I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn.
|
|
- Lina Fransson
- för 6 år sedan
- Visningar:
Transkript
1 Komponentfysik Övning 4 VT-10 Utredande uppgifter: I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn. II: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. III: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod? IV: Definiera övergångsfrekvensen och beskriv vilka parametrar som påverkar den. Vilken av dessa parametrar har störst påverkan på övergångsfrekvensen. V: Rita följande diagram för en npn-transistor: a) Kollektorströmmen som funktion av spänningen mellan bas och emitter. b) Kollektorströmmen som funktion av spänningen mellan kollektor och emitter för olika spänningar mellan bas och emitter (= olika basströmmar). Beräkningsuppgifter: 1: Betrakta en bipolär npn-transistor av kisel med en emitterarea på 10x10 μm 2. Basen är dopad med N A =1, m -3 med en utsträckning W B =1,0 μm. Strömförstärkningen ß=300, kollektorn är dopad med N D =1, m -3 och en utsträckning W C =10,0μm. Emittern är dopad med N D =1, m -3. a) Beräkna utsträckningen av emittern, W E. b) För att minska basresistansen i transistorn ökas dopningskoncentrationen i basen med en faktor 5. Hur stor blir strömförstärkningen i detta fall? c) Hur stor är basresistansen i (a) och (b)? d) För att bibehålla förstärkningen från (a) med dopningen i (b) kan man ändra t.ex. utsträckningen av emittern. Beräkna utsträckningen på emittern i detta fall. e) Vad är mekanismen bakom den ändrade förstärkningen i (d) jämfört med (b)? 2: Om man gör en pnp-transistor med motsvarande geometri och dopning som i uppgift 1(a). Hur stor är förstärkningen nu? Vad beror eventuella skillnader på? 3: Om man råkar koppla transistorn i uppgift 1(a) fel så att man har blandat ihop emitter och kollektor. Hur stor är strömförstärkningen i detta fall? 4: En npn-transistor har en strömförstärkning, ß=450. Vilken operationsmod arbetar den i om den är kopplad med gemensam emitter om: a) U BE = 0,7V och U CE =5,2V? b) U BE = 0,7V och U CE =0,2V? c) U BE = 0,8V och U BC =0,3V? d) U BE = 0,8V och U BC =-0,7V? e) U BE = -0,8V och U BC =0,7V? f) U BE = -0,1V och U BC =-10V? g) I C = 455mA och I B =1mA? h) I C = 455mA och I E =502mA? Uppdaterad: Anders Gustafsson
2 Komponentfysik Övning 4 VT-10 5: Betrakta en bipolär npn-transistor av kisel med en emitterarea på 1,0x1,0 mm 2. Basen är dopad med N A = 1, m -3 med en utsträckning på W B =1,0 μm. Kollektorn är dopad med N D = 1, m -3 med en utsträckning på W C =3,0μm. Dopningskoncentrationen i emittern är N D = 1, m -3 och W E =2,0 μm för emittern. U BE =0,65V och U BC = - 4,0V. a) Beräkna emitter-, bas- och kollektorströmmarna. b) Beräkna förstärkningen (). c) Beräkna diffusionskapacitansen i emitter-basövergången. d) Beräkna den inbyggda spänningen i emitter-basövergången. e) Beräkna utsträckningen av emitter-basövergången. f) Beräkna utarmningskapacitansen i emitter-basövergången. g) Beräkna den inbyggda spänningen i kollektor-basövergången. h) Beräkna utsträckningen av kollektor-basövergången. i) Beräkna utarmningskapacitansen i kollektor-basövergången. j) Beräkna den totala kapacitansen, d.v.s. summan av alla kapacitanser. k) Bestäm transkonduktansen. l) Hur stor är övergångsfrekvensen på transistorn? m) Hur beror övergångsfrekvensen på arean för givna spänningar, U BE och U BC? Uppdaterad: Anders Gustafsson
3 Facit till Övning 4 1: a) W E = 1,0 μm b) ß = 60 ggr c) R B = 4,6k respektive 0,9 k d) W E = 5,0 μm e) Basströmmen beror på hål som injiceras i emittern från basen och hur stor diffusionsströmmen p.g.a. dessa hål är. Den strömmen beror på emitterns utsträckning, W E, där en kortare emitter ger en större gradient och en högre ström. Kollektorströmmen beror på elektroner som injiceras i basen från emittern. P.s.s. styrs den av basens utsträckning, W B. 2: ß = 33 ggr Ett av bidragen till förstärkningen i transistorn är kvoten mellan rörligheterna för minoritetsladdningsbärarna i basen och emittern. Normalt är rörligheten högre för elektroner än för hål (3 ggr i exemplet med kisel). Om det är det enda som skiljer transistorerna åt är skillnaden i dopningstyp så ändras förstärkning med kvadraten på kvoten mellan rörligheterna. I exemplet ger det en 9 ggr mindre förstärkning för pnp-transistorn jämfört med npn-transistorn. 3: ß = 3 ggr 4: a) Aktiv mod. b) Bottnad mod. c) Bottnad mod. d) Aktiv mod. e) Inverterad mod. f) Strypt mod. g) Aktiv mod. h) Bottnad mod. 5: a) I B = 0,74 ma, I C = 44 ma och I E = 45 ma b) ß = 60 ggr c) C diff = 0,25 nf d) U bibe = 0,89 V e) d totbe = 62 nm f) C je = 1,7 nf g) U bibc = 0,78 V h) d totbc = 0,87μm i) C je = 0,12 nf j) C tot = 2,0 nf k) g m = 1,7 A/V l) f t = 130 MHz m) Oberoende av arean Anders Gustafsson 3 (11) Uppdaterad
4 I Det finns i huvudsak två flöden av laddningsbärare i en bipolär npn-transistor. Dels rör sig elektroner från emittern till kollektorn och dels rör sig hål från basen till emittern. I kollektorn har vi en elektronström som beror på ett svagt elektriskt fält eftersom en liten del av U BC ligger över den neutrala delen av kollektorn. Det är en driftström. Motsvarande (drift-)hålström i kollektorn är försumbar eftersom p << n. I basen har vi en elektronström som beror på en koncentrationsgradient p.g.a. injektionen av elektroner från emittern, en diffusionsström. Vi har också en hålström orsakad av ett svagt elektriskt fält, en driftström. Motsvarande (drift-)elektronström är försumbar. I emittern har vi en elektronström som beror på ett svagt elektriskt fält, en driftström. Motsvarande (drift-)hålström är försumbar Vi har också en hålström orsakad av en koncentrationsgradient p.g.a. injektionen av hål från basen, en diffusionsström. II I normal arbetsmod är bas-emitterövergången framspänd och bas-kollektorövergången backspänd. Basströmmen består av hål som injiceras från basen till emittern. Kollektorströmmen består av elektroner som injiceras i basen från emittern och som sedan tar sig över till kollektorn. I inverterad arbetsmod är bas-emitterövergången backspänd och bas-kollektorövergången framspänd. Basströmmen består av hål som injiceras från basen till kollektorn. Emitterströmmen består av elektroner som injiceras i basen från kollektorn och som sen tar sig över till emittern. I strypt arbetsmod är bas-emitterövergången backspänd och bas-kollektorövergången backspänd. Eftersom båda övergångarna är backspända så går det i princip inga strömmar, bara backströmmar. I bottnad arbetsmod är både bas-emitterövergången och bas-kollektorövergången framspända. Basströmmen består av hål som injiceras från basen till emittern och till kollektorn. Elektronströmmen är lite mer komplicerad. Dels injiceras elektroner från emitter till bas och dels injiceras elektroner från kollektor till emitter. Beroenden på vilken av övergångarna som är mest framspänd så kommer nettoeffekten att vara elektroner att röra från emitter till kollektor (U BE >U BC ) eller i motsatt riktning (U BE <U BC ). Vid exakt lika stor framspänning går det ingen elektronström alls. III Strömförstärkningen i normal mod för en npn-transistor ges av tre parametrar, eller närmare bestämt kvoter mellan tre parametrar: i) Materialparametrarna kvoten mellan elektronrörligheten i basen och hålrörligheten i emittern. ii) Geometrin kvoten mellan utsträckningen på emittern och utsträckningen på basen. iii) Dopningskoncentrationerna Kvoten mellan dopningskoncentrationen i emittern och dopningskoncentrationen i basen. IV Övergångsfrekvensen är den frekvens när en transistor, med kortsluten utgång ger en förstärkning på ett. Under den frekvensen så är förstärkningen större än ett och över den frekvensen är förstärkningen mindre än ett, d.v.s. en förminskning. Det är alltså frekvens där man går från att ha en förstärkning till att ha en förminskning av signalen. Övergångsfrekvensen beror i huvudsak på summan av de tre kapacitanserna i transistorn (ju större kapacitans desto lägre övergångsfrekvens) och kollektorströmmen (ju högre ström desto högre övergångsfrekvens). Normalt är det diffusionskapacitansen i den framspända basemitterövergången som är den största av de tre. Eftersom diffusionskapacitansen skalar linjärt med kollektorströmmen, så är övergångsfrekvensen i det närmaste oberoende av kollektorströmmen. Anders Gustafsson 4 (11) Uppdaterad
5 V: Kollektorströmmen som funktion av spänningen mellan bas och emitter: b) Kollektorströmmen som funktion av spänningen mellan kollektor och emitter för olika spänningar mellan bas och emitter. Anders Gustafsson 5 (11) Uppdaterad
6 1a) Förstärkningen i en npn-transistorn ges av diffusionskonstanterna för minoritetsladdningsbärarna i emittern och i basen, dopningskoncentrationerna i bas och emitter och utsträckningen på bas och emitter: = μ n N D E W E. För att få fram μ p N AB W B utsträckningen på emittern ur givna data måste vi skriva om formeln lite: W E = μ p N A B W B. μ n N DE Vilket ger: W E = 300 0, , = 1, m = 1,0 μm A=10x10 μm 2 = m 2 L=B=10 μm=1,010-5 m N DE =1, m -3 N AB =1, m -3 N DC =1, m -3 W B =1,0 μm= 1,010-6 m W C =10,0μm= 1,010-5 m μ p =0,135 m 2 /Vs μ n =0,045 m 2 /Vs ß=300 ggr U t =0,0259 V e = 1, As b) Om vi ökar dopningskoncentrationen i basen med en faktor fem kan vi använda ursprungsformeln för förstärkningen, vilket ger: = 0, , = 60 ggr D.v.s. förstärkningen är en femtedel. c) Resistansen vi är ute efter är för basströmmen, som i en npn-transistor består uteslutande av hålström. Det ger en resistans på: L R B = 3 W B B e μ p N AB I ursprungsfallet N AB = ( m 3 ) ger det: R B = , , = 4, = 4,6 k I det modifierade fallet N AB = ( m 3 ) ger det: R B = , , = 9, = 0,9 k Som förväntat har den femdubblade dopningskoncentrationen resulterat i en femtedel av basresistansen. d) Den nya utsträckningen på emittern ges på samma sätt som i (a), men med en högre dopningskoncentration i basen: W E = 300 0, , = 5, m = 5,0 μm Anders Gustafsson 6 (11) Uppdaterad
7 e) Basströmmen beror på hål som injiceras i emittern från basen och hur stor diffusionsströmmen p.g.a. dessa hål är. Basströmmen beror på emitterns utsträckning, W E, där en kortare emitter ger en större gradient och en högre ström. Kollektorströmmen beror på elektroner som injiceras i basen från emittern. P.s.s. beror den på koncentrationsgradienten av elektroner i basen, vilket ger upphov till en diffusionsström, vars storlek beror på basens utsträckning, W B : Om man gör en pnp-transistor med motsvarande geometri och dopning som i uppgift 1(a) måste vi skriva om formeln för förstärkningen. Vi behöver byta typ av dopning och framför allt byta typ av rörligheter: pnp = μ p N A E W E μ n N DB W B pnp = 0, , = 33,3333 = 33 ggr W B =1,0 μm= 1,010-6 m W E =2,5 μm= 2,510-6 m N DB =1, m -3 N AE =1, m -3 μ p =0,045 m 2 /Vs μ n =0,135 m 2 /Vs Att jämföra med 300 ggr för motsvarande npn-transistor. Ett av bidragen till förstärkningen i transistorn är kvoten mellan rörligheterna för minoritets laddningsbärarna i basen och emittern. Normalt är rörligheten högre för elektroner än för hål (3 ggr i exemplet med kisel). Om det är det enda som skiljer transistorerna åt är skillnaden i förstärkning kvadraten på kvoten. I exemplet ger det en 9 ggr lägre förstärkning för pnp-transistorn jämfört med npn-transistorn : Om man råkar koppla transistorn i uppgift 1(a) fel så att man har blandat ihop emitter och kollektor får vi också modifiera formeln för förstärkningen. Nu behöver vi byta ut allt som har med emittern att göra mot det som har med kollektorn att göra: felvänd = μ n N D C W C μ p N AB W B = 0, , = 3 ggr W B = 1,0 μm = 1,010-6 m W C = 10μm = 1,010-5 m μ n = 0,135 m 2 /Vs μ p = 0,045 m 2 /Vs N AB = 1, m -3 N DC = 1, m -3 Strömförstärkningen räddas av att kollektorn är längre än emittern (x10) och att elektroner är mer lättrörliga än hål (x3) trots att dopningskoncentrationerna förstör förstärkningen (/10) Anders Gustafsson 7 (11) Uppdaterad
8 4: En npn-transistor jobbar i fyra moder: Aktiv mod Bas-emitterövergången är framspänd (U BE > 0) och bas-kollektorövergången är backspänd (U BC < 0). Hål flyter från basen till emittern och ger en basström från bas till emitter, elektroner flyter från emittern till basen till kollektorn och ger en kollektorström från kollektorn till basen. Kollektorströmmen adderas till basströmmen i emittern och ger en emitterström ut ur emittern. Inverterad mod Bas-emitterövergången är backspänd och bas-kollektorövergången är framspänd. Hål flyter från basen till kollektor och ger en basström från bas till kollektor, elektroner flyter från kollektorn till basen till emittern och ger en emitterström från emittern till basen. Emitterströmmen adderas till basströmmen i kollektorn och ger en kollektorrström ut ur kollektorn. Strömmen går alltså från emitter till kollektor, vilket är i fel riktning. Strömförstärkningen är generellt sämre i den här moden. Bottnad mod Bas-emitterövergången och bas-kollektorövergången är båda framspända. Hål flyter från basen till emittern och till kollektorn och ger en basström från bas till emitter och en basström från bas till kollektorn. Det gör att basströmmen är högre än i den aktiva moden. Beroende på vilken av övergångarna som är mest framspänd kommer riktingen på elektronströmmen att gå från kollektor till emitter (U BE > U BC ) eller från emitter till kollektor (U BE > U BC ). Strypt mod Bas-emitterövergången och bas-kollektorövergången är båda backspända. I princip flyter inga strömmar mer än backströmmar. Definition av strömriktningar: I B positiv in i basen från baskontakten. I C positiv in i kollektorn från kollektorkontakten. I E positiv ut ur emittern till emitterkontakten. Dessutom är U BC = U BE - U CE a) U BE = 0,7V och U CE =5,2V=> U BC =-4,5V Bas-emitter framspänd och bas-kollektor backspänd => Aktiv mod. b) U BE = 0,7V och U CE =0,2V=> U BC =0,5V Bas-emitter och bas-kollektor framspänd => Bottnad mod. c) U BE = 0,8V och U BC =0,3V Bas-emitter och bas-kollektor framspänd => Bottnad mod. d) U BE = 0,8V och U BC =-0,7V Bas-emitter framspänd och bas-kollektor backspänd => Aktiv mod. e) U BE = -0,8V och U BC =0,7V Bas-emitter backspänd och bas-kollektor framspänd => Inverterad mod. f) U BE = -0,1V och V BC =-10V Bas-emitter backspänd och bas-kollektor backspänd => Strypt mod. g) I C = 455mA och I B =1mA Kollektorströmmen stämmer väl överens med förstärkningen, d.v.s. transistorn jobbar i Aktiv mod. h) I C = 455mA och I E =502mA => I B =47mA. Kollektorströmmen är långt ifrån vad vi kan förvänta med förstärkningen 450. Vi hade förväntat oss en kollektorström på 4500,047 = 21 A. Alternativt så borde basströmmen vara 1mA för den givna kollektorströmmen. Transistorn är därför i Bottnad mod Anders Gustafsson 8 (11) Uppdaterad
9 5a) Basströmmen i en npn-transistor ges av: I B = e A U t μ p n i 2 W E N DE e U BE U t 0,0259 I B = 1, ,0259 0, e 0, = 7, A = 0,74 ma Kollektorströmmen ges av: I C = e A U t μ n n i 2 W B N AB e U BE U t 0,0259 I C = 1, ,0259 0, e 0, = 4, A = 44 ma U BE =0,65 V U BC =-4,0 V A=1,0x1,0 mm 2 =110-6 m 2 L=B=10 μm=1,010-5 m W E =2,0μm= 2,010-6 m W B =1,0 μm= 1,010-6 m W C =3,0μm= 3,010-6 m N AB =1, m -3 N DC =1, m -3 N DE =1, m -3 μ n =0,135 m 2 /Vs μ p =0,045 m 2 /Vs U t =0,0259 V r =11,8 0 =8, F/m e =1, As n i = m -3 Emitterströmmen ges av: I E = I B + I C = 0, = 45,16 = 45 ma b) DC-förstärkningen () ges av: = I C = μ n N D E W E I B μ p N AB W B Alternativ 1: = 44,4 44 = 60,000 ggr eller = 0,740 0,74 strömmarna från (a). = 59,456 ggr, beroende på hur noga vi anger värdet på Alternativ 2: = 0, , = 60 ggr Alternativ 2 ger ett bättre resultat eftersom vi inte använder oss av avrundade värden på strömmarna. c) Diffusionskapacitansen i bas-emitterövergången ges av: C diff = I 2 C 2 U W B t 2 μ n 6 ( ) 2 44, C diff = 0, ,135 =2, F = 0,25 nf d) Den inbyggda spänningen i bas-emitterövergången ges av: U bibe = U t ln N A B N D E 2 n i Anders Gustafsson 9 (11) Uppdaterad
10 U bibe = 0,0259 ln = 0,89455 = 0,89 V e) Utsträckningen av emitter-basövergången, som i princip är en n + p-övergång ges av: d pbe = 2 r 0 (U bibe U BE ) e N AB d pbe = 211,8 8, (0,894 0,65) 1, = 5, m = 56 nm Eftersom N AB bara är 10 gånger mindre än N DE är inte d n BE försumbar utan: d n BE = N A B N DE d pbe d n BE = ,46 = 5,6 nm 110 d totbe = d n BE + d pbe = 56,46 + 5,64 = 62,112 = 62 nm f) Utarmningskapacitansen i bas emitterövergången ges av dielektricitetskonstanten, arean och utarmningsområdets utsträckning: C je = r 0 A d tot BE. C je = 11,8 8, , = 1, F = 1,7 nf g) Den inbyggda spänningen i bas-kollektorövergången ges på samma sätt som i (d) av dopningskoncentrationerna: U bibc = U t ln N A B N DC 2 n i U bibc = 0,0259 ln = 0,7752 = 0,78 V h) Utsträckningen av bas-kollektorövergången ges på samma sätt som i (e), med den skillnaden att det nu handlar om en p + n-övergång som är backspänd: d n BC = ( ) 1, = 7, m = 0,79 μm 211,8 8, (0,775 4,0 EftersomN AB bara är 10 gånger större än N DC är inte d pbc försumbar utan: d pbc = N D C d N A n BC = ,789 = 0,0789 μm = 79 nm B 110 d totbc = d pbc + d nbc = 0, ,0789 = 0,867 = 0,87 μm Anders Gustafsson 10 (11) Uppdaterad
11 i) Utarmningskapacitansen i bas-kollektorövergången ges på samma sätt som i (f) C jc = 11,8 8, , = 1, F = 0,12 nf j) Om man kortsluter utgången så hamnar alla tre kapacitanserna parallellt. Kapacitansen för parallellkopplade kondensatorer ges av summan av kapacitanserna. Den totala kapacitansen med kortsluten utgång ges därför av summan av de tre kapacitanserna: C tot = C diff + C jbe + C jbc. C tot = 0, , , = 2, F = 2,0 nf k) Transkonduktansen talar om hur mycket utströmmen (I C ) ändras när inspänningen ändras, d.v.s. det är derivatan på kollektorströmmen med avseende på bas-emitterspänningen, som ges av: g m = I C U t g m = 4, = 1,7150 A/V= 1,7 A/V 0,0259 l) Övergångsfrekvensen, f t, på en transistor definieras som den frekvens där man vid kortsluten utgång har en strömförstärkning på 1. Under den frekvensen har man förstärkning och över den frekvensen har man dämpning av inströmmen. Den ges av: g m f t = 2( C je + C jc + C diff ) 1,715 f t = 2( 24, ,131+12,030 )110 9 = 1, Hz = 130 MHz m) Övergångsfrekvensen har fyra komponenter i sig, tre kapacitanser och transkonduktansen. Hur ändras då dessa med arean? Transkonduktansen beror linjärt på kollektorströmmen, som skalar linjärt med arean för en given bas-emitterspänning. Utarmningskapacitanserna skalar linjärt med arean. Diffusionskapacitansen beror linjärt på strömmen som enligt ovan skalar linjärt med arean. Det betyder att både täljaren och nämnaren skalar linjärt med arean och resultatet är att övergångsfrekvensen är oberoende av arean för givna spänningar på transistorn. Anders Gustafsson 11 (11) Uppdaterad
Utredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod?
Komponentfysik Uppgifter Bipolärtransistor VT-15 Utredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod? III: Definiera övergångsfrekvensen
Läs merTentamen i Komponentfysik ESS030, ETI240/0601 och FFF090
011-01-10 08 00-13 00 Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI40/0601 och FFF090 Hjälpmedel: TEFYMA, ordlista, beteckningslista, formelsamlingar och räknare. Max 5p, för godkänt krävs 10p. Om inget annat
Läs merFöreläsning 9 Bipolära Transistorer II
Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II Funktion bipolär transistor Småsignal-modell Hybrid-p 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Optokomponenter pn-övergång:
Läs merKomponentfysik ESS030. Den bipolära transistorn
Komponentfysik ESS030 Den bipolära transistorn T- 2016 Syfte Syftet med denna laboration är att studenten ska bekanta sig med den grundläggande fysiken i en bipolär transistor. Det fundamentala byggblocket
Läs merOm inget annat anges så gäller det kisel och rumstemperatur (300K)
Komponentfysik Övning 3 VT-0 Om inget annat anges så gäller det kisel och rumstemperatur (300K) Utredande uppgifter: I: En diod har två typer av kapacitanser, utarmningskapacitans och diffusionskapacitans.
Läs merFöreläsning 12 Bipolära Transistorer II. Funk<on bipolär transistor
Föreläsning 1 Bipolära Transistorer II Funk
Läs merOm inget annat anges så gäller det kisel och rumstemperatur (300K)
Komponentfysik Uppgifter pn del VT-15 Om inget annat anges så gäller det kisel och rumstemperatur (300K Utredande uppgifter: I: En diod har två typer av kapacitanser, utarmningskapacitans och diffusionskapacitans.
Läs merBeskrivande uppgifter: I: Vad skiljer det linjära området och mättnadsområdet i termer av inversionskanal?
Komponentfysik Övningsuppgifter MOS del II VT-5 Beskrivande uppgifter: I: Vad skiljer det linjära området och mättnadsområdet i termer av inversionskanal? II: Vad skiljer en n-mosfet från en p-mosfet när
Läs merFormelsamling för komponentfysik. eller I = G U = σ A U L Småsignalresistans: R = du di. där: σ = 1 ρ ; = N D + p n 0
Uppdaterad: 01-05-5 Anders Gustafsson Formelsamling för komponentfysik Halvledare och Ström (transport) Kapacitans: C = Q Småsignalkapacitans: C = dq U du Plattkondensator: C = A ε r ε r d Parallellkoppling:
Läs merFormelsamling för komponentfysik
Uppdaterad: 010-01-18 Anders Gustafsson Formelsamling för komponentfysik Halvledare och Ström (transport) Kapacitans: C = Q Småsignalkapacitans: C = dq U du Plattkondensator: C = A r r d Parallellkoppling:
Läs merUtredande uppgifter. 2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de tre fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen.
Komponentfysik Övning VT-10 Utredande uppgifter Ia) Rita skisser med nettoladdning, elektriskt fält och bandstruktur för en symmetrisk pn-övergång. b) Rita motsvarande skisser som i (a), men med en pålagd
Läs merFöreläsning 11 Bipolära Transistorer I. BJT Bipolar JuncDon Transistor. FunkDon bipolär transistor. DC operadon, strömförstärkning
Föreläsning 11 ipolära ransistorer J ipolar JuncDon ransistor FunkDon bipolär transistor Geometri npn D operadon, strömförstärkning OperaDonsmoder Early- effekten pnp transistor G. alla 1 deal transistor
Läs merTentamen i komponentfysik
Tentame komponentfysik 009-05-8 08 00-13 00 Hjälpmedel: TEFYMA, ordlista, beteckningslista, formelsamlingar och räknare. Max 5p, för godkänt krävs 10p. Om inget annat anges, så antag att det är kisel (Si),
Läs merOm inget annan anges gäller det rumstemperatur, d.v.s. T =300K, termisk jämvikt och värden som inte ges i uppgiften hämtas från formelsamlingen.
Komponentfysik Övning 1 VT-10 Om inget annan anges gäller det rumstemperatur, d.v.s. T =300K, termisk jämvikt och värden som inte ges i uppgiften hämtas från formelsamlingen. Utredande frågor: I Definiera
Läs mer2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de två fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen.
Komponentfysik Uppgifter pn del 1 VT-15 Utredande uppgifter Ia) Rita skisser med nettoladdning, elektriskt fält och bandstruktur för en symmetrisk pn-övergång. b) Rita motsvarande skisser som i a), men
Läs merFöreläsning 9 Bipolära Transistorer II
Föreläsning 9 ipolära Transistorer Funktion bipolär transistor Småsignal-modell Hybrid-p Designparametrar 1 Komponentfysik - Kursöversikt ipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Optokomponenter
Läs merLösningar Tenta
Lösningar Tenta 110525 1) a) Driftström: Elektriskt laddade partiklar (elektroner och hål) rör sig i ett elektriskt fält. Detta ger upphov till en ström som följer ohms lag. Diffusion: Elektroner / hål
Läs merIntroduktion till halvledarteknik
Introduktion till halvledarteknik Innehåll 7 Fälteffekttransistorer MOS-transistorn strömekvation MOS-transistorn kanal mobilitet Substrat bias effekt 7 Bipolar transistorn Introduktion Minoritets bärare
Läs merTentamen i komponentfysik Halvledare 6,0p. 2. Dioder 7,5p.
Tentamen i komponentfysik 2010-05-31 08 00-13 00 Hjälpmeel: TEFYMA, orlista, beteckningslista, formelsamlingar och räknare. Max 25p, för gokänt resultat krävs 10p. Om inget annat anges, antag att et är
Läs merMoment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 1 Transistorn del 1
Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 1 Transistorn del 1 Jan Thim 1 F1: Transistorn del 1 Innehåll: Historia Funktion Karakteristikor och parametrar Transistorn som förstärkare Transistorn som switch
Läs merFöreläsning 8 Bipolära Transistorer I
Föreläsning 8 iolära ransistorer Funktion biolär transistor Geometri nn D oeration, strömförstärkning Oerationsmoder Early-effekten n transistor 1 Komonentfysik - Kursöversikt iolära ransistorer n-övergång:
Läs merDen bipolä rä tränsistorn
Komponentfysik ESS3 Laborationshandledning av: Martin Berg Elvedin Memišević Den bipolä rä tränsistorn VT-213 Syfte Syftet med denna laboration är att studenten ska bekanta sig med den grundläggande fysiken
Läs merÖvningsuppgifter i Elektronik
1 Svara på följande frågor om halvledarkomponenter. Övningsuppgifter i Elektronik a) Vad är utmärkande för ett halvledarmaterial? b) Vad innebär egenledning och hur kan den förhindras? c) edogör för dopning
Läs merOm inget annan anges gäller det rumstemperatur, d.v.s. T =300K, termisk jämvikt och värden som inte ges i uppgiften hämtas från formelsamlingen.
Komponentfysik Övningsuppgifter Halvledare VT-15 Om inget annan anges gäller det rumstemperatur, d.v.s. T =300K, termisk jämvikt och värden som inte ges i uppgiften hämtas från formelsamlingen. Utredande
Läs merFöreläsning 8 Bipolära Transistorer I
Föreläsning 8 iolära ransistorer Funktion biolär transistor Geometri nn D oeration, strömförstärkning Oerationsmoder Early-effekten n transistor G. alla 1 Komonentfysik - Kursöversikt iolära ransistorer
Läs merElektronik. Lars-Erik Cederlöf
Elektronik LarsErik Cederlöf 1 Ledare och isolatorer Ledare för elektrisk ström har atomer med fria rörliga laddningar i yttersta skalet. Exempel på ledare är metallerna koppar och aluminium. Deras atomer
Läs merFöreläsning 13 Fälteffekttransistor III
Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III pmo måsignal FET A, f t MO-Kondensator 014-05-19 Föreläsning 13, Komponentfysik 014 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser
Läs merKomponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Hålltider --- Ellära: Elektriska fält, potentialer och strömmar
Komponentfysik 2014 Introduktion Kursöversikt Hålltider --- Ellära: Elektriska fält, potentialer och strömmar 1 Lite om mig själv Erik Lind (Erik.Lind@eit.lth.se) Lektor i nanoelektronik vid EIT sedan
Läs merFöreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren
Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren /Krister Hammarling 1 Transistorn Innehåll: Historia Funktion Karakteristikor och parametrar Transistorn som förstärkare Transistorn som switch Felsökning
Läs merRättade inlämningsuppgifter hämtas på Kents kontor Föreläsning 4 Må 11.00-11.30, 12.30-13.15 Kent Palmkvist To 11.00-11.30, 12.30-13.
/5/14 15:56 Praktisk info, forts. Löst uppgift Fyll i ett konvolut (återanvänds tills uppgiften godkänd TTE Elektronik Konvolut hittas ovanpå den svarta brevlåda som svar lämnas i vart brevlåda placerad
Läs merKAPITEL 2 MTU AB
KAPITEL 2 MTU AB 2007 29 HALVLEDARE De komponenter som vi hittills behandlat är motstånd av olika slag, lampor samt batterier. Det kan diskuteras om batteriet ska kallas komponent. Motstånd är den komponent
Läs merFöreläsning 11 Fälteffekttransistor II
Föreläsning 11 Fälteffekttransistor Fälteffekt Tröskelspänning Beräkning av strömmen Storsignal, D Kanallängdsmodulation Flatband-shift pmosfet 013-05-03 Föreläsning 11, Komponentfysik 013 1 Komponentfysik
Läs merLaboration: pn-övergången
LTH: FASTA TILLSTÅNDETS FYSIK Komponentfysik för E Laboration: pn-övergången Utförd datum Inlämnad datum Grupp:... Laboranter:...... Godkänd datum Handledare: Retur Datum: Återinlämnad Datum: Kommentarer
Läs merHalvledare. Transistorer, Förstärkare
Halvledare Transistorer, Förstärkare Om man har en två-ports krets v in (t) ~ v ut (t) R v ut (t) = A v in (t) A är en konstant: Om A är mindre än 1 så kallas kretsen för en dämpare Om A är större än 1
Läs merVideoförstärkare med bipolära transistorer
Videoförstärkare med bipolära transistorer IE1202 Analog elektronik - Joel Nilsson joelni at kth.se Innehåll i 1 Första försöket 1 1.1 Beräkningar....................................... 1 1.1.1 Dimensionering
Läs merTSTE20 Elektronik 01/31/ :24. Nodanalys metod. Nodanalys, exempel. Dagens föreläsning. 0. Förenkla schemat 1. Eliminera ensamma spänningskällor
0/3/204 0:24 Nodanalys metod 0. Förenkla schemat. liminera ensamma TST20 lektronik 2. Jorda en nod 3. nför nodpotentialer 4. nför referensriktningar på strömmarna i nätet 5. Sätt upp ekvation för varje
Läs merFör att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet.
Kortslutningsskydd För att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet. Utströmmen passerar R4, ett lågohmigt
Läs merSM Serien Strömförsörjning. Transistorn
Transistorn Transistorn är en av de viktigaste uppfinningar som gjorts under modern tid. Utan denna skulle varken rymdfärder eller PC-datorer vara möjliga. Transistorn ingår som komponent i Integrerade
Läs merFöreläsning 2 - Halvledare
Föreläsning 2 - Halvledare Historisk definition Atom Molekyl - Kristall Metall-Halvledare-Isolator Elektroner Hål Intrinsisk halvledare effekt av temperatur Donald Judd, untitled 1 Komponentfysik - Kursöversikt
Läs merIntroduktion till halvledarteknik
Introduktion till halvledarteknik Innehåll 6 Övergångar (pn och metal-halvledare) 2:a ordningens effekter Metal-halvledar övergångar 6 Fälteffekttransistorer JFET och MOS transistorer Ideal MOS kapacitans
Läs mernmosfet och analoga kretsar
nmosfet och analoga kretsar Erik Lind 22 november 2018 1 MOSFET - Struktur och Funktion Strukturen för en nmosfet (vanligtvis bara nmos) visas i fig. 1(a). Transistorn består av ett p-dopat substrat och
Läs merDefinition av kraftelektronik
F1: Introduktion till Kraftelektronik Definition av kraftelektronik Den enegelska motsvarigheten till kraft elektronik är Power electronics. På Wikipedia kan man hitta följande definition: Power electronics
Läs merVad är elektricitet?
Vad är elektricitet? Vad är elektricitet? Grundämnenas elektriska egenskaper avgörs av antalet elektroner i det yttersta skalet - valenselektronerna! Skol-modellen av en Kiselatom. Kisel med atomnumret
Läs merUMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors Transistorswitchen. Laboration E25 ELEKTRO
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors 1997-01-14 Transistorswitchen Laboration E25 ELEKTRO Laboration E25 Transistorswitchen 2 Nyckelord Switch, bottnad- och strypt
Läs merFöreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV
Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV PMOS Småsignal FET A, f t MOS- Kondensator D/MOS- kamera Flash- minne 1 PMOS U Gate U - 0.V 1.0V 0.4V Source Isolator SiO Drain U - 1V P ++ N- typ semiconductor P ++
Läs merFöreläsning 2 - Halvledare
Föreläsning 2 - Halvledare Historisk definition Atom Molekyl - Kristall Metall-Halvledare-Isolator lektroner Hål Intrinsisk halvledare effekt av temperatur 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer
Läs merTentamen i Elektronik fk 5hp
Tentamen i Elektronik fk 5hp Tid: kl 9.13. Måndagen den 16 Mars 29 Sal: Bingo Hjälpmedel: formelsamling elektronik (14 sidor), formelsamling ellära samt valfri räknare. Maxpoäng: 3 Betyg: 12p3:a, 18p4:a
Läs merLaboration 2: Likström samt upp och urladdningsförlopp
TSTE20 Elektronik Laboration 2: Likström samt upp och urladdningsförlopp v0.5 Kent Palmkvist, ISY, LiU Laboranter Namn Personnummer Godkänd Översikt I denna labb kommer ni bygga en strömkälla, och mäta
Läs merFöreläsning 6: Opto-komponenter
Föreläsning 6: Opto-komponenter Opto-komponent Interaktion ljus - halvledare Fotoledare Fotodiod / Solcell Lysdiod Halvledarlaser 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser
Läs merGrindar och transistorer
Föreläsningsanteckningar Föreläsning 17 - Digitalteknik I boken: nns ej med Grindar och transistorer Vi ska kort beskriva lite om hur vi kan bygga upp olika typer av grindar med hjälp av transistorer.
Läs merVad är elektricitet?
Vad är elektricitet? Vad är elektricitet? Grundämnenas elektriska egenskaper avgörs av antalet elektroner i det yttersta skalet - valenselektronerna! Skol-modellen av en Kiselatom. Kisel med atomnumret
Läs merElektroteknikens grunder Laboration 3. OP-förstärkare
Elektroteknikens grunder Laboration 3 OPförstärkare Elektroteknikens grunder Laboration 3 Mål Du ska i denna laboration studera tre olika användningsområden för OPförstärkare. Den ska användas som komparator,
Läs merModifieringsförslag till Moody Boost
Modifieringsförslag till Moody Boost Moody Boost (MB) är en mycket enkel krets, en transistor och ett fåtal passiva komponenter- Trots det finns det flera justeringar som du kan göra för att få pedalen
Läs merTentamen i Elektronik för F, 13 januari 2006
Tentamen i Elektronik för F, 3 januari 006 Tillåtna hjälpmedel: Formelsamling i kretsteori, miniräknare Du har fått tag på 6 st glödlampor från USA. Tre av dem visar 60 W och tre 40 W. Du skall nu koppla
Läs merFÖRELÄSNING 3. Förstärkaren. Arbetspunkten. Olika lastresistanser. Småsignalsschemat. Föreläsning 3
FÖRELÄSNING 3 Förstärkaren Arbetspunkten Olika lastresistanser Småsignalsschemat Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 1(36) Förstärkaren (S&S4 1.4, 5.2, 5.4, 5.5, 5.6/
Läs merMoment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 3 Transistorförstärkare
Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 3 Transistorförstärkare Jan Thim 1 F3: Transistorförstärkare Innehåll: Introduktion GE-steget EF-steget GB-steget Flerstegsförstärkare Felsökning 2 1 Förstärkare
Läs merLaboration 4: Tidsplan, frekvensplan och impedanser. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum
Laboration 4: Tidsplan, frekvensplan och impedanser Decibel Ett relativt mått på effekt, med enheten [db]: Man kan också mäta absoluta värden genom att relatera till en referens: Impedans på ingång och
Läs merTSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg
TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg Version 0.3 Mikael Olofsson Kent Palmkvist Prakash Harikumar 18 mars 2014 Laborant Personnummer Datum Godkänd 1 1 Introduktion I denna laboration kommer ni
Läs merTentamen Elektronik för F (ETE022)
Tentamen Elektronik för F (ETE022) 2008-08-28 Tillåtna hjälpmedel: formelsamling i kretsteori, ellära och elektronik. Tal 1 En motor är kopplad till en spänningsgenerator som ger spänningen V 0 = 325 V
Läs merRepetition: Nätanalys för AC. Repetition: Elektricitetslära. Repetition: Halvledarkomponenterna
FÖRELÄSNING 2 Repetition: Nätanalys för AC Repetition: Elektricitetslära Repetition: Halvledarkomponenterna Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 1(49) Repetition: Nätanalys
Läs merElektronik 2017 EITA35
Elektronik 2017 EITA35 OP-Amp Komplex Återkoppling. Klippning. Maximal spänning/ström. Gain-bandwidthproduct. Offset. Slewrate Avkopplingskondensator Transistorer - MOSFETs Lab 4 Anmälan på hemsidan Projektnummer
Läs merTentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007.
Tekniska Högskolan i Lund Institutionen för Elektrovetenskap Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007. Uppgifterna i tentamen ger totalt
Läs merLaboration N o 1 TRANSISTORER
Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson 22/10 2004 Analog elektronik 2 Laboration N o 1 TRANSISTORER namn: datum: åtgärda: godkänd: Målsättning: Denna laboration
Läs merFöreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV
Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV måsignal FET A, f t MO- Kondensator D/MO- kamera Flash- minne 1 måsignalmodell A kapacitanser i mä1nadsmod δu Isolator io 2 D N ++ N ++ P- typ halvledare δ Q δu >>
Läs merHÄLLEBERGSSKOLAN. Ur kursplanen för området elektronik i ämnet teknik:
Björne Torstenson Ur kursplanen för området elektronik i ämnet teknik: TEKNIK ELEKTRONIK Centralt innehåll Grundläggande elektronik och elektroniska komponenter, till exempel lysdioder och enkla förstärkare.
Läs mer4:8 Transistorn och transistorförstärkaren.
4:8 Transistorn och transistorförstärkaren. Inledning I kapitlet om halvledare lärde vi oss att en P-ledare har positiva laddningsbärare, och en N-ledare har negativa laddningsbärare. Om vi sammanfogar
Läs merFöreläsning 6: Opto-komponenter
Föreläsning 6: Opto-komponenter Opto-komponent Interaktion ljus - halvledare Fotoledare Fotodiod / Solcell Lysdiod Halvledarlaser Dan Flavin 2014-04-02 Föreläsning 6, Komponentfysik 2014 1 Komponentfysik
Läs merTentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D
Lars-Erik Cederlöf Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 03 för D 2000-05-03 Tentamen omfattar 40 poäng, 2 poäng för varje uppgift. 20 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är
Läs merInduktiv beröringsfri närvarogivare/detektor med oscillator, (Proximity switch)
Induktiv beröringsfri närvarogivare/detektor med oscillator, (Proximity switch) Om spolar och resonanskretsar Pot Core Såväl motstånd som kondensatorer kan vi oftast betrakta som ideala, det vill säga
Läs merDu har följande material: 1 Kopplingsdäck 2 LM339 4 komparatorer i vardera kapsel. ( ELFA art.nr datablad finns )
Projektuppgift Digital elektronik CEL08 Syfte: Det här lilla projektet har som syfte att visa hur man kan konverterar en analog signal till en digital. Här visas endast en metod, flash-omvandlare. Uppgift:
Läs merVi börjar med en vanlig ledare av koppar.
Vi börjar med en vanlig ledare av koppar. [Från Wikipedia] Skineffekt är tendensen hos en växelström (AC) att omfördela sig inom en elektrisk ledare så att strömtätheten är störst nära ledarens yta, och
Läs merLaboration II Elektronik
817/Thomas Munther IDE-sektionen Halmstad Högskola Laboration II Elektronik Transistor- och diodkopplingar Switchande dioder, D1N4148 Zenerdiod, BZX55/C3V3, BZX55/C9V1 Lysdioder, Grön, Gul, Röd, Vit och
Läs merAntennförstärkare för UHF-bandet
Radioprojekt 2009 ETI 041 Kursansvarig: Göran Jönsson Antennförstärkare för UHF-bandet I denna rapport konstrueras en antennförstärkare för UHF-bandet. Rapporten berör de teoretiska delarna, såsom simuleringar,
Läs merLösningsförslag Inlämningsuppgift 3 Kapacitans, ström, resistans
Inst. för fysik och astronomi 2017-11-26 1 Lösningsförslag Inlämningsuppgift 3 Kapacitans, ström, resistans Elektromagnetism I, 5 hp, för ES och W (1FA514) höstterminen 2017 (3.1) En plattkondensator har
Läs merFörstärkning Large Signal Voltage Gain A VOL här uttryckt som 8.0 V/μV. Lägg märke till att förstärkningen är beroende av belastningsresistans.
Föreläsning 3 20071105 Lambda CEL205 Analoga System Genomgång av operationsförstärkarens egenskaper. Utdelat material: Några sidor ur datablad för LT1014 LT1013. Sidorna 1,2,3 och 8. Hela dokumentet (
Läs merLaboration 6. A/D- och D/A-omvandling. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum
Laboration 6 A/D- och D/A-omvandling A/D-omvandlare Digitala Utgång V fs 3R/2 Analog Sample R R D E C O D E R P/S Skiftregister R/2 2 N-1 Komparatorer Digital elektronik Halvledare, Logiska grindar Digital
Läs merFFY616. Halvledarteknik. Laboration 4 DIODER
Halvledarteknik Laboration 4 DIODER Målet med denna laboration är att du skall lära dig hur olika typer av dioder fungerar och hur man kan använda dem Laborant: Godkänt den.. av. M. K. Friesel, I. Albinsson
Läs merProv 3 2014-10-13. (b) Hur stor är kraften som verkar på en elektron mellan plattorna? [1/0/0]
Namn: Område: Elektromagnetism Datum: 13 Oktober 2014 Tid: 100 minuter Hjälpmedel: Räknare och formelsamling. Betyg: E: 25. C: 35, 10 på A/C-nivå. A: 45, 14 på C-nivå, 2 på A-nivå. Tot: 60 (34/21/5). Instruktioner:
Läs mer1.2 Två resistorer är märkta 220 ohm 0,5 W respektive 330 ohm 0,25 W. vilken är den största spänning som kan anslutas till:
Passiva komponenter. Vilken resistans och tolerans har en resistor märkt: a) röd, violett, gul, guld b) blå, grå, blå, silver c) brun, svart, svart, guld d) orange, vit, brun, röd, mellanrum, brun e) grön,
Läs merTRANSISTORER. Umeå universitet Institutionen för tillämpad. fysik och elektronik. Patrik Eriksson
Institutionen för tillämpad 2013-09-05 fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Agneta Bränberg Redigerad av Johan Haake Redigerad av Nils Lundgren TRANSISTORER Målsättning: Denna
Läs merBatteri. Lampa. Strömbrytare. Tungelement. Motstånd. Potentiometer. Fotomotstånd. Kondensator. Lysdiod. Transistor. Motor. Mikrofon.
Batteri Lampa Strömbrytare Tungelement Motstånd Potentiometer Fotomotstånd Kondensator Lysdiod Transistor Motor Mikrofon Högtalare Ampèremeter 1 1. Koppla upp kretsen. Se till att motorns plus och minuspol
Läs merSammanfattning av kursen ETIA01 Elektronik för D, Del 1 (föreläsning 1-10)
Sammanfattning av kursen ETIA0 Elektronik för D, Del (föreläsning -0) Kapitel : sid 37 Definitioner om vad laddning, spänning, ström, effekt och energi är och vad dess enheterna är: Laddningsmängd q mäts
Läs mer3.4 RLC kretsen. 3.4.1 Impedans, Z
3.4 RLC kretsen L 11 Växelströmskretsar kan ha olika utsende, men en av de mest använda är RLC kretsen. Den heter så eftersom den har ett motstånd, en spole och en kondensator i serie. De tre komponenterna
Läs merKomponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Varför Komponentfysik? Hålltider --- Ellära, Elektriska fält och potentialer
Komponentfysik 2012 Introduktion Kursöversikt Varför Komponentfysik? Hålltider Ellära, Elektriska fält och potentialer 1 Lite om mig själv Erik Lind (Erik.Lind@eit.lth.se) Civ. Ing. i Teknisk Fysik Doktorerade
Läs mer3.9. Övergångar... (forts: Halvledare i kontakt)
3.9. Övergångar... (forts: Halvledare i kontakt) [Understanding Physics: 20.9-20.12] Utjämningen av Ferminivåerna för två ledare i kontakt med varandra gäller också för två halvledare i kontakt med varandra.
Läs merElektronik. MOS-transistorn. Översikt. Då och nu. MOS-teknologi. Lite historik nmosfet Arbetsområden pmosfet CMOS-inverterare NOR- och NAND-grindar
Översikt Pietro Andreani Institutionen för elektro- och informationsteknik unds universitet ite historik nmofet Arbetsområden pmofet CMO-inverterare NOR- och NAN-grindar MO-teknologi å och nu Metal-e-silicon
Läs merMoment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2
Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 2 Transistorn del 2 Jan Thim 1 F2: Transistorn del 2 Innehåll: Fälteffekttransistorn - JFET Karakteristikor och parametrar MOSFET Felsökning 2 1 Introduktion Fälteffekttransistorer
Läs merSignalbehandling, förstärkare och filter F9, MF1016
Signalbehandling, förstärkare och filter F9, MF1016 Signalbehandling, inledning Förstärkning o Varför förstärkning. o Modell för en förstärkare. Inresistans och utresistans o Modell för operationsförstärkaren
Läs merETE115 Ellära och elektronik, tentamen oktober 2006
(2) 9 oktober 2006 Institutionen för elektrovetenskap Daniel Sjöberg ETE5 Ellära och elektronik, tentamen oktober 2006 Tillåtna hjälpmedel: formelsamling i kretsteori. Observera att uppgifterna inte är
Läs merMätningar på transistorkopplingar
Ellab015A Mätningar på transistorkopplingar Namn Datum Handledarens sign. Laboration Varför denna laboration? Transistorn är en av de allra viktigaste komponenterna inom elektroniken. I den här laborationen
Läs merMOSFET:ens in- och utimpedanser. Småsignalsmodeller. Spänning- och strömstyrning. Stora signaler. MOSFET:ens högfrekvensegenskaper
FÖRELÄSNING 4 MOSFET:ens in och utimpedanser Småsignalsmodeller Spänning och strömstyrning Stora signaler MOSFET:ens högfrekvensegenskaper Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik
Läs merLaboration - Va xelstro mskretsar
Laboration - Va xelstro mskretsar 1 Introduktion och redovisning I denna laboration simuleras spänning och ström i enkla växelströmskretsar bestående av komponenter som motstånd, kondensator, och spole.
Läs merAntennförstärkare för UHF-bandet
Antennförstärkare för UHF-bandet Radioprojekt 2004 Elektrovetenskap, LTH Mats Rosborn Henrik Kinzel 27 Februari Referat Den här rapporten beskriver arbetet med konstruktion och utvärdering av en fungerande
Läs mer12. Kort om modern halvledarteknologi
12. Kort om modern halvledarteknologi Kursen i halvledarfysik behandlar i detalj halvledarkomponenter. På denna kurs går vi igenom bara den allra viktigaste av dem, MOSFET-transistorn som ger grunden till
Läs mer12. Kort om modern halvledarteknologi
12. Kort om modern halvledarteknologi Kursen i halvledarfysik behandlar i detalj halvledarkomponenter. På denna kurs går vi igenom bara den allra viktigaste av dem, MOSFET-transistorn som ger grunden till
Läs merInstitutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet. Agneta Bränberg TRANSISTORTEKNIK. Laboration.
Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet 2016-12-19 Agneta Bränberg Laboration TRANSISTORTEKNIK Analog II VT17 Målsättning: Denna laboration syftar till studenterna ska lära sig
Läs merElektro och Informationsteknik LTH. Laboration 3 RC- och RL-nät i tidsplanet. Elektronik för D ETIA01
Elektro och Informationsteknik LTH Laboration 3 R- och RL-nät i tidsplanet Elektronik för D ETIA01??? Telmo Santos Anders J Johansson Lund Februari 2008 Laboration 3 Mål Efter laborationen vill vi att
Läs merDu behöver inte räkna ut några siffervärden, svara med storheter som V 0 etc.
(8) 27 augusti 2008 Institutionen för elektro- och informationsteknik Daniel Sjöerg ETE5 Ellära och elektronik, tentamen augusti 2008 Tillåtna hjälpmedel: formelsamling i kretsteori, ellära och elektronik.
Läs merRadioprojekt våren 2002 Antennförstärkare Jimmy Johansson e98 Fredrik Åhfeldt e98 Handledare: Göran Jönsson
Radioprojekt våren 2002 Antennförstärkare av Jimmy Johansson e98 Fredrik Åhfeldt e98 Handledare: Göran Jönsson Referat Denna rapport beskriver tillvägagångssättet för design av en bredbandig antennförstärkare
Läs merTENTAMEN Elektronik för elkraft
Umeå Universitet Tillämpad Fysik och Elektronik JH TENTAMEN Elektronik för elkraft HT 2012 Omtentamen 9/1 2013 Tillåtna hjälpmedel: Räknedosa. Lärobok (Analog elektronik, Bengt Molin) Labbar Tentamen består
Läs mer