MOSFET:ens in- och utimpedanser. Småsignalsmodeller. Spänning- och strömstyrning. Stora signaler. MOSFET:ens högfrekvensegenskaper

Storlek: px
Starta visningen från sidan:

Download "MOSFET:ens in- och utimpedanser. Småsignalsmodeller. Spänning- och strömstyrning. Stora signaler. MOSFET:ens högfrekvensegenskaper"

Transkript

1 FÖRELÄSNING 4 MOSFET:ens in och utimpedanser Småsignalsmodeller Spänning och strömstyrning Stora signaler MOSFET:ens högfrekvensegenskaper Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 1(43)

2 MOSFET:ens in och utimpedanser (S&S4 1.5, 3.5 /bakgrund/, 5.5/ S&S5 1.5, /bra exempel med diod/, 4.4) Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 2(43)

3 I följande serie av OHs ska vi studera impedansen hos en MOStransistor med avsikten att inkludera denna egenskap i småsignalscheman... IMPEDANS Impedanser är viktiga för de definierar gränssnitt i den elektriska världen, av nytta när man kopplar samman kretsar. utgångskrets ingångskrets R utgångsimpedans ingångsimpedans Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 3(43)

4 INIMPEDANS PÅ MOSFET:EN 1(2) Inimpedansen på en MOStransistor är nyckeln till dess popularitet. När man lägger en spänning över transistorn går det inte in någon ström genom gaten (styret). Den har en oändlig inimpedans! Nja, vi har lärt oss att vara försiktiga med oändligheter Det läcker alltid lite ström in genom gaten och direkt sjunker inimpedansen på en MOSgate till kanske MΩ. 2. Om man på gaten lägger en växelspänning och ökar frekvensen så kommer kapacitanser som sitter mellan gate och drain, samt mellan gate och source gradvis att börja leda. Nu har vi en riktig impedans i och med att den innehåller reaktanser (t.ex. 1 jωc) resistansen har blivit frekvensberoende. Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 4(43)

5 INIMPEDANS PÅ MOSFET:EN 2(2) Inimpedansen på en MOStransistor är trots allt ganska enkel att beskriva, eftersom den är linjär och den består av två kapacitanser på ingången. g s d s Med reaktanser 1/jωC som representerar de två kapacitanserna kan man sedan räkna med inimpedans bäst man vill. Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 5(43)

6 IV UTKARAKTERISTIK FÖR MOSFET:EN I D Med kanallängdsmodulation (lite överdrivet ritat kanske...) k I D = ( V 2 GS V T ) 2 ( 1 λv DS ) I D Ideal modell k = ( V 2 GS V T ) 2 V GS = konstant V DS = V ut V DS = V ut Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 6(43)

7 SOM JÄMFÖRELSE: EN RESISTANS IV KARAKTERISTIK I V DS = V ut Lutningen är 1/R R V Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 7(43)

8 UTIMPEDANS PÅ MÄTTAD MOSTRANSISTOR 1(3) För vilka förutsättningar ska man räkna fram utimpedansen? Transistorkanalen beter sig ickelinjärt när det gäller kanalströmmen (I D ) som funktion av kanalspänningen (V DS ). I D V DS = V ut Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 8(43)

9 UTIMPEDANS PÅ MÄTTAD MOSTRANSISTOR 2(3) Vi måste göra vår ickelinjära impedans linjär. Vi flyttar origo på grafen till arbetspunkten! Nu kan vi mäta upp lutningen genom att ta differentialen alt. derivatan på strömekvationen i mättnadsområdet. I D 1 r ut = I D V DS V DS Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 9(43)

10 UTIMPEDANS PÅ MÄTTAD MOSTRANSISTOR 3(3) Vi talar nu om r ut, som kan sägas vara kanalens småsignalsimpedans Denna impedans är intressant bara för det läge där vi skaffat oss en arbetspunkt, från vilken spänningar och strömmar avviker under förstärkningsarbetet. Så vad blir småsignalsimpedansen? Vid arbetspunkten har vi V DSQ och I DQ : V DS d I D 1 r ut = =, eller I D di D λ k 2 ( V GS V T ) 2 λ 1 r ut = λ k 2 ( V GS V T ) 2 Utimpedansen är oändligt hög om λ = 0, d.v.s. om kanallängdsmodulation saknas. Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 10(43)

11 Småsignalsmodeller (S&S4 1.5, 3.5 /bakgrund/, 5.5/ S&S5 1.5, /bra exempel med diod/, 4.4) Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 11(43)

12 SMÅSIGNALSMODELLER Vi skiljer på DCegenskaper i arbetspunkten från småsignalsegenskaper kring arbetspunkten. Transistorer och kretsar kan uttryckas som småsignalsmodeller/scheman, som finns i många olika utföranden, beroende på vad man vill analysera/demonstrera. Förutsättningar för den grundläggande modellen: 1. Resistanser är differentiella, utgående från arbetspunkten. 2. Förstärkning i form av ideal strömkälla med oändligt hög inre resistans (alt. ideal spänningskälla med oändligt låg resistans). Jag utgår från att ni känner till begreppet inre resistans. 3. DCspänningskällan V DD sätter upp arbetspunkten och därmed g m, men sett ur ett småsignalsperspektiv är spänningskällan en kortslutning (minns repetitionen i Fö 3). Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 12(43)

13 ENKEL SMÅSIGNALSMODELL FÖR EN MOSTRANSISTOR r in stor (bortse från kapacitanserna nu) g m = k( V GS V T ) ( 1 λv DS ) V gs V ds 1 r ut = λ k 2 ( V GS V T ) 2 v gs r in i d = g m v gs r ut v ds Förstärkning: A v0 A v0 v ds = = = v gs g m r ut ( g m v gs ) r ut v gs Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 13(43)

14 ENKEL SMÅSIGNALSMODELL FÖR FÖRSTÄRKARSTEGET Förstärkning (med obelastad utgång!): V in R V ut A v A v v ut = = = v in r ut R ( g m v in ) r ut R r ut R g m R r ut v in v in r in i d = g m v in r ut R v ut Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 14(43)

15 ÖVERKURS: NÅGOT OM DIMENSIONERING Från förut har vi g m = 2 k I D för vårt exempelsteg. Låt oss titta på spänningsförstärkningen antagande att r ut kan försummas: = R. Vi kan skriva A v = 2 k I D [ V R I D ]. Nu har vi en massa valmöjligheter för att öka A v : Ex. Anta arbetspunkt V in (och därför I D ) konstant: Nu V R R. För mättnad krävs: V in < V ut V T, men R V ut minskar och signalsvinget (amplituden) som är möjligt i förstärkaren minskar mycket negativt (reducerat headroom)! A v g m V R V in R I D V ut V ut = V DD V R Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 15(43)

16 Spänning och strömstyrning (S&S4/S&S5 1.5) Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 16(43)

17 OLIKA IDEALA FÖRSTÄRKARMODELLER 1(2) v in r in r ut A v in v ut Spänningsförstärkaren: A = r in v ut v in = i ut = 0 r ut = 0 Transkonduktansförstärkaren: A = i ut v in v ut = 0 i ut r in = v in r in A v in r ut r ut = Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 17(43)

18 OLIKA IDEALA FÖRSTÄRKARMODELLER 2(2) i in r in r ut A i in v ut Transresistansförstärkaren: A = v ut i in r in = 0 i ut = 0 r ut = 0 Strömförstärkaren: A = i ut i in r in = 0 v ut = 0 i in r in A i in r ut i ut r ut = Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 18(43)

19 ÖVERFÖRING AV SIGNAL 1(2) v in r in r ut A v in v ut R (be)l(astning) Spänningsförstärkare: underförstått att vi vill överföra utspänning till nästa stegs ingång. När vi ansluter en belastning på utgången så kommer ström att flyta i utgångskretsen, och då gäller det att få spänningsdelningen som sker mellan r ut och R L att lägga störst spänning över R L. Alltså: R L >> r ut. Man brukar säga att spänningsförstärkaren behöver ha en högimpediv belastning och en låg inre resistans. Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 19(43)

20 ÖVERFÖRING AV SIGNAL 2(2) i ut i in r in A v in r ut R (be)l(astning) Strömförstärkare: underförstått att vi vill överföra utströmmen till nästa stegs ingång. När vi ansluter en belastning på utgången så gäller det att få strömdelningen som sker mellan r ut och R L att medföra att majoriteten av strömmen går genom R L. Alltså: R L << r ut. Man brukar säga att strömförstärkaren behöver ha en lågimpediv belastning och en hög inre resistans. Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 20(43)

21 Stora signaler Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 21(43)

22 EN STOR SIGNAL V ut En insignal som slår om från 0 V till V DD får vår förstärkare att passera förbi alla möjliga regioner av överföringsfunktionen. Nu avbildas inte längre insignalen på utsignalen på ett linjärt sätt. Vi talar om en stor signal (eller transient). V in Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 22(43)

23 DIGITALA, STORA SIGNALER V ut V DD Stora signaler används i alla digitala CMOS kretsar, då omslag/toggling sker mellan 0 och 1. Ändlägena är V DD och 0 V, och detta är skälet till att CMOS är relativt okänslig för brus. En vanlig villfarelse är att digitala kretsar är enkla att analysera (medan analoga är komplicerade). Men ta bara logiska omslag; grindarnas transistorer passerar genom flera operationsområden. V DD V in Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 23(43)

24 MOSFET:ens högfrekvensegenskaper (S&S4 5.10, 7.4/S&S5 4.8, 4.9.2, 6.2) Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 24(43)

25 FÖRSTÄRKARSTEGET, IGEN 100% större frekvens f 0 10% större frekvens 2f 0 Förstärkarsteget förstärker olika frekvenser olika mycket, eftersom förstärkningen alltid är frekvensberoende Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 25(43)

26 FREKVENSBEROENDE INTE BARA ANALOGA KRETSAR 1 Sinus vid grundfrekvens 0.5 Digitala signaler är fulla av höga frekvenser! T 1 Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 26(43)

27 FREKVENSSPEKTRUM FÖR EN FYRKANTSVÅG π i = 1, 3, 5, 1 n sin n 2π i 2T 10 Frekvensen ökar Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 27(43)

28 FREKVENSBEROENDE Vi ska studera hur förstärkningen beror av vilken frekvens vår insignal har och vi delar upp analysen i flera delar: 1. Vad händer med förstärkningen hos en MOStransistor, fristående från förstärkarsteget, när man ökar frekvensen? ( jω repetition från Elektriska kretsar el dyl) 2. Ett förstärkarsteg, hur beter det sig med avseende på höga frekvenser? ( Laplace repetition från Signaler och system el dyl) Notera: Förstärkarens lågfrekvensegenskaper (S&S4 7.3, S&S ) är tyvärr uteslutet ur kurskärnan. Förhoppningsvis lär ni er förstärkarstegets principer så bra att ni förstår lågfrekvensegenskaperna på köpet. Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 28(43)

29 FREKVENSEGENSKAPER HOS MOSFET:EN Man kan tänka sig att omslagshastigheten hos en MOStransistor begränsas av tiden det tar för elektronen att ta sig över kanalen: τ t = L v sat Med typvärdena v sat = 10 7 cm/s och L = 0,1 µm får vi τ t = 1 ps, vilket ger en maxfrekvens 1000 GHz. Detta kan inte stämma! Nej, begränsande för alla MOSFET:ars omslagshastighet är kapacitanser. På nästa OH visas en MOSFET upp, med dess kapacitanser inritade. Vi ska analysera hur högt upp i frekvens MOSFET:en kan arbeta, och för detta antar vi perspektivet att vi har en annan krets som driver ingången (gaten) på MOSFET:en vi just analyserar. Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 29(43)

30 MOSFET MED KAPACITANSER I GATEN Source Gate Drain C gsp C gs OXID! C gd C gdp r s r d C gs och C gd kommer sig av interaktion mellan laddningar på G/S och G/D. C gsp och C gdp är parasitiska kapacitanser som kommer sig av fysiskt överlapp mellan G/S och G/D. Utanför vår analys finns resistanser i de dopade områdena: r s och r d. Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 30(43)

31 SMÅSIGNALSMODELL MED KAPACITANSER 1(4) C gd C gdp i in A B i ut v gs g m v gs v ds R L representerar en godtycklig belastning C gs C gsp Vi tittar nu på MOS transistorns interna egenskaper = fristående från förstärkarsteg. 2. högfrekvens r ut och r in ointressanta då kapacitanser är dominanta. Vi kallar C gs C gsp = C gst och C gd C gdp = C gdt. Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 31(43)

32 SMÅSIGNALSMODELL MED KAPACITANSER 2(4) C gdt i in A B i ut v gs gm v gs v ds R L C gst i in = jωc gst v gs jωc gdt ( v gs v ds ) (KCL i nod A). v ds g m v gs jωc gdt ( v ds v gs ) = 0 ( utåtriktad KCL i nod B). R L Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 32(43)

33 SMÅSIGNALSMODELL MED KAPACITANSER 3(4) i in = jωc gst v gs jωc gdt ( v gs v ds ) (nod A). v ds g m v gs jωc gdt ( v ds v gs ) = 0 (nod B). R L v ds löses ut ur nod Bs ekvation och sätts in i nod As: 1 g m R L i in = jω C gst C gdt v. 1 jωr L C gdt gs v ds jωc gdt g m På samma sätt fås i ut = = vgs. R L 1 jωr L C gdt Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 33(43)

34 SMÅSIGNALSMODELL MED KAPACITANSER 4(4) Vi kan titta på strömförstärkningen (spänningsförstärkningen beskrivs i S&S4 example 7.7, s. 6178): i ut i in = jωc gdt g m vgs 1 jωr L C gdt 1 g m R L jω C gst C gdt v 1 jωr L C gdt gs jω 1 i ut ( g m C gdt ) = g i m in jω[ C gst C gdt ( 1 g m R L )] ω 2 R L C gst C gdt Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 34(43)

35 LÅT OSS KOLLA ÖVERFÖRINGSFUNKTIONEN! 1(3) s 1 i ut ( g m C gdt ) = g, [ser rörigt ut!] i m in s( ( C gst C gdt ( 1 g m R L )) s( R L C gst C )) gdt vilket kan skrivas s 1 i ut ( g m C gdt ) = g. [nu ser vi polerna!] i m in s s 1 ( C gst C gdt ( 1 g m R L )) R L C gst C gdt Funktionen ger i ett Bodediagram upphov till en graf som har egenskaper som kan vara värda att studera. Jag använder följande värden på komponenterna för att få tydliga utslag i grafen: C gdt = 1 nf, C gst = 10 pf, g m = 500 µa/v, R L = 10 kω... Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 35(43)

36 LÅT OSS KOLLA ÖVERFÖRINGSFUNKTIONEN! 2(3) Vi noterar att det finns två poler och ett nollställe i uttrycket. Pol 1 ligger vid 0 Hz; polen är helt enkelt s. Nollstället ligger vid 500 khz ( ). ( C gst C gdt ( 1 g m R L )) Pol 2 återfinns vid 60 MHz (fås från ). R L C gst C gdt g m C gdt Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 36(43)

37 LÅT OSS KOLLA ÖVERFÖRINGSFUNKTIONEN! 3(3) k 1M 100 M Passeras ett nollställe, ökar förstärkningen. Passeras en pol, sjunker förstärkningen. Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 37(43)

38 MILLERKAPACITANSEN 1(3) C gdt i in A B i ut v gs g m v gs v ds R L C gst Vi gör om beräkningen från OHsidan 32 i denna föreläsning, fast nu noterar vi att strömmen från nod B in i C gdt är mycket liten (tack vare att vi antar att en rejäl förstärkning sker) jämfört med strömmen genom strömgeneratorn: alltså blir KCL i nod B: v ds g m v gs 0 R L Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 38(43)

39 MILLERKAPACITANSEN 2(3) C gdt i in A B i ut v gs g m v gs v ds R L C gst i in = jωc gst v gs jωc gdt ( v gs v ds ) (nod A). v ds g m v gs = 0 (nod B). R L v ds löses ut ur nod Bs ekvation och sätts in i nod As: i in = jω[ C gst C gdt ( 1 g m R L )]v gs. Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 39(43)

40 MILLERKAPACITANSEN 3(3) v gs C gst A C M B g m v gs v ds R L i in = jω[ C gst C gdt ( 1 g m R L )]v gs = jω[ C gst C M ]v gs. C M = C gdt ( 1 g m R L ) är Millerkapacitansen, en förstärkningsberoende kapacitans som spelar en stor roll i såväl analoga som digitala kretsar. Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 40(43)

41 GRÄNSFREKVENSEN f T 1(3) Gränsfrekvensen f T är ett av flera viktiga mått på hur bra en transistor är. Den definieras som den frekvens då strömförstärkningen hos transistorn har fallit till 1, under förutsättning att R L = 0 i g Med i ut g m v gs har vi alltså ut m v gs = =. jω( C gst C M )v 1 gs Med ω = 2πf och R L = 0 får vi =, 2πf T ( C gst C gdt ) 1 g m i in vilket ger oss f T =. 2π ( C gst C gdt ) g m Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 41(43)

42 GRÄNSFREKVENSEN f T 2(3) Följande approximation kan göras: Det råder inte något överlapp mellan gate och drain/source. Nu kan man skriva f T på ett mycket genomlysande sätt. 1. Alltså: C gdp = 0 och C gsp = Vi använder MOSFET:en som förstärkare, så den är i sitt mättade område då leder drainsidans del av kanalen dåligt och därför är C gd ungefär 0 F. 3. Från figuren på OHsidan 30 återstår bara en kapacitans, nämligen C gs och denna kan vi approximera med en plattkondensator mellan gate och kanal: C gs = C ox W L. Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 42(43)

43 GRÄNSFREKVENSEN f T 3(3) 4. Vi frammanar g m för en mättad MOSFET: g m di D = = d V GS W µc L ox ( V GS V T ) 5. Vi backar några OHs och tar igen fram: f T = g m 2π ( C gst C gdt ) f T W µc L ox ( V GS V T ) µ ( V GS V T ) = = 2π ( C ox W L) 2π L 2 Observera att små transistorer (L) uppenbarligen är snabbare än stora! I nästa föreläsning tar vi upp frekvensegenskaper för hela förstärkarsteget Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 43(43)

Förstärkarens högfrekvensegenskaper. Återkoppling och stabilitet. Återkoppling och förstärkning/bandbredd. Operationsförstärkare.

Förstärkarens högfrekvensegenskaper. Återkoppling och stabilitet. Återkoppling och förstärkning/bandbredd. Operationsförstärkare. FÖRELÄSNING 5 Förstärkarens högfrekvensegenskaper Återkoppling och stabilitet Återkoppling och förstärkning/bandbredd Operationsförstärkare Kaskadkoppling Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola

Läs mer

Olika sätt att bygga förstärkare. Differentialförstärkaren (översikt) Strömspegeln. Till sist: Operationsförstärkaren

Olika sätt att bygga förstärkare. Differentialförstärkaren (översikt) Strömspegeln. Till sist: Operationsförstärkaren FÖRELÄSNING 12 Olika sätt att bygga förstärkare Differentialförstärkaren (översikt) Strömspegeln Till sist: Operationsförstärkaren Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik

Läs mer

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007.

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007. Tekniska Högskolan i Lund Institutionen för Elektrovetenskap Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007. Uppgifterna i tentamen ger totalt

Läs mer

Halvledare. Transistorer, Förstärkare

Halvledare. Transistorer, Förstärkare Halvledare Transistorer, Förstärkare Om man har en två-ports krets v in (t) ~ v ut (t) R v ut (t) = A v in (t) A är en konstant: Om A är mindre än 1 så kallas kretsen för en dämpare Om A är större än 1

Läs mer

Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2

Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2 Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2 Tid: kl 9.13. Måndagen den 16 augusti 21 Sal: O125 Hjälpmedel: formelsamling elektronik, formelsamling ellära samt valfri räknare. Maxpoäng: 3 Betyg: 12p3:a, 18p4:a

Läs mer

Repetition: Nätanalys för AC. Repetition: Elektricitetslära. Repetition: Halvledarkomponenterna

Repetition: Nätanalys för AC. Repetition: Elektricitetslära. Repetition: Halvledarkomponenterna FÖRELÄSNING 2 Repetition: Nätanalys för AC Repetition: Elektricitetslära Repetition: Halvledarkomponenterna Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 1(49) Repetition: Nätanalys

Läs mer

Föreläsning 8. MOS transistorn. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM

Föreläsning 8. MOS transistorn. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM Föreläsning 8 MOS transistorn Förstärkare med MOS transistorn t Exempel, enkel förstärkare med MOS IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM 1 Varför MOS transistorn Förstå en grundläggande komponent

Läs mer

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen oktober 2006

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen oktober 2006 (2) 9 oktober 2006 Institutionen för elektrovetenskap Daniel Sjöberg ETE5 Ellära och elektronik, tentamen oktober 2006 Tillåtna hjälpmedel: formelsamling i kretsteori. Observera att uppgifterna inte är

Läs mer

TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg

TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg Version 0.3 Mikael Olofsson Kent Palmkvist Prakash Harikumar 18 mars 2014 Laborant Personnummer Datum Godkänd 1 1 Introduktion I denna laboration kommer ni

Läs mer

Fördröjningsminimering vid buffring. ON-resistansen. Energiåtgång och effektförbrukning i CMOS. RAM-minnet

Fördröjningsminimering vid buffring. ON-resistansen. Energiåtgång och effektförbrukning i CMOS. RAM-minnet FÖRELÄSNING 7 Fördröjningsminimering vid buffring ON-resistansen Energiåtgång och effektförbrukning i CMOS RAM-minnet Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 1(41) Fördröjningsminimering

Läs mer

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2 Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 2 Transistorn del 2 Jan Thim 1 F2: Transistorn del 2 Innehåll: Fälteffekttransistorn - JFET Karakteristikor och parametrar MOSFET Felsökning 2 1 Introduktion Fälteffekttransistorer

Läs mer

Föreläsning 11 Fälteffekttransistor II

Föreläsning 11 Fälteffekttransistor II Föreläsning 11 Fälteffekttransistor Fälteffekt Tröskelspänning Beräkning av strömmen Storsignal, D Kanallängdsmodulation Flatband-shift pmosfet 013-05-03 Föreläsning 11, Komponentfysik 013 1 Komponentfysik

Läs mer

Operationsförstärkare (OP-förstärkare) Kapitel , 8.5 (översiktligt), 15.5 (t.o.m. "The Schmitt Trigger )

Operationsförstärkare (OP-förstärkare) Kapitel , 8.5 (översiktligt), 15.5 (t.o.m. The Schmitt Trigger ) Operationsförstärkare (OP-förstärkare) Kapitel 8.1-8.2, 8.5 (öersiktligt), 15.5 (t.o.m. "The Schmitt Trigger ) Förstärkare Förstärkare Ofta handlar det om att förstärka en spänning men kan äen ara en ström

Läs mer

Förstärkning Large Signal Voltage Gain A VOL här uttryckt som 8.0 V/μV. Lägg märke till att förstärkningen är beroende av belastningsresistans.

Förstärkning Large Signal Voltage Gain A VOL här uttryckt som 8.0 V/μV. Lägg märke till att förstärkningen är beroende av belastningsresistans. Föreläsning 3 20071105 Lambda CEL205 Analoga System Genomgång av operationsförstärkarens egenskaper. Utdelat material: Några sidor ur datablad för LT1014 LT1013. Sidorna 1,2,3 och 8. Hela dokumentet (

Läs mer

Tentamen i Elektronik fk 5hp

Tentamen i Elektronik fk 5hp Tentamen i Elektronik fk 5hp Tid: kl 9.13. Måndagen den 16 Mars 29 Sal: Bingo Hjälpmedel: formelsamling elektronik (14 sidor), formelsamling ellära samt valfri räknare. Maxpoäng: 3 Betyg: 12p3:a, 18p4:a

Läs mer

1 Grundläggande Ellära

1 Grundläggande Ellära 1 Grundläggande Ellära 1.1 Elektriska begrepp 1.1.1 Ange för nedanstående figur om de markerade delarna av kretsen är en nod, gren, maska eller slinga. 1.2 Kretslagar 1.2.1 Beräknar spänningarna U 1 och

Läs mer

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D Lars-Erik ederlöf Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ET 03 för D 000-03-3 Tentamen omfattar 40 poäng, poäng för varje uppgift. 0 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är räknedosa.

Läs mer

Grindar och transistorer

Grindar och transistorer Föreläsningsanteckningar Föreläsning 17 - Digitalteknik I boken: nns ej med Grindar och transistorer Vi ska kort beskriva lite om hur vi kan bygga upp olika typer av grindar med hjälp av transistorer.

Läs mer

Elektroteknikens grunder Laboration 3. OP-förstärkare

Elektroteknikens grunder Laboration 3. OP-förstärkare Elektroteknikens grunder Laboration 3 OPförstärkare Elektroteknikens grunder Laboration 3 Mål Du ska i denna laboration studera tre olika användningsområden för OPförstärkare. Den ska användas som komparator,

Läs mer

VÄXELSTRÖM SPÄNNINGSDELNING

VÄXELSTRÖM SPÄNNINGSDELNING UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Agneta Bränberg 1996-06-12 VÄXELSTRÖM SPÄNNINGSDELNING Laboration E10 ELEKTRO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): Rättningsdatum Kommentarer

Läs mer

Växelström i frekvensdomän [5.2]

Växelström i frekvensdomän [5.2] Föreläsning 7 Hambley avsnitt 5.-4 Tidsharmoniska (sinusformade) signaler är oerhört betydelsefulla inom de flesta typer av kommunikationssystem. adio, T, mobiltelefoner, kabel-t, bredband till datorer

Läs mer

Tentamen i Elektronik för E, 8 januari 2010

Tentamen i Elektronik för E, 8 januari 2010 Tentamen i Elektronik för E, 8 januari 200 Tillåtna hjälpmedel: Formelsamling i kretsteori Tvåpol C A I V Du har tillgång till en multimeter som kan ställas in som voltmeter eller amperemeter. Voltmeter

Läs mer

Rättade inlämningsuppgifter hämtas på Kents kontor Föreläsning 4 Må 11.00-11.30, 12.30-13.15 Kent Palmkvist To 11.00-11.30, 12.30-13.

Rättade inlämningsuppgifter hämtas på Kents kontor Föreläsning 4 Må 11.00-11.30, 12.30-13.15 Kent Palmkvist To 11.00-11.30, 12.30-13. /5/14 15:56 Praktisk info, forts. Löst uppgift Fyll i ett konvolut (återanvänds tills uppgiften godkänd TTE Elektronik Konvolut hittas ovanpå den svarta brevlåda som svar lämnas i vart brevlåda placerad

Läs mer

5 OP-förstärkare och filter

5 OP-förstärkare och filter 5 OP-förstärkare och filter 5.1 KOMPARATORKOPPLINGAR 5.1.1 I kretsen nedan är en OP-förstärkare kopplad som en komparator utan återkoppling. Uref = 5 V, Um= 13 V. a) Rita utsignalen som funktion av insignalen

Läs mer

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV måsignal FET A, f t MO- Kondensator D/MO- kamera Flash- minne 1 måsignalmodell A kapacitanser i mä1nadsmod δu Isolator io 2 D N ++ N ++ P- typ halvledare δ Q δu >>

Läs mer

Hambley: OBS! En del av materialet kommer att gås igenom på föreläsningen

Hambley: OBS! En del av materialet kommer att gås igenom på föreläsningen Föreläsning 3, 2/ Hambley: 4.2 4.4 OBS! En del a materialet kommer att gås igenom på föreläsningen den 9/. Operationsförstärkare [4.] Operationsförstärkaren (operational amplifier eller opamp.) uppfanns

Läs mer

Extra kursmaterial om. Elektriska Kretsar. Lasse Alfredsson. Linköpings universitet November 2015

Extra kursmaterial om. Elektriska Kretsar. Lasse Alfredsson. Linköpings universitet November 2015 Extra kursmaterial om Elektriska Kretsar asse lfredsson inköpings universitet asse.lfredsson@liu.se November 205 Får kopieras fritt av ith-studenter för användning i kurserna TSDT8 Signaler & System och

Läs mer

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 1 den 21 oktober 2008 klockan 8:00 13:00

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 1 den 21 oktober 2008 klockan 8:00 13:00 Tentamen i Elektronik, ESS00, del den oktober 008 klockan 8:00 :00 Tekniska Högskolan i Lund Institutionen för Elektrovetenskap Tentamen i Elektronik, ESS00, del den oktober 008 klockan 8:00 :00 Uppgifterna

Läs mer

Sammanfattning av kursen ETIA01 Elektronik för D, Del 1 (föreläsning 1-6)

Sammanfattning av kursen ETIA01 Elektronik för D, Del 1 (föreläsning 1-6) Sammanfattning av kursen ETIA01 Elektronik för D, Del 1 (föreläsning 1-6) Kapitel 1: sid 1 37 Definitioner om vad laddning, spänning, ström, effekt och energi är och vad dess enheterna är: Laddningsmängd

Läs mer

Svar och Lösningar. 1 Grundläggande Ellära. 1.1 Elektriska begrepp. 1.2 Kretslagar Svar: e) Slinga. f) Maska

Svar och Lösningar. 1 Grundläggande Ellära. 1.1 Elektriska begrepp. 1.2 Kretslagar Svar: e) Slinga. f) Maska Svar och ösningar Grundläggande Ellära. Elektriska begrepp.. Svar: a) Gren b) Nod c) Slinga d) Maska e) Slinga f) Maska g) Nod h) Gren. Kretslagar.. Svar: U V och U 4 V... Svar: a) U /, A b) U / Ω..3 Svar:

Läs mer

Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren

Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren /Krister Hammarling 1 Transistorn Innehåll: Historia Funktion Karakteristikor och parametrar Transistorn som förstärkare Transistorn som switch Felsökning

Läs mer

Sven-Bertil Kronkvist. Elteknik. Tvåpolssatsen. Revma utbildning

Sven-Bertil Kronkvist. Elteknik. Tvåpolssatsen. Revma utbildning Sven-Bertil Kronkvist Elteknik Tvåpolssatsen Revma utbildning TVÅPOLSSATSEN Tvåpolssatsen används vid analys, för att ersätta komplicerade linjära kretsar med enkla seriekretsar. INTRODUKTION Anta att

Läs mer

IDE-sektionen. Laboration 5 Växelströmsmätningar

IDE-sektionen. Laboration 5 Växelströmsmätningar 9428 IDEsektionen Laboration 5 Växelströmsmätningar 1 Förberedelseuppgifter laboration 4 1. Antag att vi mäter spänningen över en okänd komponent resultatet blir u(t)= 3sin(ωt) [V]. Motsvarande ström är

Läs mer

Sammanfattning av kursen ETIA01 Elektronik för D, Del 1 (föreläsning 1-10)

Sammanfattning av kursen ETIA01 Elektronik för D, Del 1 (föreläsning 1-10) Sammanfattning av kursen ETIA0 Elektronik för D, Del (föreläsning -0) Kapitel : sid 37 Definitioner om vad laddning, spänning, ström, effekt och energi är och vad dess enheterna är: Laddningsmängd q mäts

Läs mer

F1:13. 2 minutersövningar 2010 F1:30 F1:22. För att inte förlora signal kan följade göras: Analog elektronik Bertil Larsson

F1:13. 2 minutersövningar 2010 F1:30 F1:22. För att inte förlora signal kan följade göras: Analog elektronik Bertil Larsson F1:13 2 minutersövningar 2010 Analog elektronik Bertil Larsson För att inte förlora signal kan följade göras: Kodning Generera sekvenser som kan lagas vid bortfall (digitalt) Använda mer bandbredd Öka

Läs mer

IE1206 Inbyggd Elektronik

IE1206 Inbyggd Elektronik E06 nbyggd Elektronik F F3 F4 F Ö Ö P-block Dokumentation, Seriecom Pulsgivare,,, P, serie och parallell KK AB Pulsgivare, Menyprogram Start för programmeringsgruppuppgift Kirchhoffs lagar Nodanalys Tvåpolsatsen

Läs mer

Svar till Hambley edition 6

Svar till Hambley edition 6 Svar till Hambley edition 6 Carl Gustafson, Bertil Larsson 2011-01-20, mod 2012-11-07, mod 13-11-19 1 Svar Kapitel 1 P1.21P a = 60 W P b = 60 W P c = 210 W Positiv: absorbed (=upptagen, förbrukad) och

Läs mer

Växelström K O M P E N D I U M 2 ELEKTRO

Växelström K O M P E N D I U M 2 ELEKTRO MEÅ NIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Johan Pålsson 999-09- Rev.0 Växelström K O M P E N D I M ELEKTRO INNEHÅLL. ALLMÄNT OM LIK- OCH VÄXELSPÄNNINGAR.... SAMBANDET MELLAN STRÖM

Läs mer

Impedans och impedansmätning

Impedans och impedansmätning 2016-09- 14 Impedans och impedansmätning Impedans Många givare baseras på förändring av impedans Temperatur Komponentegenskaper Töjning Resistivitetsmätning i jordlager.... 1 Impedans Z = R + jx R = Resistans

Läs mer

Elektro och Informationsteknik LTH. Laboration 3 RC- och RL-nät i tidsplanet. Elektronik för D ETIA01

Elektro och Informationsteknik LTH. Laboration 3 RC- och RL-nät i tidsplanet. Elektronik för D ETIA01 Elektro och Informationsteknik LTH Laboration 3 R- och RL-nät i tidsplanet Elektronik för D ETIA01??? Telmo Santos Anders J Johansson Lund Februari 2008 Laboration 3 Mål Efter laborationen vill vi att

Läs mer

Tentamen eem076 Elektriska Kretsar och Fält, D1

Tentamen eem076 Elektriska Kretsar och Fält, D1 Tentamen eem076 Elektriska Kretsar och Fält, D1 Examinator: Ants R. Silberberg 21 maj 2012 kl. 08.30-12.30, sal: M Förfrågningar: Ants Silberberg, tel. 1808 Lösningar: Anslås tisdagen den 22 maj på institutionens

Läs mer

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 1 Transistorn del 1

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 1 Transistorn del 1 Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 1 Transistorn del 1 Jan Thim 1 F1: Transistorn del 1 Innehåll: Historia Funktion Karakteristikor och parametrar Transistorn som förstärkare Transistorn som switch

Läs mer

Laboration 6. A/D- och D/A-omvandling. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum

Laboration 6. A/D- och D/A-omvandling. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum Laboration 6 A/D- och D/A-omvandling A/D-omvandlare Digitala Utgång V fs 3R/2 Analog Sample R R D E C O D E R P/S Skiftregister R/2 2 N-1 Komparatorer Digital elektronik Halvledare, Logiska grindar Digital

Läs mer

TSTE93 Analog konstruktion

TSTE93 Analog konstruktion Applikationsområde Audio (hemmasystem) Relativt hög effekt (> 10 W, < 100W) per kanal TSTE93 Analog konstruktion Audiosystem konsert och liknande Effekter upp till 1 kw Högtalare Lågohmiga (4 ohm eller

Läs mer

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D Lars-Erik Cederlöf Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ET 013 för D1 1999-04-28 Tentamen omfattar 40 poäng, 2 poäng för varje uppgift. 20 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är

Läs mer

Laboration N o 1 TRANSISTORER

Laboration N o 1 TRANSISTORER Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson 22/10 2004 Analog elektronik 2 Laboration N o 1 TRANSISTORER namn: datum: åtgärda: godkänd: Målsättning: Denna laboration

Läs mer

Elektricitetslära och magnetism - 1FY808. Lab 3 och Lab 4

Elektricitetslära och magnetism - 1FY808. Lab 3 och Lab 4 Linnéuniversitetet Institutionen för fysik och elektroteknik Elektricitetslära och magnetism - 1FY808 Lab 3 och Lab 4 Ditt namn:... eftersom labhäften far runt i labsalen. 1 Laboration 3: Likström och

Läs mer

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II Funktion bipolär transistor Småsignal-modell Hybrid-p 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Optokomponenter pn-övergång:

Läs mer

Elektricitetslära och magnetism - 1FY808

Elektricitetslära och magnetism - 1FY808 Linnéuniversitetet Institutionen för datavetenskap, fysik och matematik Laborationshäfte för kursen Elektricitetslära och magnetism - 1FY808 Ditt namn:... eftersom labhäften far runt i labsalen. 1 1. Instrumentjämförelse

Läs mer

Laborationsrapport Elektroteknik grundkurs ET1002 Mätteknik

Laborationsrapport Elektroteknik grundkurs ET1002 Mätteknik Laborationsrapport Kurs Lab nr Elektroteknik grundkurs ET1002 1 Laborationens namn Mätteknik Namn Kommentarer Utförd den Godkänd den Sign 1 Elektroteknik grundkurs Laboration 1 Mätteknik Förberedelseuppgifter:

Läs mer

Elektronik grundkurs Laboration 1 Mätteknik

Elektronik grundkurs Laboration 1 Mätteknik Elektronik grundkurs Laboration 1 Mätteknik Förberedelseuppgifter: Uppgifterna skall lösas före laborationen med papper och penna och vara snyggt uppställda med figurer. a) Gör beräkningarna till uppgifterna

Läs mer

Föreläsning 10, Egenskaper hos tidsdiskreta system

Föreläsning 10, Egenskaper hos tidsdiskreta system Föreläsning 10, Egenskaper hos tidsdiskreta system Reglerteknik, IE1304 1 / 26 Innehåll Kapitel 18.1. Skillnad mellan analog och digital reglering 1 Kapitel 18.1. Skillnad mellan analog och digital reglering

Läs mer

Umeå universitet Tillämpad fysik och elektronik Ville Jalkanen mfl Laboration Tema OP. Analog elektronik för Elkraft 7.

Umeå universitet Tillämpad fysik och elektronik Ville Jalkanen mfl Laboration Tema OP. Analog elektronik för Elkraft 7. Laboration Tema OP Analog elektronik för Elkraft 7.5 hp 1 Applikationer med operationsförstärkare Operationsförstärkaren är ett byggblock för analoga konstruktörer. Den går att använda för att förstärka

Läs mer

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen januari 2008

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen januari 2008 januari 2008 (8) Institutionen för elektro och informationsteknik Daniel Sjöberg ETE5 Ellära och elektronik, tentamen januari 2008 Tillåtna hjälpmedel: formelsamling i kretsteori. Observera att uppgifterna

Läs mer

TENTAMEN Modellering av dynamiska system 5hp

TENTAMEN Modellering av dynamiska system 5hp TENTAMEN Modellering av dynamiska system 5hp - 0 Tid: måndag 8 Maj 0, kl 4-9 Plats: Polacksbacken Ansvarig lärare: Bengt Carlsson, tel 070-674590. Bengt kommer till tentasalen ca kl 6 och besvarar ev frågor.

Läs mer

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D Lars-Erik Cederlöf Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 03 för D 2000-05-03 Tentamen omfattar 40 poäng, 2 poäng för varje uppgift. 20 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är

Läs mer

10. Kretsar med långsamt varierande ström

10. Kretsar med långsamt varierande ström 1. Kretsar med långsamt varierande ström [RMC] Elektrodynamik, ht 25, Krister Henriksson 1.1 1.1. Villkor för långsamt varierande I detta kapitel behandlas den teori som kan användas för att analysera

Läs mer

Elektroteknikens grunder Laboration 1

Elektroteknikens grunder Laboration 1 Elektroteknikens grunder Laboration 1 Grundläggande ellära Elektrisk mätteknik Elektroteknikens grunder Laboration 1 1 Mål Du skall i denna laboration få träning i att koppla elektriska kretsar och att

Läs mer

Sammanfattning av likströmsläran

Sammanfattning av likströmsläran Innehåll Sammanfattning av likströmsläran... Testa-dig-själv-likströmsläran...9 Felsökning.11 Mätinstrument...13 Varför har vi växelström..17 Växelspännings- och växelströmsbegrepp..18 Vektorräknig..0

Läs mer

Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet. Agneta Bränberg TRANSISTORTEKNIK. Laboration.

Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet. Agneta Bränberg TRANSISTORTEKNIK. Laboration. Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet 2016-12-19 Agneta Bränberg Laboration TRANSISTORTEKNIK Analog II VT17 Målsättning: Denna laboration syftar till studenterna ska lära sig

Läs mer

Videoförstärkare med bipolära transistorer

Videoförstärkare med bipolära transistorer Videoförstärkare med bipolära transistorer IE1202 Analog elektronik - Joel Nilsson joelni at kth.se Innehåll i 1 Första försöket 1 1.1 Beräkningar....................................... 1 1.1.1 Dimensionering

Läs mer

Vad är elektricitet?

Vad är elektricitet? Vad är elektricitet? Vad är elektricitet? Grundämnenas elektriska egenskaper avgörs av antalet elektroner i det yttersta skalet - valenselektronerna! Skol-modellen av en Kiselatom. Kisel med atomnumret

Läs mer

Föreläsning 4/11. Lite om logiska operationer. Hambley avsnitt 12.7, 14.1 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar)

Föreläsning 4/11. Lite om logiska operationer. Hambley avsnitt 12.7, 14.1 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar) 1 Föreläsning 4/11 Hambley avsnitt 12.7, 14.1 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar) Lite om logiska operationer Logiska variabler är storheter som kan anta två värden; sann 1 falsk 0 De logiska

Läs mer

Instruktioner för laboration 2, Elektromagnetism och elektriska nät 1TE025 Elektriska system 1TE014

Instruktioner för laboration 2, Elektromagnetism och elektriska nät 1TE025 Elektriska system 1TE014 Instruktioner för laboration 2, Elektromagnetism och elektriska nät 1TE025 Elektriska system 1TE014 Mattias Wallin Datum: 15 februari 2010 16 februari 2010 1 Inledning I denna laboration ingår förberedande

Läs mer

Krets- och mätteknik, fk

Krets- och mätteknik, fk Krets- och mätteknik, fk Bertil Larsson 2014-08-19 Sammanfattning föreläsning ecka 1 Mål Få en förståelse för förstärkare på ett generellt plan. Kunna beskria olika typer a förstärkare och kra på dessa.

Läs mer

1.2 Två resistorer är märkta 220 ohm 0,5 W respektive 330 ohm 0,25 W. vilken är den största spänning som kan anslutas till:

1.2 Två resistorer är märkta 220 ohm 0,5 W respektive 330 ohm 0,25 W. vilken är den största spänning som kan anslutas till: Passiva komponenter. Vilken resistans och tolerans har en resistor märkt: a) röd, violett, gul, guld b) blå, grå, blå, silver c) brun, svart, svart, guld d) orange, vit, brun, röd, mellanrum, brun e) grön,

Läs mer

Införa begreppen ström, strömtäthet och resistans Ohms lag Tillämpningar på enkla kretsar Energi och effekt i kretsar

Införa begreppen ström, strömtäthet och resistans Ohms lag Tillämpningar på enkla kretsar Energi och effekt i kretsar Kapitel: 25 Ström, motstånd och emf (Nu lämnar vi elektrostatiken) Visa under vilka villkor det kan finnas E-fält i ledare Införa begreppet emf (electromotoric force) Beskriva laddningars rörelse i ledare

Läs mer

Ellära 2, Tema 3. Ville Jalkanen Tillämpad fysik och elektronik, UmU. 1

Ellära 2, Tema 3. Ville Jalkanen Tillämpad fysik och elektronik, UmU. 1 Ellära 2, ema 3 Ville Jalkanen illämpad fysik och elektronik, UmU ville.jalkanen@umu.se 1 Innehåll Periodiska signaler Storlek, frekvens,... Filter Överföringsfunktion, belopp och fas, gränsfrekvens ville.jalkanen@umu.se

Läs mer

Frekvensplanet och Bode-diagram. Frekvensanalys

Frekvensplanet och Bode-diagram. Frekvensanalys Frekvensplanet och Bode-diagram Frekvensanalys Signaler Allt inom elektronik går ut på att manipulera signaler genom signalbehandling (Signal Processing). Analog signalbehandling Kretsteori: Nod-analys,

Läs mer

Elektro och Informationsteknik LTH Laboration 4 Tidsplan, frekvensplan och impedanser

Elektro och Informationsteknik LTH Laboration 4 Tidsplan, frekvensplan och impedanser Elektro och Informationsteknik LTH Laboration 4 Tidsplan, frekvensplan och impedanser Elektronik för D ETIA01 Andrés Alayon Glasunov Palmi Thor Thorbergsson Anders J Johansson Lund Mars 2009 Laboration

Läs mer

Att fjärrstyra fysiska experiment över nätet.

Att fjärrstyra fysiska experiment över nätet. 2012-05-11 Att fjärrstyra fysiska experiment över nätet. Komponenter, t ex resistorer Fjärrstyrd labmiljö med experiment som utförs i realtid Kablar Likspänningskälla Lena Claesson, Katedralskolan/BTH

Läs mer

Ellära. Laboration 4 Mätning och simulering. Växelströmsnät.

Ellära. Laboration 4 Mätning och simulering. Växelströmsnät. Ellära. Laboration 4 Mätning och simulering. Växelströmsnät. Labhäftet underskrivet av läraren gäller som kvitto för labben. Varje laborant måste ha ett eget labhäfte med ifyllda förberedelseuppgifter

Läs mer

Elektronik grundkurs Laboration 6: Logikkretsar

Elektronik grundkurs Laboration 6: Logikkretsar Elektronik grundkurs Laboration 6: Logikkretsar Förberedelseuppgifter: 1. Förklara vad som menas med logiskt sving. 2. Förklara vad som menas med störmarginal. 3. Förklara vad som menas med stegfördröjning.

Läs mer

LabVIEW - Experimental Fysik B

LabVIEW - Experimental Fysik B LabVIEW - Robin Andersson Anton Lord robiand@student.chalmers.se antonlo@student.chalmers.se Januari 2014 Sammandrag Denna laboration går ut på att konstruera ett program i LabVIEW som kan på kommando

Läs mer

Digitala kretsars dynamiska egenskaper

Digitala kretsars dynamiska egenskaper dlab00a Digitala kretsars dynamiska egenskaper Namn Datum Handledarens sign. Laboration Varför denna laboration? Mycket digital elektronik arbetar med snabb dataöverföring och strömförsörjs genom batterier.

Läs mer

Tentamen i Elektronik, ESS010, och Elektronik för D, ETI190 den 10 jan 2006 klockan 14:00 19:00

Tentamen i Elektronik, ESS010, och Elektronik för D, ETI190 den 10 jan 2006 klockan 14:00 19:00 Tentamen i Elektronik, ESS00, och Elektronik för D, ETI90 den 0 jan 006 klockan 4:00 9:00 Tekniska Högskolan i Lund Institutionen för Elektrovetenskap Tentamen i Elektronik, ESS00, och Elektronik för D,

Läs mer

Laboration 1 Elektriska kretsar Online fjärrstyrd laborationsplats Blekinge Tekniska Högskola (BTH)

Laboration 1 Elektriska kretsar Online fjärrstyrd laborationsplats Blekinge Tekniska Högskola (BTH) Laboration 1 Elektriska kretsar Online fjärrstyrd laborationsplats Blekinge Tekniska Högskola (BTH) Likspänningsexperiment Namn: Elektriska kretsar Online fjärrstyrd laborationsplats Blekinge Tekniska

Läs mer

IF1330 Ellära KK1 LAB1 KK2 LAB2. tentamen

IF1330 Ellära KK1 LAB1 KK2 LAB2. tentamen F330 Ellära F/Ö F/Ö4 F/Ö2 F/Ö5 F/Ö3 Strömkretslära Mätinstrument Batterier Likströmsnät Tvåpolsatsen KK LAB Mätning av U och F/Ö6 F/Ö7 Magnetkrets Kondensator Transienter KK2 LAB2 Tvåpol mät och sim F/Ö8

Läs mer

Ellära. Laboration 2 Mätning och simulering av likströmsnät (Thevenin-ekvivalent)

Ellära. Laboration 2 Mätning och simulering av likströmsnät (Thevenin-ekvivalent) Ellära. Laboration 2 Mätning och simulering av likströmsnät (Thevenin-ekvivalent) Labhäftet underskrivet av läraren gäller som kvitto för labben. Varje laborant måste ha ett eget labhäfte med ifyllda förberedelseuppgifter

Läs mer

Cédric Cano Uppsala 25-11-99 701005-0693 Mätsystem F4Sys. Pulsmätare med IR-sensor

Cédric Cano Uppsala 25-11-99 701005-0693 Mätsystem F4Sys. Pulsmätare med IR-sensor édric ano Uppsala 51199 010050693 Mätsystem F4Sys Pulsmätare med Isensor Sammanfattning Jag har valt att konstruera en pulsmätare som arbetar genom att utnyttja Iteknik. Då ett finger placeras på Isensorn

Läs mer

IN Inst. för Fysik och materialvetenskap ---------------------------------------------------------------------------------------------- INSTRUKTION TILL LABORATIONEN INDUKTION ---------------------------------------------------------------------------------------------

Läs mer

Hambley avsnitt

Hambley avsnitt Föreläsning Hambley avsnitt 6.6.8 Filter [6.2, 6.5 6.8] Nästan all trådlös och trådbunden kommunikation är baserad på tidsharmoniska signaler. Signalerna utnyttjar ett frekvensband centrerad kring en bärfrekvens.

Läs mer

Laboration - Operationsfo rsta rkare

Laboration - Operationsfo rsta rkare 6-8- Laboration - Operationsfo rsta rkare 6-8- Introduktion och redovisning Operationsförstärkaren är ett byggblock för analoga konstruktörer. Den går att använda för att förstärka små signaler, för att

Läs mer

Laborationsrapport. Kurs El- och styrteknik för tekniker ET1015. Lab nr. Laborationens namn Lik- och växelström. Kommentarer. Utförd den.

Laborationsrapport. Kurs El- och styrteknik för tekniker ET1015. Lab nr. Laborationens namn Lik- och växelström. Kommentarer. Utförd den. Laborationsrapport Kurs El- och styrteknik för tekniker ET1015 Lab nr 1 version 1.2 Laborationens namn Lik- och växelström Namn Kommentarer Utförd den Godkänd den Sign 1 Inledning I denna laboration skall

Läs mer

PROJEKTLABORATION i Analog Elektronik.

PROJEKTLABORATION i Analog Elektronik. PROJEKTLABORATION i Analog Elektronik. Uppgiften i denna laboration är att konstruera en effektförstärkare med HIFIegenskaper för ljudåtergivning. Arbetet består av tre moment: 1. TEORI. 1. Teori 2. Simulering

Läs mer

FÖRELÄSNING 8. Översikt på mikrochipsteknologi. I/O-kretsar. Mikrochipstillverkning. Föreläsning 8

FÖRELÄSNING 8. Översikt på mikrochipsteknologi. I/O-kretsar. Mikrochipstillverkning. Föreläsning 8 FÖRELÄSNING 8 Översikt på mikrochipsteknologi I/O-kretsar Mikrochipstillverkning Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 1(37) Översikt på mikrochipsteknologi (S&S4+5 Appendix

Läs mer

4:8 Transistorn och transistorförstärkaren.

4:8 Transistorn och transistorförstärkaren. 4:8 Transistorn och transistorförstärkaren. Inledning I kapitlet om halvledare lärde vi oss att en P-ledare har positiva laddningsbärare, och en N-ledare har negativa laddningsbärare. Om vi sammanfogar

Läs mer

ELLÄRA Laboration 4. Växelströmslära. Seriekrets med resistor, spole och kondensator

ELLÄRA Laboration 4. Växelströmslära. Seriekrets med resistor, spole och kondensator ELLÄA Laboration 4 Växelströmslära Moment 1: Moment 2: Moment 3: Moment 4: Moment 5: Moment 6: eriekrets med resistor och kondensator eriekrets med resistor och spole Parallellkrets med resistor och spole

Läs mer

Vanliga förstärkarkopplingar med operationsförstärkaren

Vanliga förstärkarkopplingar med operationsförstärkaren UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors 1996-09-22 Vanliga förstärkarkopplingar med operationsförstärkaren Laboration E36 ELEKTRO Laboration E36 Vanliga förstärkarkopplingar

Läs mer

2. Strömförstärkare: Både insignal och utsignal är strömmar. Förstärkarens inresistans

2. Strömförstärkare: Både insignal och utsignal är strömmar. Förstärkarens inresistans 1 Föreläsning 1, Ht 2 Hambley asnitt 11.11, 14.1 Fyra typer a förstärkare s 0 s i ut s in i A in ut L s in i G L in 0 Spänningsförstärkare Spänningströmförstärkare (transadmittansförst.) i in 0 i in i

Läs mer

SM Serien Strömförsörjning. Transistorn

SM Serien Strömförsörjning. Transistorn Transistorn Transistorn är en av de viktigaste uppfinningar som gjorts under modern tid. Utan denna skulle varken rymdfärder eller PC-datorer vara möjliga. Transistorn ingår som komponent i Integrerade

Läs mer

Föreläsnng Sal alfa

Föreläsnng Sal alfa LE1460 Föreläsnng 2 20051107 Sal alfa. 13.15 17.00 Från förra gången Ström laddningar i rörelse laddningar per tidsenhet Spännig är relaterat till ett arbet. Arbete per laddningsenhet. Spänning är potetntialskillnad.

Läs mer

Laborationsrapport. Kurs Elinstallation, begränsad behörighet. Lab nr 2. Laborationens namn Växelströmskretsar. Kommentarer. Utförd den.

Laborationsrapport. Kurs Elinstallation, begränsad behörighet. Lab nr 2. Laborationens namn Växelströmskretsar. Kommentarer. Utförd den. Laborationsrapport Kurs Elinstallation, begränsad behörighet Lab nr 2 version 3.1 Laborationens namn Växelströmskretsar Namn Kommentarer Utförd den Godkänd den Sign 1 Inledning I denna laboration skall

Läs mer

Laboration 2 Elektriska kretsar Online fjärrstyrd laborationsplats Blekinge Tekniska Högskola (BTH)

Laboration 2 Elektriska kretsar Online fjärrstyrd laborationsplats Blekinge Tekniska Högskola (BTH) Laboration 2 Elektriska kretsar Online fjärrstyrd laborationsplats Blekinge Tekniska Högskola (BTH) Växelspänningsexperiment Namn: Elektriska kretsar Online fjärrstyrd laborationsplats Blekinge Tekniska

Läs mer

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D Lars-Erik Cederlöf Per Liljas Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D1 2001-05-28 Tentamen omfattar 40 poäng, 2 poäng för varje uppgift. 20 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet

Läs mer

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II Föreläsning 9 ipolära Transistorer Funktion bipolär transistor Småsignal-modell Hybrid-p Designparametrar 1 Komponentfysik - Kursöversikt ipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Optokomponenter

Läs mer

Poler och nollställen, motkoppling och loopstabilitet. Skrivet av: Hans Beijner 2003-07-27

Poler och nollställen, motkoppling och loopstabilitet. Skrivet av: Hans Beijner 2003-07-27 Poler och nollställen, motkoppling och loopstabilitet Skrivet av: Hans Beijner 003-07-7 Inledning All text i detta dokument är skyddad enligt lagen om Copyright och får ej användas, kopieras eller citeras

Läs mer

TENTAMENSUPPGIFTER I ELEKTROTEKNIK

TENTAMENSUPPGIFTER I ELEKTROTEKNIK ELEKTROTEKNIK MASKINKONSTRUKTION KTH TENTAMENSUPPGIFTER I ELEKTROTEKNIK Elektroteknik för MEDIA och CL, MF1035 7/6-2016 14.00-18.00 Du får lämna salen tidigast 1 timme efter tentamensstart. Du får, som

Läs mer

Välkomna till TSRT19 Reglerteknik M Föreläsning 9

Välkomna till TSRT19 Reglerteknik M Föreläsning 9 Välkomna till TSRT19 Reglerteknik M Föreläsning 9 Sammanfattning av föreläsning 8 Prestandabegränsningar Robusthet Mer generell återkopplingsstruktur Sammanfattning av förra föreläsningen H(s) W(s) 2 R(s)

Läs mer