Föreläsning 5 pn-övergången II: Spänning&ström

Relevanta dokument
Föreläsning 4 pn-övergången

Föreläsning 4 pn-övergången

Föreläsning 7 pn-övergången III

Föreläsning 10 (MOS)-Fälteffekttransistor I

Föreläsning 3 Extrinsiska Halvledare

Föreläsning 10 pn- övergången III

Föreläsning 3 Extrinsiska Halvledare

E F. pn-övergång. Ferminivåns temperaturberoende i n-dopade halvledare. egen ledning. störledning

Föreläsning 6: Opto-komponenter

Föreläsning 6: Opto-komponenter

Komponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Hålltider --- Ellära: Elektriska fält, potentialer och strömmar

Föreläsning 8 pn- övergången

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Formelsamling för komponentfysik. eller I = G U = σ A U L Småsignalresistans: R = du di. där: σ = 1 ρ ; = N D + p n 0

Definition 1a: En talföljd är en reell (eller komplex) funktion vars definitionsmängd är mängden av naturliga tal {0,1,2,3,4, }.

Föreläsning 8 Bipolära Transistorer I

Fasta tillståndets fysik.

Föreläsning 8 Bipolära Transistorer I

Föreläsning 12 Bipolära Transistorer II. Funk<on bipolär transistor

Formelsamling för komponentfysik

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Pla$kondensator - Fälteffekt

Föreläsning 11 Fälteffekttransistor II

Tentamen i komponentfysik

Föreläsning 2 - Halvledare

Föreläsning 1. Metall: joner + gas av klassiska elektroner =1/ ! E = J U = RI = A L R E = J = I/A. 1 2 mv2 th = 3 2 kt. Likafördelningslagen:

Föreläsning 7. Signalbehandling i multimedia - ETI265. Kapitel 5. LTI system Signaler genom linjära system

Om inget annat anges så gäller det kisel och rumstemperatur (300K)

Om inget annan anges gäller det rumstemperatur, d.v.s. T =300K, termisk jämvikt och värden som inte ges i uppgiften hämtas från formelsamlingen.

Komponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Varför Komponentfysik? Hålltider --- Ellära, Elektriska fält och potentialer

Tunnling. Förra gången: Spridning mot potentialbarriär. B T T + R = 1. Föreläsning 9. Potentialmodell (idealiserad): U = U B U = 0

Lösningar Tenta

2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de två fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen.

Om inget annat anges så gäller det kisel och rumstemperatur (300K)

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV

Inledande matematisk analys. 1. Utred med bevis vilket eller vilka av följande påståenden är sana:

Välkomna till kursen i elektroniska material!

Beskrivande uppgifter: I: Vad skiljer det linjära området och mättnadsområdet i termer av inversionskanal?

Föreläsning 6. Signalbehandling i multimedia - ETI265. Kapitel 4

Utredande uppgifter. 2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de tre fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen.

Övning 3 - Kapitel 35

Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI240/0601 och FFF090

Välkomna till kursen i elektroniska material! Martin Leijnse

Om inget annan anges gäller det rumstemperatur, d.v.s. T =300K, termisk jämvikt och värden som inte ges i uppgiften hämtas från formelsamlingen.

= BERÄKNING AV GRÄNSVÄRDEN ( då x 0 ) MED HJÄLP AV MACLAURINUTVECKLING. a) Maclaurins formel

Digital signalbehandling

Digital signalbehandling Sampling och vikning på nytt

Föreläsning 2 - Halvledare

Föreläsning 6. Kapitel 4. Fouriertransform av analog signal, FT Fouriertransform av digital signal, DTFT fortsättning

FORD KA KA_202054_V8_2014_Cover.indd /01/ :04:46

Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III

c n x n, där c 0, c 1, c 2,... är givna (reella eller n=0 c n x n n=0 absolutkonvergent om x < R divergent om x > R n n lim = 1 R.

Datorövning 2 Fördelningar inom säkerhetsanalys

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 14 dec 2009 klockan 14:00 19:00.

Grundläggande matematisk statistik

Introduktion till halvledarteknik

Komponen'ysik Dan Hessman Lektor i fasta tillståndets fysik. Tel:

Minsta kvadrat-metoden, MK. Maximum likelihood-metoden, ML. Medelfel. E(X i ) = µ i (θ) MK-skattningen av θ fås genom att minimera

om X har följande sannolikhetsfunktion λ λ . Då gäller a) väntevärdet E(X) = λ b) variansen σ = λ och därmed c) standardavvikelsen σ = λ

Hambley avsnitt 12.7 (även 7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar)

1. Hur gammalt är ditt barn?

Stort massflöde Liten volym och vikt Hög verkningsgrad. Utföranden Kolv (7) Skruv (4) Ving (4) Roots (1,5) Radial (2-4) Axial (1,3) Diagonal.

Tentamen ETE115 Ellära och elektronik för F och N,

Föreläsning 6. Signalbehandling i multimedia - ETI265. Kapitel 4

I den här stencilen betraktar vi huvudsakligen reella talserie, dvs serier vars termer ak

Bertrands postulat. Kjell Elfström

Tenta i MVE025/MVE295, Komplex (matematisk) analys, F2 och TM2/Kf2

Preliminär timplanering: Plasmafysik

Hambley avsnitt 12.7 (även 7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar)

TRE KRONOR ISHOCKEY-VM I DANMARK 4 20 MAJ 2018 FÖLJ DOM SVENSKA VÄRLDSMÄSTARNA PÅ PLATS I KÖPENHAMN!

Tentamen i Sannolikhetsteori III 13 januari 2000

Jag läser kursen på. Halvfart Helfart

Elektronik 2018 EITA35

TRE KRONOR ISHOCKEY-VM I DANMARK 4 20 MAJ 2018 FÖLJ DOM SVENSKA VÄRLDSMÄSTARNA PÅ PLATS I KÖPENHAMN!

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen oktober 2006

1. BERÄKNING AV GRÄNSVÄRDEN ( då x 0 ) MED HJÄLP AV MACLAURINUTVECKLING. n x

Komponen'ysik Dan Hessman Lektor i fasta tillståndets fysik. Tel:

1. Hur gammalt är ditt barn?

För att skatta väntevärdet för en fördelning är det lämpligt att använda Medelvärdet. E(ξ) =... = µ

Föreläsning 10. Digital signalbehandling. Kapitel 7. Digitala FourierTransformen DFT. LTH 2011 Nedelko Grbic (mtrl. från Bengt Mandersson)

( y) ( L) Beräkning av ström nmos: Lång kanal (L g >1µm) di dy. Oxid U GS U DS. Kanal. 0<U cs (y)<u DS. Lös med:

SM Serien Strömförsörjning. Zenerdioden används i huvudsak för att stabilisera likspänningar.

Statistisk analys. Vilka slutsatser kan dras om populationen med resultatet i stickprovet som grund? Hur säkra uttalande kan göras om resultatet?

Hittills på kursen: E = hf. Relativitetsteori. vx 2. Lorentztransformationen. Relativistiskt dopplerskift (Rödförskjutning då källa avlägsnar sig)

Fyra typer av förstärkare

RSJE10 Radiografi I Delkurs 2 Strålning och teknik I. Del 2 Röntgenrörets uppbyggnad. Lena Jönsson Medicinsk strålningsfysik Lunds universitet

Vad är elektricitet?

Lektion 1: Automation. 5MT001: Lektion 1 p. 1

Lösningar och kommentarer till uppgifter i 1.1

Elektronik 2015 ESS010

Digital signalbehandling Fönsterfunktioner

Datastrukturer och algoritmer

Fakta om plast i havet

Lösningar till BI

Halvledare. Periodiska systemet (åtminstone den del som är viktig för en halvledarfysiker)

Datorövning 2 Fördelningar inom säkerhetsanalys

HOMOGENA LINJÄRA DIFFERENTIALEKVATIONER MED KONSTANTA KOEFFICIENTER

101. och sista termen 1

Uppsala Universitet Matematiska Institutionen Bo Styf. Genomgånget på föreläsningarna Föreläsning 26, 9/2 2011: y + ay + by = h(x)

JUSTONE MANUAL ÅTERFÖRSÄLJARE

Transkript:

Förläsig 5 -övrgåg : Säig&ström Laddigar vid jämvikt Yttr ålagd säig Laddigar md ålagd säig Diffusiosströmmar Kort diod 2013-04-11 Förläsig 5, Komotfysik 2013 1

Komotfysik - Kursövrsikt Biolära Trasistorr -övrgåg: kaacitasr Otokomotr -övrgåg: strömmar Mi: Flash, DRAM MOSFET: strömmar MOSFET: laddigar -övrgåg: byggd säig och rymdladdigsområd Doig: -och -ty matrial Laddigsbärar: Elktror, hål och frmiivår Halvldarfysik: badstruktur och badga Ellära: lktriska fält, ottialr och strömmar 2013-04-11 Förläsig 4, Komotfysik 2013 2

-diod: jämvikt E P bi E C bi byggd Säig (built i ottial) l A VT 2 i D E F E V d 1 2 r 0 D D D A A bi -d d 1 2 r 0 A D D A A bi x=0 d x ε max r 0 d D r 0 d A 2013-04-11 Förläsig 5, Komotfysik 2013 3

Rkombiatio - Rkombiatio skr it omdlbart. E lktro (hål) har livstid t ia d ka rkombira. E lktro hir röra sig: L ~ v l t Kort halvldar: W << L W Låg halvldar: W >> L W E C E C Rkombiatio Oviktigt! Rkombiatio! E v E v 2013-04-11 Förläsig 5, Komotfysik 2013 4

-diod: Frå lktroik 5 Currt (ma) 4 3 2 P + - d a T 1 0 1 0-5 -4-3 -2-1 0 1 2 Voltag (V) 0 ~ 10-14 A a ålagd säig T trmisk säig = kt/ idalittsfaktor (1<<2) Varför da fuktio? Vad styr storlk å 0? Vad gr storlk å? 2013-04-11 Förläsig 5, Komotfysik 2013 5

Frmiivår ålagd säig bi P E F + a Pålaggd yttr säig kvasifrmiivår bi - a För lktror: E F (-sida + RLO) För hål: E F (-sida + RLO) E F a Sarrad md a E F bi miskar md a (d ) hur måga lktror? 2013-04-11 Förläsig 5, Komotfysik 2013 6

-diod: laddigar 0 E P 0 E C Fria lktror 0 jämvikt E F E V -sida - majoritt Fria lktror 0 0 C V E F E V E kt c E kt ( x) F ( x) -d 0 0 x=0 d x 0 jämvikt P-sida - mioritt 2013-04-11 Förläsig 5, Komotfysik 2013 7

Framsäig: a ositiv Stor Ström E F -E c E F-E c E F E F V a E F C E E kt F c -d d (d ) >> 0 (-d ) >> 0 E V E kt F Atalt lktror / hål vid d,-d ökar jämfört md jämvikt V 2013-04-11 Förläsig 5, Komotfysik 2013 8

Backsäig: a gatitv Lit Ström E F -E c E F -V a E F E F C V E E kt F c EV E kt F (d ) 0 (-d ) 0 Atalt lktror / hål vid d,-d miskar jämfört md jämvikt 2013-04-11 Förläsig 4, Komotfysik 2013 9

Laddigar vid ålägd säig d = i 2 A x a T E F -E c Atalt lktror ökar xotillt md a vid d! E F V a -d d = i 2 d T 2013-04-11 Förläsig 5, Komotfysik 2012 10 D x a Atalt hålökar xotillt md a vid -d!

Elktro koc. (m -3 ) 2 miutrs övig - Elktrokoctratio udr diffusio Elktror diffudrar frå d till W hur måst (x) s ut om rkombiatio ka försummas? 0 d A T d( x) dx W 2013-04-11 Förläsig 5, Komotfysik 2013 11

Diffusiosströmmar E F V a -V a E F -d d 2013-04-11 Förläsig 5, Komotfysik 2013 12

Strömmar i halvldar A A ( x) Drift ε ( x) kt d( x) ( x) A( ) dx kt d( x) ( x) A( ) dx ε Diffusio Elktriska fältt (x) 0 i d utrala områdra! Elktrora diffudrar frå d till W vi ka klt bräka hur stor strömm är! 2013-04-11 Förläsig 5, Komotfysik 2012 13

Kort diod >> 0 0 0 d=(d )- 0 0 >> 0 0 E C W P + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - W W P E V W Diffusiosströmar: d( x) A T dx d( x) A T dx 2013-04-11 Förläsig 5, Komotfysik 2011 14

(m -3 ) Kort diod - ström >> 0 0 0 ( d ) 0 a t W P E C 0 E V d W W Diffusiosströmar: A T d( x) dx 2013-04-11 Förläsig 5, Komotfysik 2013 15

Kort diod - strömmar 2013-04-11 16 Förläsig 5, Komotfysik 2013 1 2 t a P A i t W A 1 2 t a D i t W A 1 1 0 2 t a t a D A i t W W A Diffusio av lktror Frå sida till P-sida Diffusio av hål Frå P sida till -sida -5-4 -3-2 -1 0 1 2 0 1 2 3 4 5 Voltag (V) Currt (ma) Läckström: 0 Tyiska värd å A, W,W och doigar: lagom stor ström vid V a ~ 0.7-0.8 V för Si-diod.

Otokomotr Partytrick 2013-04-11 Förläsig 5, Komotfysik 2013 17

Sammafattig ya btckigar E f : Kvasi-frmiivå för lktror (V) E f : Kvasi-frmiivi för hål (V) 0 : läckström diod (A) W, W : diods utsträckig, -sida (m) L, L : Diffusioslägd (m) : idalittsfaktor (1-2) a : Yttr ålagd säig å diod (V) 2013-04-11 Förläsig 5, Komotfysik 2013 18