Föreläsning 12 Bipolära Transistorer II. Funk<on bipolär transistor

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Storlek: px
Starta visningen från sidan:

Download "Föreläsning 12 Bipolära Transistorer II. Funk<on bipolär transistor"

Transkript

1 Föreläsning 1 Bipolära Transistorer II Funk<on bipolär transistor Småsignal- modell Hybrid- π 1

2 Bipolär Transistor : D Opera<onsmoder Rekombina<on / Högnivåinjek<on GenombroJ

3 Bipolär transistor Ak;v mod E B I E =I +I B I P P I n,p I B +V BE +V B +0.7V - 1.0V x I I B = β = eaut µ nn W µ µ n p 3 B DE AB AB I I = = β β F i W W E B U exp( U BE T I B ) V BE > 0.7 V för stor ström V B < 0 V : backspänd övergång

4 Bipolär transistor Bo?nad mod E B I E =I n +I B1 I P P I =I n - I B I B n,p +V BE +V B +0.7V +0.5V Framspänd bas- kollektorövergång - ökad basström, lägre elektronström β minskar Transistorn får lägre förstärkning! x V BE > 0.7 V för stor ström V B < 0.5 V : stor hål- läckström <ll kollektorn 4

5 Bipolär transistor strypt mod E B I E =I +I B I P I~ 0 P I~ 0 I B I~ 0 n,p +V BE +V B - 0.1V - 0.3V Backspänd bas- kollektorövergång och bas- emi?erövergång Ingen injicerad laddning I I E I B I 0 0 x V BE > 0.0 V V B < 0.0 V 5

6 Bipolär transistor - opera;onsområden 6 5 Ak<v V BE =0.740 V I B =50 µa Ak;v Mod (Si): Kollektorström (ma) 4 3 V BE =0.734 V V BE =0.77 V V BE =0.717 V I B =40 µa I B =30 µa I B =0 µa V BE ~ 0.7V V E > 0.V I =β I B 1 V BE =0.699 V I B =10 µa V BE =0.0 V I B =0 A V (V) ce Strypt 6

7 Maximal Spänning - Lavingenombro? I BV EO U bi, B εbr ε rε 0 e D Sä?er den maximala spänningen över transistorn: U E <BV EO Minsta spänningen ges av mä?nadsspänningen. U E >U E,min U E, min U E, max BV EO U E 7

8 Resistanser - emi?er / kollektor På samma säj som pn- dioden: Drifström genom de neutrala områderna! R B I B βi B R β >> 1, så: I n >>I p Elektrontransport fram <ll basen ger spänningsfall! R E R = W BL 1 eµ n D W E B W R E = W E 1 BL eµ n DE R E EmiJer DE Bas AB L R Kollektor D 8

9 Basresistans: R B I E I B B I R B I B βi B R W B L Resis<vitet: R E ρ = 1 e µ AB p I B R B = 1 3 L A ρ = L 3 W B B e AB µ p L R B Tunn bas, låg AB à Hög basresistans! Väldesignad BJT har en låg bas- resistans. 9

10 Parasiteffekter U BE hög I c stor Högnivåinjek<on i basen o n(0) > AB. Långsam ökning av I lägre β Log (I) Kvasi- bojning o I skapar spänningsfall över den neutrala delen av kollektorn. Bas- kollektor övergången blir framspänd lägre β. U BE liten I c liten Rek. RLO ormal Högnivå Kvasi- bojning U BE Rekombina<on av elektroner/hål i bas- emijer rymdladdningsområdet. Få elektroner tar sig <ll basen låg I och β. β U10 BE

11 Bipolär Transistor : D Opera<onsmoder Rekombina<on / Högnivåinjek<on GenombroJ 11

12 Bipolär Transistor : A Småsignal D Småsignal A 1

13 Småsignal bipolär transistor: hybrid- π Bas + R B + µ Kollektor u in EmiJor - u be - π r π g m u be r 0 EmiJor Varifrån kommer de olika passiva och ak;va elementen? Vad sä?er storlekarna på de olika elementen? 13

14 jbe jb AB > D Utarmningskapacitanser: jb, jbe EmiJor Bas Kollektor µ π jbe jb ε rε = d 0A A ε rε 0 tot, be ε rε 0A = d tot, bc ( U U ) bi BE e A ε rε 0e AB BE ( ) µ U U bi B D B = U BE ~ 0.7V U B ~ - 1 V jbe > jb 14

15 Diffusionskapacitans: diff,be EmiJor Bas Kollektor µ π diff,be diff, BE = W U µ B t W B δv BE à Ändrar mängden laddning i basen: diffusionskapacitans n I W + U µ E t p I B Enbart mellan bas- emijor Dominerande vid stora strömmar 15

16 Kapacitanser: π och µ π jbe diff, BE µ = = jb + π µ π : Summa av diffusionskapacitans och utarmningskapacitans µ : Utarmningskapacitans 16

17 Ingångsresistans: r π i b I B β F I B u be - + r π eaut µ pni U BE I B = exp( ) W U I = I B E β DE t r π = U I t B = β U I t Storsignal ger arbetspunkt I B Småsignal linearisering kring I B 17

18 Transkonduktans: g m i I B β F I B u be - + r π I = eaut µ nn W B AB i U exp( U BE T ) di i = ube = du BE g I U t g m m = = u BE β r π 18

19 Utgångskonduktans: g o Kollektorström (ma) I = eaut µ nn W B AB i Högre U E W B minskar (basviddsmodula<on) U A U exp( U BE T ) u be - + du r π ce r 0 = = di c U I U A Earlyspänningen (50-100V) A V (V) ce 19

20 minuters övning Hur ser hybrid- π modellen ut för en bipolär transistor i strypt mod? (U BE < 0, U E > 0) + Bas Kollektor u in u ut - EmiJor EmiJor 0

21 Högfrekvensegenskaper - strömförstärkning V E Små- signal schema: v BE V BE i b µ L bias L bias i + c i b u be π r π - bias β r = bias π g m g m u be i c Signal vid höga frekvenser: bias = kortslutning L bias = avbroj Maximal strömförstärkning: h ( ω) = FE i i c b ( ω) ( ω) 1

22 Högfrekvensegenskaper - strömförstärkning h fe ( ω) h fe = i i c b ( ω) ( ω) 1+ β [ ω( + ) r ] µ π - 3dB π β β/ 1 1 f 3dB f T log (f)

23 Högfrekvensegenskaper - strömförstärkning β h fe ( ω) 1+ + [ ω( ) r ] µ π π h fe - 3dB f 3dB 1 = π ( jbe + jb + diffbe ) r π β β/ 1 f t = π m ( + + ) jbe g jb diffbe 1 f 3dB f T log (f) 3

24 Bipolär Transistor : A Småsignal D Småsignal A 4

25 Bipolära Transistorer mikroelektronik & nanoelektronik Diskreta komponenter Modern, integrerad SiGe- HBT B E 500nm f t ~ 300 MHz β ~ U BR ~ 80V f t ~ GHz β ~ U BR ~ V 5

26 Sammanfa?ning jbe : Bas- emijor utarmningskapacitans (F) jb: bas- kollektor utarmningskapacitans (F) diff,be : Diffusionskapacitans (F) π : jbe + diff,be (F) µ : jb r π : ingångsresistans (Ω) g m : transkonduktans (1/ Ω) R B : Basresistans (Ω) r 0 : utgångsresistans (Ω) h Fe : ac- strömförstärkning f t : övergångsfrekvens (Hz) f 3dB : 3dB frekvens (Hz) 6

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II Funktion bipolär transistor Småsignal-modell Hybrid-p 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Optokomponenter pn-övergång:

Läs mer

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II Föreläsning 9 ipolära Transistorer Funktion bipolär transistor Småsignal-modell Hybrid-p Designparametrar 1 Komponentfysik - Kursöversikt ipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Optokomponenter

Läs mer

I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn.

I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn. Komponentfysik Övning 4 VT-10 Utredande uppgifter: I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn. II: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor.

Läs mer

Föreläsning 11 Bipolära Transistorer I. BJT Bipolar JuncDon Transistor. FunkDon bipolär transistor. DC operadon, strömförstärkning

Föreläsning 11 Bipolära Transistorer I. BJT Bipolar JuncDon Transistor. FunkDon bipolär transistor. DC operadon, strömförstärkning Föreläsning 11 ipolära ransistorer J ipolar JuncDon ransistor FunkDon bipolär transistor Geometri npn D operadon, strömförstärkning OperaDonsmoder Early- effekten pnp transistor G. alla 1 deal transistor

Läs mer

Komponentfysik ESS030. Den bipolära transistorn

Komponentfysik ESS030. Den bipolära transistorn Komponentfysik ESS030 Den bipolära transistorn T- 2016 Syfte Syftet med denna laboration är att studenten ska bekanta sig med den grundläggande fysiken i en bipolär transistor. Det fundamentala byggblocket

Läs mer

Lösningar Tenta

Lösningar Tenta Lösningar Tenta 110525 1) a) Driftström: Elektriskt laddade partiklar (elektroner och hål) rör sig i ett elektriskt fält. Detta ger upphov till en ström som följer ohms lag. Diffusion: Elektroner / hål

Läs mer

Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III

Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III pmo måsignal FET A, f t MO-Kondensator 014-05-19 Föreläsning 13, Komponentfysik 014 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser

Läs mer

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV PMOS Småsignal FET A, f t MOS- Kondensator D/MOS- kamera Flash- minne 1 PMOS U Gate U - 0.V 1.0V 0.4V Source Isolator SiO Drain U - 1V P ++ N- typ semiconductor P ++

Läs mer

Föreläsning 8 Bipolära Transistorer I

Föreläsning 8 Bipolära Transistorer I Föreläsning 8 iolära ransistorer Funktion biolär transistor Geometri nn D oeration, strömförstärkning Oerationsmoder Early-effekten n transistor 1 Komonentfysik - Kursöversikt iolära ransistorer n-övergång:

Läs mer

Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI240/0601 och FFF090

Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI240/0601 och FFF090 011-01-10 08 00-13 00 Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI40/0601 och FFF090 Hjälpmedel: TEFYMA, ordlista, beteckningslista, formelsamlingar och räknare. Max 5p, för godkänt krävs 10p. Om inget annat

Läs mer

Halvledare. Transistorer, Förstärkare

Halvledare. Transistorer, Förstärkare Halvledare Transistorer, Förstärkare Om man har en två-ports krets v in (t) ~ v ut (t) R v ut (t) = A v in (t) A är en konstant: Om A är mindre än 1 så kallas kretsen för en dämpare Om A är större än 1

Läs mer

Föreläsning 8 Bipolära Transistorer I

Föreläsning 8 Bipolära Transistorer I Föreläsning 8 iolära ransistorer Funktion biolär transistor Geometri nn D oeration, strömförstärkning Oerationsmoder Early-effekten n transistor G. alla 1 Komonentfysik - Kursöversikt iolära ransistorer

Läs mer

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 1 Transistorn del 1

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 1 Transistorn del 1 Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 1 Transistorn del 1 Jan Thim 1 F1: Transistorn del 1 Innehåll: Historia Funktion Karakteristikor och parametrar Transistorn som förstärkare Transistorn som switch

Läs mer

Om inget annat anges så gäller det kisel och rumstemperatur (300K)

Om inget annat anges så gäller det kisel och rumstemperatur (300K) Komponentfysik Övning 3 VT-0 Om inget annat anges så gäller det kisel och rumstemperatur (300K) Utredande uppgifter: I: En diod har två typer av kapacitanser, utarmningskapacitans och diffusionskapacitans.

Läs mer

Rättade inlämningsuppgifter hämtas på Kents kontor Föreläsning 4 Må 11.00-11.30, 12.30-13.15 Kent Palmkvist To 11.00-11.30, 12.30-13.

Rättade inlämningsuppgifter hämtas på Kents kontor Föreläsning 4 Må 11.00-11.30, 12.30-13.15 Kent Palmkvist To 11.00-11.30, 12.30-13. /5/14 15:56 Praktisk info, forts. Löst uppgift Fyll i ett konvolut (återanvänds tills uppgiften godkänd TTE Elektronik Konvolut hittas ovanpå den svarta brevlåda som svar lämnas i vart brevlåda placerad

Läs mer

TSTE20 Elektronik 01/31/ :24. Nodanalys metod. Nodanalys, exempel. Dagens föreläsning. 0. Förenkla schemat 1. Eliminera ensamma spänningskällor

TSTE20 Elektronik 01/31/ :24. Nodanalys metod. Nodanalys, exempel. Dagens föreläsning. 0. Förenkla schemat 1. Eliminera ensamma spänningskällor 0/3/204 0:24 Nodanalys metod 0. Förenkla schemat. liminera ensamma TST20 lektronik 2. Jorda en nod 3. nför nodpotentialer 4. nför referensriktningar på strömmarna i nätet 5. Sätt upp ekvation för varje

Läs mer

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV måsignal FET A, f t MO- Kondensator D/MO- kamera Flash- minne 1 måsignalmodell A kapacitanser i mä1nadsmod δu Isolator io 2 D N ++ N ++ P- typ halvledare δ Q δu >>

Läs mer

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 3 Transistorförstärkare

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 3 Transistorförstärkare Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 3 Transistorförstärkare Jan Thim 1 F3: Transistorförstärkare Innehåll: Introduktion GE-steget EF-steget GB-steget Flerstegsförstärkare Felsökning 2 1 Förstärkare

Läs mer

Föreläsning 2 - Halvledare

Föreläsning 2 - Halvledare Föreläsning 2 - Halvledare Historisk definition Atom Molekyl - Kristall Metall-Halvledare-Isolator Elektroner Hål Intrinsisk halvledare effekt av temperatur Donald Judd, untitled 1 Komponentfysik - Kursöversikt

Läs mer

2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de två fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen.

2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de två fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen. Komponentfysik Uppgifter pn del 1 VT-15 Utredande uppgifter Ia) Rita skisser med nettoladdning, elektriskt fält och bandstruktur för en symmetrisk pn-övergång. b) Rita motsvarande skisser som i a), men

Läs mer

Föreläsning 6: Opto-komponenter

Föreläsning 6: Opto-komponenter Föreläsning 6: Opto-komponenter Opto-komponent Interaktion ljus - halvledare Fotoledare Fotodiod / Solcell Lysdiod Halvledarlaser 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser

Läs mer

( y) ( L) Beräkning av ström nmos: Lång kanal (L g >1µm) di dy. Oxid U GS U DS. Kanal. 0<U cs (y)<u DS. Lös med:

( y) ( L) Beräkning av ström nmos: Lång kanal (L g >1µm) di dy. Oxid U GS U DS. Kanal. 0<U cs (y)<u DS. Lös med: Beräkning av ström nmos: ång kanal ( g >1µm Oxid 0< cs (y< y Kanal ε Q N ( ( y th ( y Z µ ε ( y y n ( y ( y Q ( y N ös med: cs cs d dy (0 0 ( 0 15-04- 15 Föreläsning 6, Komponen7ysik 015 1 Ström och kanal

Läs mer

Föreläsning 11 Fälteffekttransistor II

Föreläsning 11 Fälteffekttransistor II Föreläsning 11 Fälteffekttransistor Fälteffekt Tröskelspänning Beräkning av strömmen Storsignal, D Kanallängdsmodulation Flatband-shift pmosfet 013-05-03 Föreläsning 11, Komponentfysik 013 1 Komponentfysik

Läs mer

Den bipolä rä tränsistorn

Den bipolä rä tränsistorn Komponentfysik ESS3 Laborationshandledning av: Martin Berg Elvedin Memišević Den bipolä rä tränsistorn VT-213 Syfte Syftet med denna laboration är att studenten ska bekanta sig med den grundläggande fysiken

Läs mer

Föreläsning 2 - Halvledare

Föreläsning 2 - Halvledare Föreläsning 2 - Halvledare Historisk definition Atom Molekyl - Kristall Metall-Halvledare-Isolator lektroner Hål Intrinsisk halvledare effekt av temperatur 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer

Läs mer

Tentamen i Elektronik fk 5hp

Tentamen i Elektronik fk 5hp Tentamen i Elektronik fk 5hp Tid: kl 9.13. Måndagen den 16 Mars 29 Sal: Bingo Hjälpmedel: formelsamling elektronik (14 sidor), formelsamling ellära samt valfri räknare. Maxpoäng: 3 Betyg: 12p3:a, 18p4:a

Läs mer

Svar till Hambley edition 6

Svar till Hambley edition 6 Svar till Hambley edition 6 Carl Gustafson, Bertil Larsson 2011-01-20, mod 2012-11-07, mod 13-11-19 1 Svar Kapitel 1 P1.21P a = 60 W P b = 60 W P c = 210 W Positiv: absorbed (=upptagen, förbrukad) och

Läs mer

MOSFET:ens in- och utimpedanser. Småsignalsmodeller. Spänning- och strömstyrning. Stora signaler. MOSFET:ens högfrekvensegenskaper

MOSFET:ens in- och utimpedanser. Småsignalsmodeller. Spänning- och strömstyrning. Stora signaler. MOSFET:ens högfrekvensegenskaper FÖRELÄSNING 4 MOSFET:ens in och utimpedanser Småsignalsmodeller Spänning och strömstyrning Stora signaler MOSFET:ens högfrekvensegenskaper Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik

Läs mer

Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet. Agneta Bränberg TRANSISTORTEKNIK. Laboration.

Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet. Agneta Bränberg TRANSISTORTEKNIK. Laboration. Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet 2016-12-19 Agneta Bränberg Laboration TRANSISTORTEKNIK Analog II VT17 Målsättning: Denna laboration syftar till studenterna ska lära sig

Läs mer

Definition av kraftelektronik

Definition av kraftelektronik F1: Introduktion till Kraftelektronik Definition av kraftelektronik Den enegelska motsvarigheten till kraft elektronik är Power electronics. På Wikipedia kan man hitta följande definition: Power electronics

Läs mer

UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors Transistorswitchen. Laboration E25 ELEKTRO

UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors Transistorswitchen. Laboration E25 ELEKTRO UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors 1997-01-14 Transistorswitchen Laboration E25 ELEKTRO Laboration E25 Transistorswitchen 2 Nyckelord Switch, bottnad- och strypt

Läs mer

TRANSISTORER. Umeå universitet Institutionen för tillämpad. fysik och elektronik. Patrik Eriksson

TRANSISTORER. Umeå universitet Institutionen för tillämpad. fysik och elektronik. Patrik Eriksson Institutionen för tillämpad 2013-09-05 fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Agneta Bränberg Redigerad av Johan Haake Redigerad av Nils Lundgren TRANSISTORER Målsättning: Denna

Läs mer

Repetition: Nätanalys för AC. Repetition: Elektricitetslära. Repetition: Halvledarkomponenterna

Repetition: Nätanalys för AC. Repetition: Elektricitetslära. Repetition: Halvledarkomponenterna FÖRELÄSNING 2 Repetition: Nätanalys för AC Repetition: Elektricitetslära Repetition: Halvledarkomponenterna Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 1(49) Repetition: Nätanalys

Läs mer

Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren

Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren /Krister Hammarling 1 Transistorn Innehåll: Historia Funktion Karakteristikor och parametrar Transistorn som förstärkare Transistorn som switch Felsökning

Läs mer

Laboration II Elektronik

Laboration II Elektronik 817/Thomas Munther IDE-sektionen Halmstad Högskola Laboration II Elektronik Transistor- och diodkopplingar Switchande dioder, D1N4148 Zenerdiod, BZX55/C3V3, BZX55/C9V1 Lysdioder, Grön, Gul, Röd, Vit och

Läs mer

Målsättning: Utrustning och material: Denna laboration syftar till att ge studenten:

Målsättning: Utrustning och material: Denna laboration syftar till att ge studenten: Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Agneta Bränberg Redigerad av Johan Haake Redigerad av Agneta Bränberg 2016-11-14 TRANSISTORER Målsättning:

Läs mer

För att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet.

För att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet. Kortslutningsskydd För att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet. Utströmmen passerar R4, ett lågohmigt

Läs mer

Föreläsning 6: Opto-komponenter

Föreläsning 6: Opto-komponenter Föreläsning 6: Opto-komponenter Opto-komponent Interaktion ljus - halvledare Fotoledare Fotodiod / Solcell Lysdiod Halvledarlaser Dan Flavin 2014-04-02 Föreläsning 6, Komponentfysik 2014 1 Komponentfysik

Läs mer

Förstärkarens högfrekvensegenskaper. Återkoppling och stabilitet. Återkoppling och förstärkning/bandbredd. Operationsförstärkare.

Förstärkarens högfrekvensegenskaper. Återkoppling och stabilitet. Återkoppling och förstärkning/bandbredd. Operationsförstärkare. FÖRELÄSNING 5 Förstärkarens högfrekvensegenskaper Återkoppling och stabilitet Återkoppling och förstärkning/bandbredd Operationsförstärkare Kaskadkoppling Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola

Läs mer

1.2 Två resistorer är märkta 220 ohm 0,5 W respektive 330 ohm 0,25 W. vilken är den största spänning som kan anslutas till:

1.2 Två resistorer är märkta 220 ohm 0,5 W respektive 330 ohm 0,25 W. vilken är den största spänning som kan anslutas till: Passiva komponenter. Vilken resistans och tolerans har en resistor märkt: a) röd, violett, gul, guld b) blå, grå, blå, silver c) brun, svart, svart, guld d) orange, vit, brun, röd, mellanrum, brun e) grön,

Läs mer

KAPITEL 2 MTU AB

KAPITEL 2 MTU AB KAPITEL 2 MTU AB 2007 29 HALVLEDARE De komponenter som vi hittills behandlat är motstånd av olika slag, lampor samt batterier. Det kan diskuteras om batteriet ska kallas komponent. Motstånd är den komponent

Läs mer

Grindar och transistorer

Grindar och transistorer Föreläsningsanteckningar Föreläsning 17 - Digitalteknik I boken: nns ej med Grindar och transistorer Vi ska kort beskriva lite om hur vi kan bygga upp olika typer av grindar med hjälp av transistorer.

Läs mer

Laboration: pn-övergången

Laboration: pn-övergången LTH: FASTA TILLSTÅNDETS FYSIK Komponentfysik för E Laboration: pn-övergången Utförd datum Inlämnad datum Grupp:... Laboranter:...... Godkänd datum Handledare: Retur Datum: Återinlämnad Datum: Kommentarer

Läs mer

Mätningar på transistorkopplingar

Mätningar på transistorkopplingar Ellab015A Mätningar på transistorkopplingar Namn Datum Handledarens sign. Laboration Varför denna laboration? Transistorn är en av de allra viktigaste komponenterna inom elektroniken. I den här laborationen

Läs mer

Föreläsning 4/11. Lite om logiska operationer. Hambley avsnitt 12.7, 14.1 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar)

Föreläsning 4/11. Lite om logiska operationer. Hambley avsnitt 12.7, 14.1 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar) 1 Föreläsning 4/11 Hambley avsnitt 12.7, 14.1 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar) Lite om logiska operationer Logiska variabler är storheter som kan anta två värden; sann 1 falsk 0 De logiska

Läs mer

Elektronik 2015 ESS010

Elektronik 2015 ESS010 Elektronik 2015 ESS010 Föreläsning 16 Halvledare PN-diod: likriktare Information inför tentamen Repetition 2015-10-21 Föreläsning 16, Elektronik 2015 1 USA Chicago Notre Dame New Orleans Tunneltransistorer

Läs mer

Videoförstärkare med bipolära transistorer

Videoförstärkare med bipolära transistorer Videoförstärkare med bipolära transistorer IE1202 Analog elektronik - Joel Nilsson joelni at kth.se Innehåll i 1 Första försöket 1 1.1 Beräkningar....................................... 1 1.1.1 Dimensionering

Läs mer

TSTE93 Analog konstruktion

TSTE93 Analog konstruktion Applikationsområde Audio (hemmasystem) Relativt hög effekt (> 10 W, < 100W) per kanal TSTE93 Analog konstruktion Audiosystem konsert och liknande Effekter upp till 1 kw Högtalare Lågohmiga (4 ohm eller

Läs mer

Komponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Varför Komponentfysik? Hålltider --- Ellära, Elektriska fält och potentialer

Komponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Varför Komponentfysik? Hålltider --- Ellära, Elektriska fält och potentialer Komponentfysik 2012 Introduktion Kursöversikt Varför Komponentfysik? Hålltider Ellära, Elektriska fält och potentialer 1 Lite om mig själv Erik Lind (Erik.Lind@eit.lth.se) Civ. Ing. i Teknisk Fysik Doktorerade

Läs mer

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 1 den 21 oktober 2008 klockan 8:00 13:00

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 1 den 21 oktober 2008 klockan 8:00 13:00 Tentamen i Elektronik, ESS00, del den oktober 008 klockan 8:00 :00 Tekniska Högskolan i Lund Institutionen för Elektrovetenskap Tentamen i Elektronik, ESS00, del den oktober 008 klockan 8:00 :00 Uppgifterna

Läs mer

Elektroteknikens grunder Laboration 3. OP-förstärkare

Elektroteknikens grunder Laboration 3. OP-förstärkare Elektroteknikens grunder Laboration 3 OPförstärkare Elektroteknikens grunder Laboration 3 Mål Du ska i denna laboration studera tre olika användningsområden för OPförstärkare. Den ska användas som komparator,

Läs mer

Induktiv beröringsfri närvarogivare/detektor med oscillator, (Proximity switch)

Induktiv beröringsfri närvarogivare/detektor med oscillator, (Proximity switch) Induktiv beröringsfri närvarogivare/detektor med oscillator, (Proximity switch) Om spolar och resonanskretsar Pot Core Såväl motstånd som kondensatorer kan vi oftast betrakta som ideala, det vill säga

Läs mer

Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2

Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2 Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2 Tid: kl 9.13. Måndagen den 16 augusti 21 Sal: O125 Hjälpmedel: formelsamling elektronik, formelsamling ellära samt valfri räknare. Maxpoäng: 3 Betyg: 12p3:a, 18p4:a

Läs mer

Förstärkning Large Signal Voltage Gain A VOL här uttryckt som 8.0 V/μV. Lägg märke till att förstärkningen är beroende av belastningsresistans.

Förstärkning Large Signal Voltage Gain A VOL här uttryckt som 8.0 V/μV. Lägg märke till att förstärkningen är beroende av belastningsresistans. Föreläsning 3 20071105 Lambda CEL205 Analoga System Genomgång av operationsförstärkarens egenskaper. Utdelat material: Några sidor ur datablad för LT1014 LT1013. Sidorna 1,2,3 och 8. Hela dokumentet (

Läs mer

SM Serien Strömförsörjning. Transistorn

SM Serien Strömförsörjning. Transistorn Transistorn Transistorn är en av de viktigaste uppfinningar som gjorts under modern tid. Utan denna skulle varken rymdfärder eller PC-datorer vara möjliga. Transistorn ingår som komponent i Integrerade

Läs mer

TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg

TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg Version 0.3 Mikael Olofsson Kent Palmkvist Prakash Harikumar 18 mars 2014 Laborant Personnummer Datum Godkänd 1 1 Introduktion I denna laboration kommer ni

Läs mer

4:8 Transistorn och transistorförstärkaren.

4:8 Transistorn och transistorförstärkaren. 4:8 Transistorn och transistorförstärkaren. Inledning I kapitlet om halvledare lärde vi oss att en P-ledare har positiva laddningsbärare, och en N-ledare har negativa laddningsbärare. Om vi sammanfogar

Läs mer

3.9. Övergångar... (forts: Halvledare i kontakt)

3.9. Övergångar... (forts: Halvledare i kontakt) 3.9. Övergångar... (forts: Halvledare i kontakt) [Understanding Physics: 20.9-20.12] Utjämningen av Ferminivåerna för två ledare i kontakt med varandra gäller också för två halvledare i kontakt med varandra.

Läs mer

Laboration N o 1 TRANSISTORER

Laboration N o 1 TRANSISTORER Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson 22/10 2004 Analog elektronik 2 Laboration N o 1 TRANSISTORER namn: datum: åtgärda: godkänd: Målsättning: Denna laboration

Läs mer

Bruksanvisning ELMA 21 LCR MULTIMETER / E:nr Göteborg 2003

Bruksanvisning ELMA 21 LCR MULTIMETER / E:nr Göteborg 2003 Bruksanvisning ELMA 21 LCR MULTIMETER 42.21 / E:nr 4203144 Göteborg 2003 1. Inledning Elma 21C är en multimeter som mäter spänning (V), Ström (A), Temperatur ( C), Kapacitet (F), Motstånd (Ω), Logiskt

Läs mer

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2 Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 2 Transistorn del 2 Jan Thim 1 F2: Transistorn del 2 Innehåll: Fälteffekttransistorn - JFET Karakteristikor och parametrar MOSFET Felsökning 2 1 Introduktion Fälteffekttransistorer

Läs mer

Föreläsning 8. MOS transistorn. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM

Föreläsning 8. MOS transistorn. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM Föreläsning 8 MOS transistorn Förstärkare med MOS transistorn t Exempel, enkel förstärkare med MOS IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM 1 Varför MOS transistorn Förstå en grundläggande komponent

Läs mer

Olika sätt att bygga förstärkare. Differentialförstärkaren (översikt) Strömspegeln. Till sist: Operationsförstärkaren

Olika sätt att bygga förstärkare. Differentialförstärkaren (översikt) Strömspegeln. Till sist: Operationsförstärkaren FÖRELÄSNING 12 Olika sätt att bygga förstärkare Differentialförstärkaren (översikt) Strömspegeln Till sist: Operationsförstärkaren Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik

Läs mer

FFY616. Halvledarteknik. Laboration 4 DIODER

FFY616. Halvledarteknik. Laboration 4 DIODER Halvledarteknik Laboration 4 DIODER Målet med denna laboration är att du skall lära dig hur olika typer av dioder fungerar och hur man kan använda dem Laborant: Godkänt den.. av. M. K. Friesel, I. Albinsson

Läs mer

F1:13. 2 minutersövningar 2010 F1:30 F1:22. För att inte förlora signal kan följade göras: Analog elektronik Bertil Larsson

F1:13. 2 minutersövningar 2010 F1:30 F1:22. För att inte förlora signal kan följade göras: Analog elektronik Bertil Larsson F1:13 2 minutersövningar 2010 Analog elektronik Bertil Larsson För att inte förlora signal kan följade göras: Kodning Generera sekvenser som kan lagas vid bortfall (digitalt) Använda mer bandbredd Öka

Läs mer

Antennförstärkare för UHF-bandet

Antennförstärkare för UHF-bandet Antennförstärkare för UHF-bandet Radioprojekt 2004 Elektrovetenskap, LTH Mats Rosborn Henrik Kinzel 27 Februari Referat Den här rapporten beskriver arbetet med konstruktion och utvärdering av en fungerande

Läs mer

Modifieringsförslag till Moody Boost

Modifieringsförslag till Moody Boost Modifieringsförslag till Moody Boost Moody Boost (MB) är en mycket enkel krets, en transistor och ett fåtal passiva komponenter- Trots det finns det flera justeringar som du kan göra för att få pedalen

Läs mer

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007.

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007. Tekniska Högskolan i Lund Institutionen för Elektrovetenskap Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007. Uppgifterna i tentamen ger totalt

Läs mer

Energiöverföring med resistor

Energiöverföring med resistor nergiöverföring med resistor n emk med en högre spänning kan ladda en annan emk 2 med en lägre spänning om man ansluter dem till varandra med en strömbegränsande resistor. > 2. I R 2 2 I = R Avgiven energi

Läs mer

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D Lars-Erik ederlöf Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ET 03 för D 000-03-3 Tentamen omfattar 40 poäng, poäng för varje uppgift. 0 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är räknedosa.

Läs mer

Batteri. Lampa. Strömbrytare. Tungelement. Motstånd. Potentiometer. Fotomotstånd. Kondensator. Lysdiod. Transistor. Motor. Mikrofon.

Batteri. Lampa. Strömbrytare. Tungelement. Motstånd. Potentiometer. Fotomotstånd. Kondensator. Lysdiod. Transistor. Motor. Mikrofon. Batteri Lampa Strömbrytare Tungelement Motstånd Potentiometer Fotomotstånd Kondensator Lysdiod Transistor Motor Mikrofon Högtalare Ampèremeter 1 1. Koppla upp kretsen. Se till att motorns plus och minuspol

Läs mer

Fysiska institutionen Department of Physics INSTRUKTION TILL LABORATIONEN

Fysiska institutionen Department of Physics INSTRUKTION TILL LABORATIONEN Fysiska institutionen Department of Physics INSTRUKTION TILL LABORATIONEN 2008-04-10 KONDENSATORFÖRSÖK ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Läs mer

TSTE93 Analog konstruktion

TSTE93 Analog konstruktion Komponentval Flera aspekter är viktiga Noggranhet TSTE9 Analog konstruktion Fysisk storlek Tillgänglighet Pris Begränsningar pga budget Föreläsning 5 Kapacitanstyper Kent Palmkvist Resistansvärden ES,

Läs mer

Tentamen på elläradelen i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET

Tentamen på elläradelen i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET Lars-Erik Cederlöf Tentamen på elläradelen i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET1013 2012-05-04 Del Tentamen omfattar 33 poäng. För godkänd tentamen krävs 16 poäng. Tillåtna hjälpmedel är räknedosa

Läs mer

Tentamen på del 1 i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET

Tentamen på del 1 i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET Lars-Erik Cederlöf Tentamen på del i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET020 204-08-22 Del Tentamen omfattar 33 poäng. För godkänd tentamen krävs 6 poäng. Tillåtna hjälpmedel är räknedosa samt

Läs mer

LABORATIONSINSTRUKTION. Mätning på dioder och transistorer

LABORATIONSINSTRUKTION. Mätning på dioder och transistorer Lars-Erik Cederlöf LABORATIONSINSTRUKTION LABORATION Mätning på dioder och transistorer KURS Elektronik grundkurs LAB NR 4 INNEHÅLL Data om dioden 1N4148 Kontroll av diod Diodens karaktäristik Data om

Läs mer

Tentamen i Krets- och mätteknik, fk - ETEF15

Tentamen i Krets- och mätteknik, fk - ETEF15 Tentamen i Krets- och mätteknik, fk - ETEF15 Institutionen för elektro- och informationsteknik LTH, Lund University 2013-10-25 8.00-13.00 Uppgifterna i tentamen ger totalt 60. Uppgifterna är inte ordnade

Läs mer

Beskrivning elektronikkrets NOT vatten

Beskrivning elektronikkrets NOT vatten Beskrivning elektronikkrets NOT vatten Kretsen som ingår i uppgiften är en typ av rinnande ljus. Den fungerar så att lysdioderna kommer att tändas en efter en beroende på hur mycket spänning som alstras

Läs mer

Varvtalsstyrning av likströmsmotorer

Varvtalsstyrning av likströmsmotorer Varvtalstyrning av likströmsmotorer Föreläsning 6 Kap 3.6 Grundkretsar med transistorer, avsnitt Transistorn som switch sid 3-42. Kap. 7.6 Kraftelektronik avsnitten Systemuppbyggnad sid 7-36, Likspänningsomvandlare

Läs mer

TSTE05 Elektronik och mätteknik ISY-lab 3: Enkla förstärkarsteg

TSTE05 Elektronik och mätteknik ISY-lab 3: Enkla förstärkarsteg TSTE05 Elektronik och mätteknik ISY-lab 3: Enkla förstärkarsteg Mikael Olofsson Kent Palmkvist 30 november 2017 Laborant Personnummer Datum Godkänd 1 1 Introduktion I denna laboration kommer du att studera

Läs mer

VÄXELSTRÖM SPÄNNINGSDELNING

VÄXELSTRÖM SPÄNNINGSDELNING UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Agneta Bränberg 1996-06-12 VÄXELSTRÖM SPÄNNINGSDELNING Laboration E10 ELEKTRO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): Rättningsdatum Kommentarer

Läs mer

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D Lars-Erik Cederlöf Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 03 för D 2000-05-03 Tentamen omfattar 40 poäng, 2 poäng för varje uppgift. 20 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är

Läs mer

Tentamen på del 1 i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET

Tentamen på del 1 i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET Lars-Erik Cederlöf Tentamen på del i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET020 204-04-24 Del A Tentamen omfattar 33 poäng. För godkänd tentamen krävs 6 poäng. Tillåtna hjälpmedel är räknedosa samt

Läs mer

Spolen och Kondensatorn motverkar förändringar

Spolen och Kondensatorn motverkar förändringar Spolen och Kondensatorn motverkar förändringar Spolen och kondensatorn motverkar förändringar, tex vid inkoppling eller urkoppling av en källa till en krets. Hur går det då om källan avger en sinusformad

Läs mer

Problem Vågrörelselära & Kvantfysik, FK november Givet:

Problem Vågrörelselära & Kvantfysik, FK november Givet: Räkneövning 3 Vågrörelselära & Kvantfysik, FK2002 29 november 2011 Problem 16.5 Givet: En jordbävning orsakar olika typer av seismiska vågor, bland annat; P- vågor (longitudinella primär-vågor) med våghastighet

Läs mer

Emtithal Majeed, Örbyhus skola, Örbyhus www.lektion.se

Emtithal Majeed, Örbyhus skola, Örbyhus www.lektion.se Emtithal Majeed, Örbyhus skola, Örbyhus www.lektion.se * Skillnader mellan radiorör och halvledarkomponenter 1.Halvledarkomponenter är mycket mindre I storlek 2.De är mycket tåliga för slag och stötar

Läs mer

Vad är elektricitet?

Vad är elektricitet? Vad är elektricitet? Vad är elektricitet? Grundämnenas elektriska egenskaper avgörs av antalet elektroner i det yttersta skalet - valenselektronerna! Skol-modellen av en Kiselatom. Kisel med atomnumret

Läs mer

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen oktober 2006

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen oktober 2006 (2) 9 oktober 2006 Institutionen för elektrovetenskap Daniel Sjöberg ETE5 Ellära och elektronik, tentamen oktober 2006 Tillåtna hjälpmedel: formelsamling i kretsteori. Observera att uppgifterna inte är

Läs mer

Tentamen på elläradelen i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET

Tentamen på elläradelen i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET Lars-Erik Cederlöf Tentamen på elläradelen i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET1013 2012-03-27 Del Tentamen omfattar 33 poäng. För godkänd tentamen krävs 16 poäng. Tillåtna hjälpmedel är räknedosa

Läs mer

1 Grundläggande Ellära

1 Grundläggande Ellära 1 Grundläggande Ellära 1.1 Elektriska begrepp 1.1.1 Ange för nedanstående figur om de markerade delarna av kretsen är en nod, gren, maska eller slinga. 1.2 Kretslagar 1.2.1 Beräknar spänningarna U 1 och

Läs mer

Tentamen i Elektronik för E, 8 januari 2010

Tentamen i Elektronik för E, 8 januari 2010 Tentamen i Elektronik för E, 8 januari 200 Tillåtna hjälpmedel: Formelsamling i kretsteori Tvåpol C A I V Du har tillgång till en multimeter som kan ställas in som voltmeter eller amperemeter. Voltmeter

Läs mer

Hambley avsnitt

Hambley avsnitt Föreläsning Hambley avsnitt 6.6.8 Filter [6.2, 6.5 6.8] Nästan all trådlös och trådbunden kommunikation är baserad på tidsharmoniska signaler. Signalerna utnyttjar ett frekvensband centrerad kring en bärfrekvens.

Läs mer

Elektronik. MOS-transistorn. Översikt. Då och nu. MOS-teknologi. Lite historik nmosfet Arbetsområden pmosfet CMOS-inverterare NOR- och NAND-grindar

Elektronik. MOS-transistorn. Översikt. Då och nu. MOS-teknologi. Lite historik nmosfet Arbetsområden pmosfet CMOS-inverterare NOR- och NAND-grindar Översikt Pietro Andreani Institutionen för elektro- och informationsteknik unds universitet ite historik nmofet Arbetsområden pmofet CMO-inverterare NOR- och NAN-grindar MO-teknologi å och nu Metal-e-silicon

Läs mer

Bygg en entransistors Booster till datorn eller MP3-spelaren

Bygg en entransistors Booster till datorn eller MP3-spelaren Bygg en entransistors Booster till datorn eller MP3-spelaren De högtalare som levereras till datorerna har oftast högst mediokra data. Men genom att kombinera lite enkel teknik från elektronikens barndom

Läs mer

Ingång Utgång - anslutningstyp Specifikationer Mätområde (1) AC (växelström) DC (likström) Spänning. ström 10 V AC 0.1 V AC

Ingång Utgång - anslutningstyp Specifikationer Mätområde (1) AC (växelström) DC (likström) Spänning. ström 10 V AC 0.1 V AC ATT VÄLJA RÄTT STRÖMTÅNG Genom att svara på dessa frågor kan du enkelt välja en tång för din applikation: 1- Är det en mätning av AC eller DC (DC tänger skrivs som AC/DC tänger eftersom de mäter båda marna).

Läs mer

Varvtalsstyrning av likströmsmotorer

Varvtalsstyrning av likströmsmotorer Varvtalstyrning av likströmsmotorer Föreläsning 6 Kap 3.6 Grundkretsar med transistorer, avsnitt Transistorn som switch sid 3-42. Kap. 7.6 Kraftelektronik avsnitten Systemuppbyggnad sid 7-36, Likspänningsomvandlare

Läs mer

Effektförstärkare Klass B för 900 MHz

Effektförstärkare Klass B för 900 MHz Effektförstärkare Klass B för 900 MHz Radioprojekt 2004 Institutionen för Elektrovetenskap Lunds Tekniska Högskola Daniel Ottosén Anders Nelénius Innehållsförteckning Innehållsförteckning...1 1 Abstract...2

Läs mer

3.8. Halvledare. [Understanding Physics: 20.8-20.11] Den moderna fysikens grunder, Tom Sundius 2009 1

3.8. Halvledare. [Understanding Physics: 20.8-20.11] Den moderna fysikens grunder, Tom Sundius 2009 1 3.8. Halvledare [Understanding Physics: 20.8-20.11] Som framgår av fig. 20.27, kan energigapet i en halvledare uttryckas E g = E c E v, där E c är den lägsta energin i ledningsbandet och E v den högsta

Läs mer

Tentamen i Elektronik grundkurs ETA007 för E1 och D

Tentamen i Elektronik grundkurs ETA007 för E1 och D Lars-Erik Cederlöf Tentamen i Elektronik grundkurs ETA007 för E och D 006-0-3 Tentamen omfattar poäng. 3 poäng per uppgift. 0 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är räknedosa. För full poäng

Läs mer