2 DD p DD = V DD I DD = V DD I DQ 2 Slutligen genom energikonservering (eller eftersom I G = 0) p NMOS = V DSQ I DQ Observera att transistorn förbrukar energi p NMOS > 0. 6 De ideala operationsförstärkarna ger först att V = V 3 = V 5. a) Nodanalys i noderna, 3, 5. Noderna 2 och 4 måste undvikas eftersom vi inte vet strömmarna som går ut från operationsförstärkarna. Anledningen till att de inte behövs är att de ersätts med villkoren att spänningen över ingången på vardera OP är noll och att strömmen in i de inverterande och ickeinverterande ingångarna är noll. b) nod. nod 3 nod 5 I V V 2 /s = 0 V V 2 V V 4 /s = 0 V 0 V V 4 = 0 c) Lös ekvationssystemet ovan. Nod 5 ger V 4 = 2V. Detta sätts in i nod 3 ( s)v V 2 sv 4 = ( s)v V 2 = 0 och slutligen i nod som ger impedansen I = s(v V 2 ) = s 2 2 V Z ab = V /I = s 2 2 0