Komponentfysik ESS030. Den bipolära transistorn
|
|
- Gun Hermansson
- för 7 år sedan
- Visningar:
Transkript
1 Komponentfysik ESS030 Den bipolära transistorn T- 2016
2 Syfte Syftet med denna laboration är att studenten ska bekanta sig med den grundläggande fysiken i en bipolär transistor. Det fundamentala byggblocket i en bipolär transistor är pn- övergången och under laborationen kommer även denna att studeras. iktiga begrepp, för en blivande civilingenjör i Elektroteknik, kommer att tas upp i laborationen. Begrepp som till exempel Earlyspänningen och den inbyggda spänningen, kommer att bestämmas utifrån mätdata och kopplas till den teori som lärts ut i kursen. Dessa begrepp ger viktig information om hur en transistor beter sig och vilka begränsningar som gäller vid användning. Utifrån detta kan man lättare i framtiden finna en transistor med rätt egenskaper vid kretskonstruktion. Tidigare erfarenheter har visat att studenten brukar ha svårt för att förstå den bipolära transistorn och därför för att öka förståelsen kommer en npn- dopad bipolär transistor att analyseras under laborationen. Detta är samma transistorer som används under första laborationen i analog elektronik. Förberedelser Läs igenom laborationshandledningen och försäkra dig om att du känner till de begrepp och fenomen som diskuteras. Läs gärna även de sidor i boken som listas under Läsanvisningar. Studera särskilt banddiagrammet för en npn- transistor som finns i figur 6.1 i kursboken och jämför med banddiagrammen för en framspänd pn- övergång (t ex figur 4.12 d) och en backspänd pn- övergång (t ex figur 4.13 d). Läsanvisningar Relevanta sidor för laborationen finns listade nedan och gäller för sjunde upplagan av kursboken. Lägg inte för stor vikt vid härledningarna utan försök istället fokusera på den fysikaliska förståelsen. Dioder: 56-60, 75-88, 90-92, , Den bipolära transistorn: , , , , Diodekvationen Hur strömmen, I, genom en pn- diod påverkas som en funktion av pålagd spänning, U!, kan beskrivas med den ideala diodekvationen I = I!!! e!!! 1. I ekvationen ovan är U! den termiska spänningen, m är idealitetskonstanten och I! är backspänningsströmmen. Arbetsmoder Enkelt uttryckt består en bipolär transistor utav två pn- övergångar som tillsammans styr över transistorns beteende vid olika strömmar och spänningar. Den ena pn- övergången sitter mellan emittern och basen medan den andra är mellan basen och kollektorn. Det är genom bas- området som alla strömmarna går genom, den ena är basströmen, I B, och den andra är kollektorströmmen, I C. Storleken på respektive ström styrs utav den pålagda spänningen över bas- emitterövergången, U BE, respektive kollektor- basövergången, U CE. Med dessa spänningar bestäms ifall övergångarna är framspända eller backspända, vilket gör att transistorn beter sig annorlunda beroende på vilka
3 tillstånd som pn- övergångarna opererar i. Det finns totalt fyra tillstånd, arbetsmoder, som transistor kan vara i och dessa återges nedan i Tabell 1. Tabell 1 Bipolära transistorns olika arbetsmoder. Emitter- bas pn- övergången Kollektor- bas pn- övergången Aktiv/normal Framspänd Backspänd Inverterad Backspänd Framspänd Strypt Backspänd Backspänd Bottnad Framspänd Framspänd Kapacitans Till kapacitansen i en pn- övergång finns det två stycken bidrag. Dessa är utarmningskapacitansen, C!, och diffusionskapacitansen, C!"##. Summan av dessa båda bidragen utgör den totala kapacitancen för pn- övegången. För en n + p- diod kan utarmningskapacitansen beskrivas med C! =!!!!!!!!!!!!"!!! och diffusionskapacitansen kan beskrivas med!! e!! C!"## =!"!!!!!!!!! 1. I ekvationerna ovan är A arean på pn- övergången, μ! är elektronmobiliteten, ε! är permittivitetskonstanten, ε! är den relativa permittiviteten, n!! är elektronkoncetrationen på p- sidan i jämvikt, N! är acceptorkoncentrationen, U!" är den inbyggda spänningen, e är elementarladdningen och W! är p- områdets längd. Laborationsmoment Under laborationen utförs ett antal mätningar på en bipolär npn- transistor och en pn- övergång. Dessa mätningar görs med hjälp av voltmetrar, amperemetrar, potentiometrar, spänningskällor och en kapacitansmeter. Efter varje mätning följer ett antal kontrollfrågor med syfte att öka förståelsen av mätningarna som utföres. Svaren på dessa frågor ska redovisas för handledaren innan laborationen är slut. Strömmätning av en pn- övergång En bipolär transistor består av två stycken pn- övergångar som är ihopasatta vid basen. För att studera en av dessa pn- övergångar utan påverkan av den andra, lämnas kollektor flytande. Eftersom dess elektrod inte är kopplad till något kommer ingen ström att flyta till eller från kollektorn. En möjlig uppkoppling för mätning av bas- emitter pn- övergången, kan ses i 1.
4 + - A Figur 1 Mätuppställning för strömmätning för en bipolär npn- transistor med flytande kollektor. Alternativt kan transistorn bytas ut mot en diod. En potentiometer används för att styra den applicerade spänningen. Denna spänning mäts av en voltmeter, som är kopplad över pn- övergången och en seriekopplad amperemeter. Strömmen mäts av den seriekopplade amperemetern. Spänningen ska varieras från 0 och upp till dess att strömmätaren bottnar vid 2 ma. Genomför mätningarna både i rumstemperatur (300 K) och med komponenten nedsänkt i flytande kväve (77 K). När mätningarna har utförts, plotta värdena i Matlab med rumstemperatur- och kvävemätningarna i samma graf. Generera två figurer: en linjär och en med logaritmerade strömvärden. Kontrollfrågor ilken kurvform har den uppmätta strömmen som en funktion av spänningen? o Är detta det förväntade sambandet? Förklara kurvformen med hjälp av teorin för en pn- övergång. Förklara temperaturberoendet. Kapacitansmätning av en pn- övergång En möjlig uppkoppling för att mäta kapacitansen som en funktion av spänningen för en pn- övergång kan ses i Kapacitansmeter Figur 2 Mätuppställning för kapacitansmätning för en bipolär npn- transistor med flytande kollektor. Mellan basen och emittern (alternativt över en diod) kopplas en kapacitansmeter, som i sin tur är kopplad till en potentiometer. Potentiometern används för att manuellt styra den pålagda DC- spänningen. Den applicerade spänningen mäts med en voltmeter. För dessa kapacitansmätningar ska spänningen varieras mellan - 2 och 1 med steg om 0,2. För dessa spänningar antecknas den erhållna kapacitansen och då detta görs på ett analogt mätinstument är det viktigt att avläsningen görs så noggrant som möjligt. På kapacitansmetern kan man ändra skala på de visade värdena men det kan vara små avvikelser mellan de olika skalorna. Försök därför att hålla så många värden som möjligt inom samma mätområde för så hög mätprecision som möjligt. När mätningarna utförts, plotta kapacitansens som funktion av spänningen i Matlab och studera hur kapacitansen ändras med spänningen.
5 Kontrollfrågor Förklara utseendet på kurvan med hjälp av teorin. Kan man se två stycken överlagrade kapacitansbidrag? o I så fall, vilka är de olika bidragen och hur beror de på spänningen? Hur kan man från den uppmätta kapacitansen extrahera den inbyggda spänningen, U!"? Strömmätningar av en bipolär npn- transistor För att fullt kunna karaktärisera en bipolar transistor och studera dess operation är det nödvändigt att kunna mäta bade bas- och kollektorström samtidigt som man applicerar spänningar på dessa terminaler. En koppling som kan åstadkomma denna mätning ses i figur 3. A + - A Figur 3 Mätuppställning för mätning av både kollektor- och basströmmen för en bipolär npn- transistor. Till båda terminalerna är en potentiometer kopplad som gör att spänningen på dem kan styras. Spänningarna mäts med voltmetrar och strömmarna mäts med seriekopplade amperemetrar på kollektor- och basterminalen. Emittern fungerar i detta fall som referensnivå. Ett antal svep ska utföras med denna mätuppställning under laborationen. Dels kommer kollektorspänningen att svepas vid konstant basspänning och dels kommer basspänningen att svepas vid konstant kollektorspänning. Plotta i Matlab och studera hur både bas- och kollektorströmmen beter sig som en funktion av kollektorspänning och basspänning. Kontrollfrågor Hur förhåller sig basströmmen gentemot kollektorströmmen? Då basspänningen sveps, vad är det resulterande sambandet mellan strömmarna och den pålagda spänningen? o Är detta förväntat? Då kollektorspänningen varieras, förklara kollektorströmmens beteende och notera de olika arbetsmoderna. Studera speciellt strömmen vid U!" = 0. o Hur kan man med hjälp av kollektorspänningssvepet extrahera Earlyspänningen?
6 Analys av uppmätt data En del analys kan utföras på den uppmätta datan. Förutom att datan ska plottas upp så kan datan användas för att studera den bipolära transistorn och extrahera relevanta parametrar. Strömmen som funktion av spänningen för en pn- övergång Plotta i samma graf I som funktion av U för pn- övergången vid både rumstemperatur och i flytande kväve. Plotta därefter samma data med strömmen logaritmerad. Som nämnts i kursboken så dominerar diffusionsströmmen vid normala spänningar, dock vid låga och höga spänningar så är det andra strömmar och effekter som dominerar och påverkar kurvans utseende. Resultatet på en lin- log- skala blir därför en kurva vars lutning ändras för olika spänningsintervall. Bestäm lutningen för de olika intervallen med hjälp av regressionsanalys och från de erhållna värdena bestäm idealitetskonstanten. Utifrån värdena för idealitetskonstanten, bestäm vilken ström som är den dominerande för respektive spänningsintervall. C tot som funktion av U BE Den totala kapacitansen består av två olika kapacitanser som bidrar olika mycket beroende på vilken spänning som ligger över pn- övergången. Plotta C tot som funktion av U och förklara utifrån teorin varför kapacitansbidraget ändras vid framspänning. Plotta också 1/C 2 som funktion av U och därefter anpassa en linje med hjälp av regressionsanalys i det backspända området. Använd denna anpassade linje för att bestämma U bi. I C samt I B som funktion av U CE Transistorn jobbar vid olika arbetsmoder vid olika spänningar. Ge en kortare beskrivning av de olika arbetsmoderna. Plotta I C och I B som funktion av U CE. Identifiera de olika arbetsmoderna samt ange mellan vilka spänningar som respektive arbetsmod gäller. Storleken på de två strömmarna, I C och I B, avviker från varandra och detta är grunden för att den bipolära transistorn ska kunna användas i förstärkarsammanhang. Strömförstärkningen, β, är kvoten mellan I C och I B. Plotta β som funktion av U CE. Utifrån den plottade grafen, ange inom vilket intervall transistor bör operera för att man ska få ut en maximal strömförstärkning. En annan viktig parameter för transistorn är Earlyspänningen, A. Beskriv kortfattat vad som orsakar Earlyeffekten samt vilken effekt den i praktiken har på transistors egenskaper. Utifrån uppmätt data, bestäm Earlyspänningen för den uppmätta transistorn. I C samt I B som funktion av U BE Plotta I C och I B som funktion av U BE med linjära skalor. Identifiera vilken eller vilka arbetsmoder transistorn opererar i och mellan vilka spännings intervall detta sker. Plotta också de logaritmerade strömmarna, med både I C och I B i samma graf, och extrahera idealitetskonstanterna. Kommentera de erhållna värdena baserat på den rådande teorin. Strömförstärkningen, β, kan också extraheras ur den uppmätta datan. Utför denna extrahering och kommentera hur β varierar med den pålagda spänningen i det uppmätta intervallet. Redovisning Redovisa dina resultat och svar på kontrollfrågorna för handledaren innan laborationens slut. Har allt gått bra är du därmed godkänd på laborationen.
Den bipolä rä tränsistorn
Komponentfysik ESS3 Laborationshandledning av: Martin Berg Elvedin Memišević Den bipolä rä tränsistorn VT-213 Syfte Syftet med denna laboration är att studenten ska bekanta sig med den grundläggande fysiken
Läs merUtredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod?
Komponentfysik Uppgifter Bipolärtransistor VT-15 Utredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod? III: Definiera övergångsfrekvensen
Läs merI: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn.
Komponentfysik Övning 4 VT-10 Utredande uppgifter: I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn. II: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor.
Läs merFöreläsning 11 Bipolära Transistorer I. BJT Bipolar JuncDon Transistor. FunkDon bipolär transistor. DC operadon, strömförstärkning
Föreläsning 11 ipolära ransistorer J ipolar JuncDon ransistor FunkDon bipolär transistor Geometri npn D operadon, strömförstärkning OperaDonsmoder Early- effekten pnp transistor G. alla 1 deal transistor
Läs merFöreläsning 12 Bipolära Transistorer II. Funk<on bipolär transistor
Föreläsning 1 Bipolära Transistorer II Funk
Läs merTentamen i Komponentfysik ESS030, ETI240/0601 och FFF090
011-01-10 08 00-13 00 Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI40/0601 och FFF090 Hjälpmedel: TEFYMA, ordlista, beteckningslista, formelsamlingar och räknare. Max 5p, för godkänt krävs 10p. Om inget annat
Läs merMoment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 1 Transistorn del 1
Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 1 Transistorn del 1 Jan Thim 1 F1: Transistorn del 1 Innehåll: Historia Funktion Karakteristikor och parametrar Transistorn som förstärkare Transistorn som switch
Läs merFöreläsning 9 Bipolära Transistorer II
Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II Funktion bipolär transistor Småsignal-modell Hybrid-p 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Optokomponenter pn-övergång:
Läs merFormelsamling för komponentfysik. eller I = G U = σ A U L Småsignalresistans: R = du di. där: σ = 1 ρ ; = N D + p n 0
Uppdaterad: 01-05-5 Anders Gustafsson Formelsamling för komponentfysik Halvledare och Ström (transport) Kapacitans: C = Q Småsignalkapacitans: C = dq U du Plattkondensator: C = A ε r ε r d Parallellkoppling:
Läs merFormelsamling för komponentfysik
Uppdaterad: 010-01-18 Anders Gustafsson Formelsamling för komponentfysik Halvledare och Ström (transport) Kapacitans: C = Q Småsignalkapacitans: C = dq U du Plattkondensator: C = A r r d Parallellkoppling:
Läs merOm inget annat anges så gäller det kisel och rumstemperatur (300K)
Komponentfysik Uppgifter pn del VT-15 Om inget annat anges så gäller det kisel och rumstemperatur (300K Utredande uppgifter: I: En diod har två typer av kapacitanser, utarmningskapacitans och diffusionskapacitans.
Läs merÖvningsuppgifter i Elektronik
1 Svara på följande frågor om halvledarkomponenter. Övningsuppgifter i Elektronik a) Vad är utmärkande för ett halvledarmaterial? b) Vad innebär egenledning och hur kan den förhindras? c) edogör för dopning
Läs merUtredande uppgifter. 2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de tre fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen.
Komponentfysik Övning VT-10 Utredande uppgifter Ia) Rita skisser med nettoladdning, elektriskt fält och bandstruktur för en symmetrisk pn-övergång. b) Rita motsvarande skisser som i (a), men med en pålagd
Läs merTentamen i komponentfysik
Tentame komponentfysik 009-05-8 08 00-13 00 Hjälpmedel: TEFYMA, ordlista, beteckningslista, formelsamlingar och räknare. Max 5p, för godkänt krävs 10p. Om inget annat anges, så antag att det är kisel (Si),
Läs merIntroduktion till halvledarteknik
Introduktion till halvledarteknik Innehåll 7 Fälteffekttransistorer MOS-transistorn strömekvation MOS-transistorn kanal mobilitet Substrat bias effekt 7 Bipolar transistorn Introduktion Minoritets bärare
Läs merRättade inlämningsuppgifter hämtas på Kents kontor Föreläsning 4 Må 11.00-11.30, 12.30-13.15 Kent Palmkvist To 11.00-11.30, 12.30-13.
/5/14 15:56 Praktisk info, forts. Löst uppgift Fyll i ett konvolut (återanvänds tills uppgiften godkänd TTE Elektronik Konvolut hittas ovanpå den svarta brevlåda som svar lämnas i vart brevlåda placerad
Läs merOm inget annat anges så gäller det kisel och rumstemperatur (300K)
Komponentfysik Övning 3 VT-0 Om inget annat anges så gäller det kisel och rumstemperatur (300K) Utredande uppgifter: I: En diod har två typer av kapacitanser, utarmningskapacitans och diffusionskapacitans.
Läs mer2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de två fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen.
Komponentfysik Uppgifter pn del 1 VT-15 Utredande uppgifter Ia) Rita skisser med nettoladdning, elektriskt fält och bandstruktur för en symmetrisk pn-övergång. b) Rita motsvarande skisser som i a), men
Läs merLaboration: pn-övergången
LTH: FASTA TILLSTÅNDETS FYSIK Komponentfysik för E Laboration: pn-övergången Utförd datum Inlämnad datum Grupp:... Laboranter:...... Godkänd datum Handledare: Retur Datum: Återinlämnad Datum: Kommentarer
Läs merKomponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Hålltider --- Ellära: Elektriska fält, potentialer och strömmar
Komponentfysik 2014 Introduktion Kursöversikt Hålltider --- Ellära: Elektriska fält, potentialer och strömmar 1 Lite om mig själv Erik Lind (Erik.Lind@eit.lth.se) Lektor i nanoelektronik vid EIT sedan
Läs merElektronik. Lars-Erik Cederlöf
Elektronik LarsErik Cederlöf 1 Ledare och isolatorer Ledare för elektrisk ström har atomer med fria rörliga laddningar i yttersta skalet. Exempel på ledare är metallerna koppar och aluminium. Deras atomer
Läs merTSTE20 Elektronik 01/31/ :24. Nodanalys metod. Nodanalys, exempel. Dagens föreläsning. 0. Förenkla schemat 1. Eliminera ensamma spänningskällor
0/3/204 0:24 Nodanalys metod 0. Förenkla schemat. liminera ensamma TST20 lektronik 2. Jorda en nod 3. nför nodpotentialer 4. nför referensriktningar på strömmarna i nätet 5. Sätt upp ekvation för varje
Läs merUMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors Transistorswitchen. Laboration E25 ELEKTRO
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors 1997-01-14 Transistorswitchen Laboration E25 ELEKTRO Laboration E25 Transistorswitchen 2 Nyckelord Switch, bottnad- och strypt
Läs merFöreläsning 9 Bipolära Transistorer II
Föreläsning 9 ipolära Transistorer Funktion bipolär transistor Småsignal-modell Hybrid-p Designparametrar 1 Komponentfysik - Kursöversikt ipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Optokomponenter
Läs merTentamen i komponentfysik Halvledare 6,0p. 2. Dioder 7,5p.
Tentamen i komponentfysik 2010-05-31 08 00-13 00 Hjälpmeel: TEFYMA, orlista, beteckningslista, formelsamlingar och räknare. Max 25p, för gokänt resultat krävs 10p. Om inget annat anges, antag att et är
Läs merLösningar Tenta
Lösningar Tenta 110525 1) a) Driftström: Elektriskt laddade partiklar (elektroner och hål) rör sig i ett elektriskt fält. Detta ger upphov till en ström som följer ohms lag. Diffusion: Elektroner / hål
Läs merFöreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren
Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren /Krister Hammarling 1 Transistorn Innehåll: Historia Funktion Karakteristikor och parametrar Transistorn som förstärkare Transistorn som switch Felsökning
Läs merLaboration N o 1 TRANSISTORER
Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson 22/10 2004 Analog elektronik 2 Laboration N o 1 TRANSISTORER namn: datum: åtgärda: godkänd: Målsättning: Denna laboration
Läs merMätningar på transistorkopplingar
Ellab015A Mätningar på transistorkopplingar Namn Datum Handledarens sign. Laboration Varför denna laboration? Transistorn är en av de allra viktigaste komponenterna inom elektroniken. I den här laborationen
Läs merOptiska och elektriska egenskaper hos pn-övergången
FASTA TILLSTÅNDETS FYSIK och ELEKTRONISKA MATERIAL 2018 Optiska och elektriska egenskaper hos pn-övergången Labben bygger mest på kapitel 6 och 7 i kompendiet. Lös förberedelseuppgift 1-8 innan labben
Läs merNär man förklarar experiment för andra finns det en bra sekvens att följa:
Den inledande teoridelen ska läsas av alla studenter före laborationstillfället. Tänk igenom och lös förberedelseuppgifterna innan labben det kommer ni att ha nytta av. De mest relevanta kapitlena i kompendiet
Läs merSM Serien Strömförsörjning. Transistorn
Transistorn Transistorn är en av de viktigaste uppfinningar som gjorts under modern tid. Utan denna skulle varken rymdfärder eller PC-datorer vara möjliga. Transistorn ingår som komponent i Integrerade
Läs merLaboration i Tunneltransport. Fredrik Olsen
Laboration i Tunneltransport Fredrik Olsen 9 maj 28 Syfte och Teori I den här laborationen fick vi möjlighet att studera elektrontunnling över enkla och dubbla barriärer. Teorin bakom är den som vi har
Läs merFöreläsning 8 Bipolära Transistorer I
Föreläsning 8 iolära ransistorer Funktion biolär transistor Geometri nn D oeration, strömförstärkning Oerationsmoder Early-effekten n transistor 1 Komonentfysik - Kursöversikt iolära ransistorer n-övergång:
Läs merHalvledare. Transistorer, Förstärkare
Halvledare Transistorer, Förstärkare Om man har en två-ports krets v in (t) ~ v ut (t) R v ut (t) = A v in (t) A är en konstant: Om A är mindre än 1 så kallas kretsen för en dämpare Om A är större än 1
Läs merFöreläsning 8 Bipolära Transistorer I
Föreläsning 8 iolära ransistorer Funktion biolär transistor Geometri nn D oeration, strömförstärkning Oerationsmoder Early-effekten n transistor G. alla 1 Komonentfysik - Kursöversikt iolära ransistorer
Läs merOptiska och elektriska egenskaper hos pn- övergången
FASTA TILLSTÅNDETS FYSIK och ELEKTRONISKA MATERIAL 2013 Optiska och elektriska egenskaper hos pn- övergången Den inledande teoridelen ska läsas av alla studenter före laborationstillfället. Tänk igenom
Läs merNär man förklarar experiment för andra finns det en bra sekvens att följa:
Den inledande teoridelen ska läsas av alla studenter före laborationstillfället. Tänk igenom och lös förberedelseuppgifterna innan labben! De mest relevanta kapitlena i kompendiet är kapitel 6 och 7 om
Läs merMoment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2
Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 2 Transistorn del 2 Jan Thim 1 F2: Transistorn del 2 Innehåll: Fälteffekttransistorn - JFET Karakteristikor och parametrar MOSFET Felsökning 2 1 Introduktion Fälteffekttransistorer
Läs merFör att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet.
Kortslutningsskydd För att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet. Utströmmen passerar R4, ett lågohmigt
Läs merOptiska och elektriska egenskaper hos pn-övergången
FASTA TILLSTÅNDETS FYSIK och ELEKTRONISKA MATERIAL 2017 Optiska och elektriska egenskaper hos pn-övergången Labben bygger mest på kapitel 6 och 7 i kompendiet. Lös förberedelseuppgift 1-8 innan labben
Läs merEllära. Laboration 2 Mätning och simulering av likströmsnät (Thevenin-ekvivalent)
Ellära. Laboration 2 Mätning och simulering av likströmsnät (Thevenin-ekvivalent) Labhäftet underskrivet av läraren gäller som kvitto för labben. Varje laborant måste ha ett eget labhäfte med ifyllda förberedelseuppgifter
Läs merTentamen i Elektronik fk 5hp
Tentamen i Elektronik fk 5hp Tid: kl 9.13. Måndagen den 16 Mars 29 Sal: Bingo Hjälpmedel: formelsamling elektronik (14 sidor), formelsamling ellära samt valfri räknare. Maxpoäng: 3 Betyg: 12p3:a, 18p4:a
Läs mernmosfet och analoga kretsar
nmosfet och analoga kretsar Erik Lind 22 november 2018 1 MOSFET - Struktur och Funktion Strukturen för en nmosfet (vanligtvis bara nmos) visas i fig. 1(a). Transistorn består av ett p-dopat substrat och
Läs merTRANSISTORER. Umeå universitet Institutionen för tillämpad. fysik och elektronik. Patrik Eriksson
Institutionen för tillämpad 2013-09-05 fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Agneta Bränberg Redigerad av Johan Haake Redigerad av Nils Lundgren TRANSISTORER Målsättning: Denna
Läs merVideoförstärkare med bipolära transistorer
Videoförstärkare med bipolära transistorer IE1202 Analog elektronik - Joel Nilsson joelni at kth.se Innehåll i 1 Första försöket 1 1.1 Beräkningar....................................... 1 1.1.1 Dimensionering
Läs merElektroteknikens grunder Laboration 3. OP-förstärkare
Elektroteknikens grunder Laboration 3 OPförstärkare Elektroteknikens grunder Laboration 3 Mål Du ska i denna laboration studera tre olika användningsområden för OPförstärkare. Den ska användas som komparator,
Läs merBeskrivande uppgifter: I: Vad skiljer det linjära området och mättnadsområdet i termer av inversionskanal?
Komponentfysik Övningsuppgifter MOS del II VT-5 Beskrivande uppgifter: I: Vad skiljer det linjära området och mättnadsområdet i termer av inversionskanal? II: Vad skiljer en n-mosfet från en p-mosfet när
Läs merLaboration 2: Likström samt upp och urladdningsförlopp
TSTE20 Elektronik Laboration 2: Likström samt upp och urladdningsförlopp v0.5 Kent Palmkvist, ISY, LiU Laboranter Namn Personnummer Godkänd Översikt I denna labb kommer ni bygga en strömkälla, och mäta
Läs merTvåvägsomkopplaren som enkel strömbrytare
Tvåvägsomkopplaren som enkel strömbrytare - Ställ omkopplaren i läge samt därefter i läge. Vad händer? - Kan du få omkopplaren att fungera på något annat sätt? 1 Seriekoppling av lampor - Skruva ur en
Läs merLablokalerna är i samma korridor som där ni gjorde lab1.
Den inledande teoridelen ska läsas av alla studenter före laborationstillfället. Tänk igenom och lös förberedelseuppgifterna innan labben det kommer ni att ha nytta av. De mest relevanta kapitel i kompendiet
Läs merLaborationsrapport Elektroteknik grundkurs ET1002 Mätteknik
Laborationsrapport Kurs Lab nr Elektroteknik grundkurs ET1002 1 Laborationens namn Mätteknik Namn Kommentarer Utförd den Godkänd den Sign 1 Elektroteknik grundkurs Laboration 1 Mätteknik Förberedelseuppgifter:
Läs merTentamen ETE115 Ellära och elektronik för F och N,
Tentamen ETE5 Ellära och elektronik för F och N, 2009 0602 Tillåtna hjälpmedel: formelsamling i kretsteori och elektronik. Observera att uppgifterna inte är ordnade i svårighetsordning. Alla lösningar
Läs merElektronik grundkurs Laboration 1 Mätteknik
Elektronik grundkurs Laboration 1 Mätteknik Förberedelseuppgifter: Uppgifterna skall lösas före laborationen med papper och penna och vara snyggt uppställda med figurer. a) Gör beräkningarna till uppgifterna
Läs merFFY616. Halvledarteknik. Laboration 4 DIODER
Halvledarteknik Laboration 4 DIODER Målet med denna laboration är att du skall lära dig hur olika typer av dioder fungerar och hur man kan använda dem Laborant: Godkänt den.. av. M. K. Friesel, I. Albinsson
Läs merMålsättning: Utrustning och material: Denna laboration syftar till att ge studenten:
Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Agneta Bränberg Redigerad av Johan Haake Redigerad av Agneta Bränberg 2016-11-14 TRANSISTORER Målsättning:
Läs merIntroduktion till halvledarteknik
Introduktion till halvledarteknik Innehåll 6 Övergångar (pn och metal-halvledare) 2:a ordningens effekter Metal-halvledar övergångar 6 Fälteffekttransistorer JFET och MOS transistorer Ideal MOS kapacitans
Läs merKomponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Varför Komponentfysik? Hålltider --- Ellära, Elektriska fält och potentialer
Komponentfysik 2012 Introduktion Kursöversikt Varför Komponentfysik? Hålltider Ellära, Elektriska fält och potentialer 1 Lite om mig själv Erik Lind (Erik.Lind@eit.lth.se) Civ. Ing. i Teknisk Fysik Doktorerade
Läs merLabb-PM MCC086 Mikroelektronik 2016
Labb-PM MCC086 Mikroelektronik 2016 Syfte med labben: Att få praktisk och experimentell erfarenhet av mätningar på pn-dioden och MOSFET, samt uppleva komponenternas egenskaper. Mäta på dioder och transistorer
Läs merMoment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 3 Transistorförstärkare
Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 3 Transistorförstärkare Jan Thim 1 F3: Transistorförstärkare Innehåll: Introduktion GE-steget EF-steget GB-steget Flerstegsförstärkare Felsökning 2 1 Förstärkare
Läs merFÖRELÄSNING 3. Förstärkaren. Arbetspunkten. Olika lastresistanser. Småsignalsschemat. Föreläsning 3
FÖRELÄSNING 3 Förstärkaren Arbetspunkten Olika lastresistanser Småsignalsschemat Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 1(36) Förstärkaren (S&S4 1.4, 5.2, 5.4, 5.5, 5.6/
Läs merLaboration 1 Elektriska kretsar Online fjärrstyrd laborationsplats Blekinge Tekniska Högskola (BTH)
Laboration 1 Elektriska kretsar Online fjärrstyrd laborationsplats Blekinge Tekniska Högskola (BTH) Likspänningsexperiment Namn: Elektriska kretsar Online fjärrstyrd laborationsplats Blekinge Tekniska
Läs mer12. Kort om modern halvledarteknologi
12. Kort om modern halvledarteknologi Kursen i halvledarfysik behandlar i detalj halvledarkomponenter. På denna kurs går vi igenom bara den allra viktigaste av dem, MOSFET-transistorn som ger grunden till
Läs mer12. Kort om modern halvledarteknologi
12. Kort om modern halvledarteknologi Kursen i halvledarfysik behandlar i detalj halvledarkomponenter. På denna kurs går vi igenom bara den allra viktigaste av dem, MOSFET-transistorn som ger grunden till
Läs merDefinition av kraftelektronik
F1: Introduktion till Kraftelektronik Definition av kraftelektronik Den enegelska motsvarigheten till kraft elektronik är Power electronics. På Wikipedia kan man hitta följande definition: Power electronics
Läs merFöreläsning 13 Fälteffekttransistor III
Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III pmo måsignal FET A, f t MO-Kondensator 014-05-19 Föreläsning 13, Komponentfysik 014 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser
Läs merHÄLLEBERGSSKOLAN. Ur kursplanen för området elektronik i ämnet teknik:
Björne Torstenson Ur kursplanen för området elektronik i ämnet teknik: TEKNIK ELEKTRONIK Centralt innehåll Grundläggande elektronik och elektroniska komponenter, till exempel lysdioder och enkla förstärkare.
Läs merInstitutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet. Agneta Bränberg TRANSISTORTEKNIK. Laboration.
Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet 2016-12-19 Agneta Bränberg Laboration TRANSISTORTEKNIK Analog II VT17 Målsättning: Denna laboration syftar till studenterna ska lära sig
Läs mer3.9. Övergångar... (forts: Halvledare i kontakt)
3.9. Övergångar... (forts: Halvledare i kontakt) [Understanding Physics: 20.9-20.12] Utjämningen av Ferminivåerna för två ledare i kontakt med varandra gäller också för två halvledare i kontakt med varandra.
Läs merTentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 11 januari 2013
Tentamen i Elektronik för E (del ), ESS00, januari 03 Tillåtna hjälpmedel: Formelsamling i kretsteori. Du har en mikrofon som kan modelleras som en spänningskälla i serie med en resistans. Du vill driva
Läs merInduktiv beröringsfri närvarogivare/detektor med oscillator, (Proximity switch)
Induktiv beröringsfri närvarogivare/detektor med oscillator, (Proximity switch) Om spolar och resonanskretsar Pot Core Såväl motstånd som kondensatorer kan vi oftast betrakta som ideala, det vill säga
Läs merKOMPONENTKÄNNEDOM. Laboration E165 ELEKTRO. UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Anton Holmlund Personalia:
UMEÅ UNIVESITET Tillämpad fysik och elektronik nton Holmlund 1997-03-14 KOMPONENTKÄNNEDOM Laboration E165 ELEKTO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): ättningsdatum Kommentarer Godkänd:
Läs merLaboration 1: Likström
1. Instrumentjämförelse Laboration 1: Likström Syfte och metod Vi undersöker hur ett instruments inre resistans påverkar mätresultatet. Vi mäter spänningar med olika instrument och inställningar, och undersöker
Läs merTSKS06 Linjära system för kommunikation Lab2 : Aktivt filter
TSKS06 Linjära system för kommunikation Lab2 : Aktivt filter Sune Söderkvist, Mikael Olofsson 9 februari 2018 Fyll i detta med bläckpenna Laborant 1 Laborant 2 Personnummer Personnummer Datum Godkänd 1
Läs mer1.2 Två resistorer är märkta 220 ohm 0,5 W respektive 330 ohm 0,25 W. vilken är den största spänning som kan anslutas till:
Passiva komponenter. Vilken resistans och tolerans har en resistor märkt: a) röd, violett, gul, guld b) blå, grå, blå, silver c) brun, svart, svart, guld d) orange, vit, brun, röd, mellanrum, brun e) grön,
Läs merKonstruktion av volt- och amperemeter med DMMM
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Lars Wållberg Stig Esko 1999-10-12 Rev 1.0a Konstruktion av volt- och amperemeter med DMMM LABORATION E233 ELEKTRO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad
Läs merTentamen i Elektronik grundkurs ETA007 för E1 och D
Lars-Erik Cederlöf Tentamen i Elektronik grundkurs ETA007 för E och D 006-0-3 Tentamen omfattar poäng. 3 poäng per uppgift. 0 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är räknedosa. För full poäng
Läs merElektricitetslära och magnetism - 1FY808
Linnéuniversitetet Institutionen för datavetenskap, fysik och matematik Laborationshäfte för kursen Elektricitetslära och magnetism - 1FY808 Ditt namn:... eftersom labhäften far runt i labsalen. 1 1. Instrumentjämförelse
Läs merKAPITEL 2 MTU AB
KAPITEL 2 MTU AB 2007 29 HALVLEDARE De komponenter som vi hittills behandlat är motstånd av olika slag, lampor samt batterier. Det kan diskuteras om batteriet ska kallas komponent. Motstånd är den komponent
Läs merFöreläsning 11 Fälteffekttransistor II
Föreläsning 11 Fälteffekttransistor Fälteffekt Tröskelspänning Beräkning av strömmen Storsignal, D Kanallängdsmodulation Flatband-shift pmosfet 013-05-03 Föreläsning 11, Komponentfysik 013 1 Komponentfysik
Läs merLaboration II Elektronik
817/Thomas Munther IDE-sektionen Halmstad Högskola Laboration II Elektronik Transistor- och diodkopplingar Switchande dioder, D1N4148 Zenerdiod, BZX55/C3V3, BZX55/C9V1 Lysdioder, Grön, Gul, Röd, Vit och
Läs merExperimentella metoder, FK3001. Datorövning: Finn ett samband
Experimentella metoder, FK3001 Datorövning: Finn ett samband 1 Inledning Den här övningen går ut på att belysa hur man kan utnyttja dimensionsanalys tillsammans med mätningar för att bestämma fysikaliska
Läs merPraktisk beräkning av SPICE-parametrar för halvledare
SPICE-parametrar för halvledare IH1611 Halvledarkomponenter Ammar Elyas Fredrik Lundgren Joel Nilsson elyas at kth.se flundg at kth.se joelni at kth.se Martin Axelsson maxels at kth.se Shaho Moulodi moulodi
Läs merMÄTNING AV ELEKTRISKA STORHETER
MÅ NIVSITT Tillämpad fysik och elektronik Hans Wiklund 996-05- MÄTNING AV LKTISKA STOHT Laboration 5 LKTO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): ättningsdatum Kommentarer Godkänd: ättningsdatum
Läs merTentamen i Elektronik för E, 8 januari 2010
Tentamen i Elektronik för E, 8 januari 200 Tillåtna hjälpmedel: Formelsamling i kretsteori Tvåpol C A I V Du har tillgång till en multimeter som kan ställas in som voltmeter eller amperemeter. Voltmeter
Läs mertentaplugg.nu av studenter för studenter
tentaplugg.nu av studenter för studenter Kurskod Kursnamn SM Matematisk statistik Datum LP - Material Laboration Kursexaminator Adam Betygsgränser Tentamenspoäng Övrig kommentar Försättsblad inlämningsuppgift
Läs merTANA17 Matematiska beräkningar med Matlab
TANA17 Matematiska beräkningar med Matlab Laboration 1. Linjär Algebra och Avbildningar Namn: Personnummer: Epost: Namn: Personnummer: Epost: Godkänd den: Sign: Retur: 1 Introduktion I denna övning skall
Läs merLathund fo r rapportskrivning: LATEX-mall. F orfattare Institutionen f or teknikvetenskap och matematik
Lathund fo r rapportskrivning: LATEX-mall F orfattare forfattare@student.ltu.se Institutionen f or teknikvetenskap och matematik 31 maj 2017 1 Sammanfattning Sammanfattningen är fristående från rapporten
Läs merAntennförstärkare för UHF-bandet
Radioprojekt 2009 ETI 041 Kursansvarig: Göran Jönsson Antennförstärkare för UHF-bandet I denna rapport konstrueras en antennförstärkare för UHF-bandet. Rapporten berör de teoretiska delarna, såsom simuleringar,
Läs merSolar cells. 2.0 Inledning. Utrustning som används i detta experiment visas i Fig. 2.1.
Solar cells 2.0 Inledning Utrustning som används i detta experiment visas i Fig. 2.1. Figure 2.1 Utrustning som används i experiment E2. Utrustningslista (se Fig. 2.1): A, B: Två solceller C: Svart plastlåda
Läs merStrömdelning. och spänningsdelning. Strömdelning
elab005a Strömdelning och spänningsdelning Namn Datum Handledarens sign Laboration I den här laborationen kommer du omväxlande att mäta ström och spänning samt även använda metoden för indirekt strömmätning
Läs merLABORATIONSINSTRUKTION. Mätning på dioder och transistorer
Lars-Erik Cederlöf LABORATIONSINSTRUKTION LABORATION Mätning på dioder och transistorer KURS Elektronik grundkurs LAB NR 4 INNEHÅLL Data om dioden 1N4148 Kontroll av diod Diodens karaktäristik Data om
Läs merLaboration 6. A/D- och D/A-omvandling. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum
Laboration 6 A/D- och D/A-omvandling A/D-omvandlare Digitala Utgång V fs 3R/2 Analog Sample R R D E C O D E R P/S Skiftregister R/2 2 N-1 Komparatorer Digital elektronik Halvledare, Logiska grindar Digital
Läs merTentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D
Lars-Erik ederlöf Per Liljas Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ET 03 för D 200-08-20 Tentamen omfattar 40 poäng, 2 poäng för varje uppgift. 20 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel
Läs merdär x < ξ < 0. Eftersom ξ < 0 är högerledet alltid mindre än Lektion 4, Envariabelanalys den 30 september 1999 r(1 + 0) r 1 = r.
Lektion 4, Envariabelanals den 30 september 1999 där 0 < ξ 0 är högerledet alltid större än 2.6.2 Åskådliggör medelvärdessatsen genom att finna en punkt i det öppna intervallet (1, 2) där
Läs merBatteri. Lampa. Strömbrytare. Tungelement. Motstånd. Potentiometer. Fotomotstånd. Kondensator. Lysdiod. Transistor. Motor. Mikrofon.
Batteri Lampa Strömbrytare Tungelement Motstånd Potentiometer Fotomotstånd Kondensator Lysdiod Transistor Motor Mikrofon Högtalare Ampèremeter 1 1. Koppla upp kretsen. Se till att motorns plus och minuspol
Läs merFöreläsning 13: Multipel Regression
Föreläsning 13: Multipel Regression Matematisk statistik Chalmers University of Technology Oktober 9, 2017 Enkel linjär regression Vi har gjort mätningar av en responsvariabel Y för fixerade värden på
Läs merLab nr Elinstallation, begränsad behörighet ET1013 Likströmskretsar
Laborationsrapport Kurs Elinstallation, begränsad behörighet ET1013 Lab nr 1 version 2.1 Laborationens namn Likströmskretsar Namn Kommentarer Utförd den Godkänd den Sign 1 Noggrannhet vid beräkningar Anvisningar
Läs merGrindar och transistorer
Föreläsningsanteckningar Föreläsning 17 - Digitalteknik I boken: nns ej med Grindar och transistorer Vi ska kort beskriva lite om hur vi kan bygga upp olika typer av grindar med hjälp av transistorer.
Läs merTentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 5 april 2013
Tentamen i Elektronik för E (del ), ESS00, 5 april 03 Tillåtna hjälpmedel: Formelsamling i kretsteori. Spänningen mv och strömmen µa mäts upp på ingången till en linjär förstärkare. Tomgångsspänningen
Läs mer