UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors Transistorswitchen. Laboration E25 ELEKTRO

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Storlek: px
Starta visningen från sidan:

Download "UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors Transistorswitchen. Laboration E25 ELEKTRO"

Transkript

1 UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors Transistorswitchen Laboration E25 ELEKTRO

2 Laboration E25 Transistorswitchen 2 Nyckelord Switch, bottnad- och strypt transistor, bipolär-, fälteffekt-transistor, till- och frånslagstider, stigtid, tillslagsfördröjning, efterledningstid, falltid, speeding-kondensator, clamp-diod, switch, saturated- and cutoff transistor, bipolar, field effect transistor, turn on- and turn off time, rise time, delay time, storage time, fall time, speeding capacitor, clamping diod. Målsättning Denna laboration har som mål att ge dig grundläggande kunskap om transistorswitchen och dess statiska- och dynamiska egenskaper vid till- och frånslag. Teori Läs i din kursbok med ledning av tex nyckelorden och bokens indexregister! Inledning och innehåll Laborationen består praktiskt av att du mäter på en switch med den bipolära transistorn (BJT) för att först bestämma DC-egenskaper och därefter bestämma dynamiska egenskaper i form av till- och frånslagstider. I det senare momentet sätter du även in olika komponenter för att påverka switchens snabbhet. Avslutningsvis kopplar du upp en switch med en fälteffekt-transistor (FET), testar funktionen, bestämmer switchens styrspänning och mäter switchens ledningsresistans. Förteckning över uppgifter: Förberedelser Teoretiska frågor och beräkningar sidan 3 Uppgift 1 Bestämning av BJT-switchens DC-egenskaper 4 Uppgift 2 Bestämning av BJT-switchens dynamiska egenskaper 6 Uppgift 3 Åtgärder för att öka BJT-switchens snabbhet 7 Uppgift 4 Test/mätning på en FET-switch 8

3 Laboration E25 Transistorswitchen 3 Varje uppgift är indelad i två avsnitt: Ett teoretiskt och ett praktiskt avsnitt: Teori: Här finns uppgifter som du gör som förberedelser innan du går till laborationslokalen. Praktik: I denna del kopplar du upp och gör mätningar på switch-kretsarna. Förberedelseuppgifter De förberedelseuppgifter som följer i detta stycke har två syften: - Att underlätta för dig att läsa in respektive teoriavsnitt. - att hjälpa dig att nyttja tiden mer effektivt i laborationslokalen så att du hinner göra laborationen färdig på avsedd tid. För att utföra laborationen behöver du dessförinnan läsa in kunskaper motsvarandede teoretiska delarna i uppgift 1, 2, 3 och 4. Du skall även i de teoretiska delarna göra vissa beräkningar som är en förutsättning i de praktiska momenten. Efter utförd laboration redovisar du de praktiska momenten enligt avsnitt "redovisning". Ingen av förberedelse/teoriuppgifterna skall direkt besvaras i den skriftliga redovisningen - De är till för självhjälp och du använder motsvarande fakta som underlag när du arbetar vidare med laborationen. Förberedelseuppgifter ( som ej kräver praktiska/laborativa moment): I Gör uppgift ! II Gör uppgift 2.1! III Gör uppgift IV Gör uppgift ! Material Du behöver: En spänningskälla, signalgenerator, oscilloskop, kopplingsdeck samt en bipolär- respektive en FET-transistor, en diod, en schottkydiod förutom vanliga passiva komponenter.

4 Laboration E25 Transistorswitchen 4 Utförande Uppgifter Switch med bipolartransistorn ( BJT ) 1 BJT-switchens DC-egenskaper vid bottning Transistorswitchens funktion bestäms till stor del av de statiska (DC) egenskaper som definierar tillstånden strypning respektive bottning. Speciellt skall DC-egenskaperna vid bottning studeras här. Ett exempel på en switch med bipolartransistorn har följande schema: E Rc Rb T1 Uut Uin - - E 5.0 V T1 BC 548B Rb 10 k Ω Rc 1 k Ω Figur 1: Kretsschema på en transistorswitch. Teoretisk del 1.1 Visa att för switchens kollektorström (I C ) gäller: E UCE ( sat) I C(max) = R C 1.2 Vad är definitionen på h FE? Vilka värden har transistorn i figur 1 enligt datablad på h FE ( min- och maxvärde ), U BE (sat), U CE (sat)?

5 Laboration E25 Transistorswitchen Motsvarande basström ( I B ) till kollektorströmmen enl. uppgift 1.1 har sambandet: I C (max) I B (min) = h FE Vad är minsta I B (min) för switchen som bottnar även den "svagaste" BC548B-transistor? Vilket värde på h FE valde du och varför just detta? 1.4 När spänningen Uin har följande värden bottnar switchens transistor: Uin(sat) I B (min) * R B U BE (sat) Vilket teoretiskt värde får du på spänningen Uin(sat) som bottnar transistorn på switchen? Praktisk del: 1.5 Koppla upp kretsen enligt figur 1 ( förbered ev. redan nu för uppgift 1.6 ). Låt Uin vara en likspänning med värdet på bottnadsspänningen enligt det värde du fick i uppgift 1.4. Redovisa svaren till följande frågor i bifogat formulär! a) Hur stor är kollektor-emitterspänningen ( U CE )? b) Hur stor är basströmmen I B? c) Har transistorn bottnat? 1.6 Mät det h FE som gäller för den transistor som sitter i din switch! Mät inom det linjära området! Ledning: Switchens linjära område kan med basströmmen definieras av följande undre- och övre gräns så att även den "starkaste transistorindividen" ej skall bottna: 0 < I B < I (max) där I (max) har sambandet: B B IC(max) IB(max) = h (max) FE 1.7 a) Vilket värde på Uin bottnar nätt och jämnt transistorn i din switch? Ledning: Med uppmätt värde på h FE kan spänningen beräknas bättre än tidigare. b) Vilken basström har du då? 1.8 Jämför teoretiska- med praktiska resultat och kommentera! Spara uppkopplingen till uppgift 2 och 3!

6 Laboration E25 Transistorswitchen 6 BJT-switchens dynamiska egenskaper Switchens dynamiska egenskaper kan beskrivas med till- och frånslagstider. Dessa tider påverkas stort av kapacitanser i kretsen vilket du praktiskt skall studera närmare i uppgift 2. Därefter, i uppgift 3, mäter du praktiskt effekterna av att switchen förses med clampdiod och du jämför olika metoder för att påverka switchens snabbhet. 2 BJT-switch med kapacitans Teoretisk del 2.1 Vad består tillslagstiden av ( nämn två tidskomponenter )? Samma fråga för frånslagstiden. Hur definieras var och en av de fyra tidskomponenterna? Ledning: Se din kursbok eller se bilaga 1! 2.2 Hur och varför påverkas switchens omslagstider av en speedingkondensator ( placerad parallellt med basmotståndet )? Praktisk del: 2.3 Koppla in en signalgenerator till din switch ( enligt uppgift 1 )! Låt Uin vara en fyrkantvåg med pulshöjden 5 V ( 0-5 V ), frekvensen 100 khz och pulslängden 2 µ s. Mät spänningen Uut och redovisa grafiskt spänningen Uin resp. Uut i ett tidsdiagram som du låter datorn rita då du har ett digitalt oscilloskop! Mäter du med ett analogt oscilloskop så använd bifogat formulär! 2.4 Koppla in en speeding-kondensator på tex 100 pf! Mät spänningen Uut och redovisa den grafiskt med hjälp av dator/digitalt oscilloskop ( eller med bif. formulär om du använder analogt oscilloskop)! 2.5 Vad händer med en speeding-kondensator som har större kapacitans? Redovisa grafiskt! 2.6 Kommentera ditt resultat från uppgift 2.4 och 2.5 och dra slutsatser!

7 Laboration E25 Transistorswitchen 7 3 BJT-switch med clamp-diod Teoretisk del 3.1 Varför är en transistorswitch som är hårt bottnad relativt långsam? Är det tillslags- eller frånslagstiden som är "flaskhalsen"? Ledning: Se din kursbok eller se bilaga 2! 3.2 Vad menas med "clampad" transistorswitch? Var sätts dioden in och vilken funktion har denna diod? Vad är det för skillnad om clamp-elementet består av en germanium-, kiseleller en Schottky-diod? Hur ser symbolen ut för en Schottky-diod och hur ser symbolen ut för en transistor med inbyggd Schottky clamp-diod? Praktisk del: 3.3 Koppla in en kondensator (C ) och en Schottky-diod (D) i tur och ordning enligt schemat och tabellen här intill ( fyra olika fall )! Mät frånslagstiderna i respektive fall! Redovisa dina mätresultat i bifogat formulär! 5.0 V Uin - C 10 k D BC 548B 1 k Uut - Alternativ Med C Med D Fall 1 Nej Nej Fall 2 Ja Nej Fall 3 Nej Ja Fall 4 Ja Ja Fig Schema för en BJT-switch. Tabell: Olika kopplingsalternativ. 3.4 Kommentera dina resultat och dra slutsatser!

8 Laboration E25 Transistorswitchen 8 4 En FET-switch En switch kan med fördel konstrueras med fälteffekt-transistorn. Förutom att ge funktionen TILL respektive FRÅN så kan switchen i läget TILL ge analog information om hur stor spänningen är ( kretsen utgör en analog switch, jämför med högra delen i figur 4.1 ) Den FET-switch du skall studera har schema och funktion enligt fig 4.1. R L anger en last på 10 k Ω. D 2N 3819 S 100 k Uin G Uut - - RL 1N V Ustyr 0 V Uin - Ustyr Uut - RL Figur 4.1: En FET-switch med en N-kanals JFET. Kretsschema resp. principiell funktion. Teoretisk del Läs först din kurslitteratur om fälteffekt-transistorn! Studera speciellt avsnitt om JFET och tillhörande grafer som beskriver den ström som går genom transistorn ( hur den beror på olika spänningsnivåer runt transistorn )! 4.1 Switchläge FRÅN ( strypt ) Vilken Gate-spänning försätter en n-kanals JFET i läge FRÅN? Ledning: Se bilaga 3! Vilken pinch off-spänning ( Vp, som allra mest negativ ) gäller enligt datablad för transistorn i switchen enligt figur 4.1? 4.2 Switchläge TILL och linjär Vilka villkor beskriver transistorns linjära resistor-område? Ledning: Se bilaga 3!

9 Laboration E25 Transistorswitchen Switchläge TILL som strömgenerator Vilka villkor beskriver en n-kanals JFET för att den skall befinna sig i det aktiva - sk pinch off-området - då den uppför sig som en spänningsstyrd konstantström-generator? Ledning: Se Bilaga 3! Vilken max. spänning (U DS ) får absolut ej överskridas - den spänning som skadar transistorn? 4.4 En ideal switch har i läge FRÅN ( öppen kontakt ) och i läge TILL ( sluten kontakt ) motsvarande resistans R off = Ω respektive R on = 0 Ω. Ange en praktisk metod ( med tex spänningsmätning) att mäta R on! Praktisk del: 4.5 Koppla upp din switch enligt figur 4.1! Om du kopplar ett oscilloskop till utgången låt parallellmotståndet R L på 10 k ### vara kvar i kopplingen ( oscilloskopet har hög resistans och motståndet gör transistorns ström I D mera mätbar )! Testa funktionen genom att till Uin ansluta en likspänning på 5 V. a) Lägg styrsignalingången ( Ustyr ) först till spänningen 15 V. Vad kommer på utgången ( Uut )? b) Låt Ustyr vara 0 respektive -15V. Vilken spänning får utgången? c) Vilken spänning på Ustyr motsvarar TILL respektive FRÅN på switchen? d) Vad händer med switchens funktion då du vänder transistorn ( låter Drain och Source byta plats i kopplingen )? 4.6 Mät Ron på din switch med den metod du föreslog i uppgift 4.4!

10 Laboration E25 Transistorswitchen 10 Redovisning Du redovisar din laborationen enligt: Alternativ 1: Redovisa enligt kursansvarig lärares anvisningar (gäller i första hand). Alternativ 2: Redovisa dina praktiska resultat med kommentarer enligt bifogat formulär ( gäller om kursansvarig ej meddelat annat). Anm. Dina svar på direkta frågor i teoridelen skall ej redovisas! Undantag : Indirekt svar vid tex en jämförelse. Plocka loss och lämna in de efterföljande formulärbladen när du redovisar laborationen!

11 Laboration E25 Transistorswitchen 11 Tillslags- och frånslagstider BILAGA 1 De termer som beskriver tillslags- och frånslagstider på ett pulssvar har följande beteckningar: tillslagstid ( turn on time ) t on frånslagstid ( turn off time ) t off stigtid ( rise time ) t r falltid ( fall time ) t f tillslagsfördröjning ( delay time ) t d efterledningstid (storage time ) t s Hur de definieras framgår av följande figur där strömmar och spänningar motsvarar förhållanden enligt figur 1 ( i uppgift 1 ). Ib 0 Ic 90% 0 tr ts tf TID 10% 0 td TID Uce 90% 10% 0 tdtr=ton tstf=toff TID Figur: Till- och frånslagstider.

12 Laboration E25 Transistorswitchen 12 Clampad transistorswitch BILAGA 2 För att bipolartransistorn skall få snabba omslag så får ej transistorn bottnas hårt. Vid hård bottning ( stor basström ) bildas nämligen en stor överskottsladdning som lagras på basen till transistorn. Vid frånslag måste först överskottet transporteras bort och därefter kan egentliga switchomslaget ske. En teknik som tidigt användes för att öka snabbheten hos transistorswitchar var att använda en clamp-diod av germanium (Ge) tillsammans med en transistor av kisel (Si ) med samma inkoppling av dioden som i figur 3.1 ( se uppgift 3, fast där är i stället en annan typ av diod inritad ). Germanium-dioden har ett framspänningsfall på ca V jämfört med V för bas-emitter-övergången hos kiseltransistorn. Se figuren " Karakteristikor för pn-övergångar" If ( relativ ström ) Ge Uf [V] Ki 1.0 När transistorn drivs mot bottning, kommer dioden att börja leda och den överskottsladdning som finns på basen förs över till kollektorn. Detta medför att transistorn aldrig bottnar fullständigt. Clamp-dioden bidrar därmed till en kraftig reducering av switchens frånslagstid. Figur: Karakteristikor för pn-övergångar Man får en ännu bättre effekt om man använder en sk Schottky-diod. Denna diod består av en övergång mellan en metall och en kraftigt dopad halvledare av kisel. I övergången mellan metall och halvledare byggs en potentialbarriär upp genom att några elektroner går över från kisel till metallen. Vid positiv ökande anodspänning minskar barriärens bredd och diodens framström ökar snabbt. anod B katod C Eftersom Schottky-dioden har ett lågt framspänningsfall på ca 0.3 V kan den clampa en kiseltransistor. Symbolen för en Schottky-diod resp. för en transistor med Schottky- clamp-diod framgår av vidstående figur. E Figur: Symbol för Schottky-diod och Schottky-clampad transistor.

13 Laboration E25 Transistorswitchen 13 JFET transistorswitch BILAGA 3 Switchen med en n-jfet kan beskrivas med lägena FRÅN - strypt, TILL - linjär som resistor samt med läget TILL - som strömgenerator. Läget FRÅN ( strypt, motsvarar öppen kontakt ) beskrivs normalt av sambandet: U GS < Vp där Vp är pinch off - spänningen ( ett negativt värde ). Resistansen mellan Drain och Source är då väldigt hög. G D ID S UDS - RDS Figur: 4.2 n-kanals JFET med strömriktning så att U DS är positiv. Switchens ekvivalenta resistans mellan D och S betecknas här R DS. Switchläge TILL och linjär När transistorn är i läge ej FRÅN ( ej strypt) och när spänningen mellan Drain och Source ( U DS ) är tillräckligt liten - klart mindre än Vp - så arbetar transistorn i det linjära området ( likt en linjär resistor mellan Source och Drain ). Switchläge TILL och stömgenerator ( aktivt pinch-off ) De villkor som beskriver en n-kanals JFET för att den skall befinna sig i det aktiva- sk pinch off-området - då den uppför sig som en spänningsstyrd konstantström-generator beskrivs av följande: o Transistorn skall ej vara strypt ( ej i läge FRÅN ) o Transistor skall ej vara i läge TILL linjär o Spänningen U DS skall vara tillräckligt stor till beloppet ; större än Vp. Kontrollera med datablad hur stor stora spänningarna ( U DS och U GS ) maximalt får vara utan att din transistor förstörs!

14 REDOVISNING AV LABORATION E25 TRANSISTORSWITCHEN Personalia: Namn: Program/Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): Rättningsdatum Kommentarer Godkänd: Rättningsdatum Signatur Kommentarer

15 Laboration E25 Transistorswitchen Formulär till laboration E25 Uppgift 1.5 a U CE = b I B = c Bottnad eller Ej bottnad : 1.6 h FE = 1.7 a Uin(nätt och jämnt bottnad)= b I B = 1.8 Jämförelse mellan teoretiska och uppmätta värden med kommentarer:

16 Laboration E25 Transistorswitchen Uppgift 2.3 Uin i ett tidsdiagram: ( redovisas här eller på separat bilaga ) [V] [V] Uin TID [mikrosekund] Uut i ett tidsdiagram: Uut TID [mikrosekund] Uut i tidsdiagram ( redovisas här eller på separat bilaga ) [V] Uut TID [mikrosekund] Uut i tidsdiagram ( redovisas här eller på separat bilaga ) [V] Uut TID [mikrosekund] Effekt med speeding-kondensator som har värdet... F. Kommentar:

17 Laboration E25 Transistorswitchen Uppgift 2.6 Kommentarer till resultat: 3.3 Fall 1 Frånslagstid: Fall 2 Fall 3 Fall Kommentarer och slutsatser från resultaten: 4.5 a Uut = b Uut = c TILL motsvarar spänningen: FRÅN motsvarar spänningen: d När jag vänder på transistorn händer: Kommentarer till mätresultaten: 4.6 Uppmätt värde på R on :

Laboration N o 1 TRANSISTORER

Laboration N o 1 TRANSISTORER Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson 22/10 2004 Analog elektronik 2 Laboration N o 1 TRANSISTORER namn: datum: åtgärda: godkänd: Målsättning: Denna laboration

Läs mer

Spänningsmätning av periodiska signaler

Spänningsmätning av periodiska signaler UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors 1996-05-15 Spänningsmätning av periodiska signaler Laboration E8 ELEKTRO Laboration E8 Spänningsmätning av periodiska signaler

Läs mer

Vanliga förstärkarkopplingar med operationsförstärkaren

Vanliga förstärkarkopplingar med operationsförstärkaren UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors 1996-09-22 Vanliga förstärkarkopplingar med operationsförstärkaren Laboration E36 ELEKTRO Laboration E36 Vanliga förstärkarkopplingar

Läs mer

Målsättning: Utrustning och material: Denna laboration syftar till att ge studenten:

Målsättning: Utrustning och material: Denna laboration syftar till att ge studenten: Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Agneta Bränberg Redigerad av Johan Haake Redigerad av Agneta Bränberg 2016-11-14 TRANSISTORER Målsättning:

Läs mer

VÄXELSTRÖM SPÄNNINGSDELNING

VÄXELSTRÖM SPÄNNINGSDELNING UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Agneta Bränberg 1996-06-12 VÄXELSTRÖM SPÄNNINGSDELNING Laboration E10 ELEKTRO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): Rättningsdatum Kommentarer

Läs mer

Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet. Agneta Bränberg TRANSISTORTEKNIK. Laboration.

Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet. Agneta Bränberg TRANSISTORTEKNIK. Laboration. Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet 2016-12-19 Agneta Bränberg Laboration TRANSISTORTEKNIK Analog II VT17 Målsättning: Denna laboration syftar till studenterna ska lära sig

Läs mer

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 1 Transistorn del 1

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 1 Transistorn del 1 Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 1 Transistorn del 1 Jan Thim 1 F1: Transistorn del 1 Innehåll: Historia Funktion Karakteristikor och parametrar Transistorn som förstärkare Transistorn som switch

Läs mer

TRANSISTORER. Umeå universitet Institutionen för tillämpad. fysik och elektronik. Patrik Eriksson

TRANSISTORER. Umeå universitet Institutionen för tillämpad. fysik och elektronik. Patrik Eriksson Institutionen för tillämpad 2013-09-05 fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Agneta Bränberg Redigerad av Johan Haake Redigerad av Nils Lundgren TRANSISTORER Målsättning: Denna

Läs mer

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2 Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 2 Transistorn del 2 Jan Thim 1 F2: Transistorn del 2 Innehåll: Fälteffekttransistorn - JFET Karakteristikor och parametrar MOSFET Felsökning 2 1 Introduktion Fälteffekttransistorer

Läs mer

LABORATIONSINSTRUKTION. Mätning på dioder och transistorer

LABORATIONSINSTRUKTION. Mätning på dioder och transistorer Lars-Erik Cederlöf LABORATIONSINSTRUKTION LABORATION Mätning på dioder och transistorer KURS Elektronik grundkurs LAB NR 4 INNEHÅLL Data om dioden 1N4148 Kontroll av diod Diodens karaktäristik Data om

Läs mer

Komponentfysik ESS030. Den bipolära transistorn

Komponentfysik ESS030. Den bipolära transistorn Komponentfysik ESS030 Den bipolära transistorn T- 2016 Syfte Syftet med denna laboration är att studenten ska bekanta sig med den grundläggande fysiken i en bipolär transistor. Det fundamentala byggblocket

Läs mer

Laboration II Elektronik

Laboration II Elektronik 817/Thomas Munther IDE-sektionen Halmstad Högskola Laboration II Elektronik Transistor- och diodkopplingar Switchande dioder, D1N4148 Zenerdiod, BZX55/C3V3, BZX55/C9V1 Lysdioder, Grön, Gul, Röd, Vit och

Läs mer

Rättade inlämningsuppgifter hämtas på Kents kontor Föreläsning 4 Må 11.00-11.30, 12.30-13.15 Kent Palmkvist To 11.00-11.30, 12.30-13.

Rättade inlämningsuppgifter hämtas på Kents kontor Föreläsning 4 Må 11.00-11.30, 12.30-13.15 Kent Palmkvist To 11.00-11.30, 12.30-13. /5/14 15:56 Praktisk info, forts. Löst uppgift Fyll i ett konvolut (återanvänds tills uppgiften godkänd TTE Elektronik Konvolut hittas ovanpå den svarta brevlåda som svar lämnas i vart brevlåda placerad

Läs mer

I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn.

I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn. Komponentfysik Övning 4 VT-10 Utredande uppgifter: I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn. II: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor.

Läs mer

SM Serien Strömförsörjning. Transistorn

SM Serien Strömförsörjning. Transistorn Transistorn Transistorn är en av de viktigaste uppfinningar som gjorts under modern tid. Utan denna skulle varken rymdfärder eller PC-datorer vara möjliga. Transistorn ingår som komponent i Integrerade

Läs mer

Elektronik grundkurs Laboration 6: Logikkretsar

Elektronik grundkurs Laboration 6: Logikkretsar Elektronik grundkurs Laboration 6: Logikkretsar Förberedelseuppgifter: 1. Förklara vad som menas med logiskt sving. 2. Förklara vad som menas med störmarginal. 3. Förklara vad som menas med stegfördröjning.

Läs mer

Strömförsörjning. Laboration i Elektronik 285. Laboration Produktionsanpassad Elektronik konstruktion

Strömförsörjning. Laboration i Elektronik 285. Laboration Produktionsanpassad Elektronik konstruktion UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Dan Weinehall PA Persson Redigerad av Johan Haake och Stig Esko Laboration Produktionsanpassad Elektronik konstruktion 20020820 Strömförsörjning Laboration

Läs mer

Laborationsrapport Elektroteknik grundkurs ET1002 Mätteknik

Laborationsrapport Elektroteknik grundkurs ET1002 Mätteknik Laborationsrapport Kurs Lab nr Elektroteknik grundkurs ET1002 1 Laborationens namn Mätteknik Namn Kommentarer Utförd den Godkänd den Sign 1 Elektroteknik grundkurs Laboration 1 Mätteknik Förberedelseuppgifter:

Läs mer

Definition av kraftelektronik

Definition av kraftelektronik F1: Introduktion till Kraftelektronik Definition av kraftelektronik Den enegelska motsvarigheten till kraft elektronik är Power electronics. På Wikipedia kan man hitta följande definition: Power electronics

Läs mer

Elektroteknikens grunder Laboration 3. OP-förstärkare

Elektroteknikens grunder Laboration 3. OP-förstärkare Elektroteknikens grunder Laboration 3 OPförstärkare Elektroteknikens grunder Laboration 3 Mål Du ska i denna laboration studera tre olika användningsområden för OPförstärkare. Den ska användas som komparator,

Läs mer

Elektronik grundkurs Laboration 1 Mätteknik

Elektronik grundkurs Laboration 1 Mätteknik Elektronik grundkurs Laboration 1 Mätteknik Förberedelseuppgifter: Uppgifterna skall lösas före laborationen med papper och penna och vara snyggt uppställda med figurer. a) Gör beräkningarna till uppgifterna

Läs mer

Spä nningsmä tning äv periodiskä signäler

Spä nningsmä tning äv periodiskä signäler UMEÅ UNIVERSITET v, 6-- Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors Nils Lundgren Ville Jalkanen Spä nningsmä tning äv periodiskä signäler Introduktion Laborationen går ut på att med mätinstrument

Läs mer

TSTE20 Elektronik 01/31/ :24. Nodanalys metod. Nodanalys, exempel. Dagens föreläsning. 0. Förenkla schemat 1. Eliminera ensamma spänningskällor

TSTE20 Elektronik 01/31/ :24. Nodanalys metod. Nodanalys, exempel. Dagens föreläsning. 0. Förenkla schemat 1. Eliminera ensamma spänningskällor 0/3/204 0:24 Nodanalys metod 0. Förenkla schemat. liminera ensamma TST20 lektronik 2. Jorda en nod 3. nför nodpotentialer 4. nför referensriktningar på strömmarna i nätet 5. Sätt upp ekvation för varje

Läs mer

KOMPONENTKÄNNEDOM. Laboration E165 ELEKTRO. UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Anton Holmlund Personalia:

KOMPONENTKÄNNEDOM. Laboration E165 ELEKTRO. UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Anton Holmlund Personalia: UMEÅ UNIVESITET Tillämpad fysik och elektronik nton Holmlund 1997-03-14 KOMPONENTKÄNNEDOM Laboration E165 ELEKTO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): ättningsdatum Kommentarer Godkänd:

Läs mer

Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren

Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren /Krister Hammarling 1 Transistorn Innehåll: Historia Funktion Karakteristikor och parametrar Transistorn som förstärkare Transistorn som switch Felsökning

Läs mer

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D Lars-Erik ederlöf Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ET 03 för D 000-03-3 Tentamen omfattar 40 poäng, poäng för varje uppgift. 0 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är räknedosa.

Läs mer

IDE-sektionen. Laboration 5 Växelströmsmätningar

IDE-sektionen. Laboration 5 Växelströmsmätningar 9428 IDEsektionen Laboration 5 Växelströmsmätningar 1 Förberedelseuppgifter laboration 4 1. Antag att vi mäter spänningen över en okänd komponent resultatet blir u(t)= 3sin(ωt) [V]. Motsvarande ström är

Läs mer

TRANSISTORER

TRANSISTORER nstitutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Agneta ränberg Redigerad av Johan Haake 2012-01-11 TRANSSTORER namn: datum: Målsättng: Denna laboration syftar

Läs mer

Halvledare. Transistorer, Förstärkare

Halvledare. Transistorer, Förstärkare Halvledare Transistorer, Förstärkare Om man har en två-ports krets v in (t) ~ v ut (t) R v ut (t) = A v in (t) A är en konstant: Om A är mindre än 1 så kallas kretsen för en dämpare Om A är större än 1

Läs mer

Laborationsrapport. Kurs El- och styrteknik för tekniker ET1015. Lab nr. Laborationens namn Lik- och växelström. Kommentarer. Utförd den.

Laborationsrapport. Kurs El- och styrteknik för tekniker ET1015. Lab nr. Laborationens namn Lik- och växelström. Kommentarer. Utförd den. Laborationsrapport Kurs El- och styrteknik för tekniker ET1015 Lab nr 1 version 1.2 Laborationens namn Lik- och växelström Namn Kommentarer Utförd den Godkänd den Sign 1 Inledning I denna laboration skall

Läs mer

Föreläsning 8. MOS transistorn. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM

Föreläsning 8. MOS transistorn. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM Föreläsning 8 MOS transistorn Förstärkare med MOS transistorn t Exempel, enkel förstärkare med MOS IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM 1 Varför MOS transistorn Förstå en grundläggande komponent

Läs mer

Laboration 2: Likström samt upp och urladdningsförlopp

Laboration 2: Likström samt upp och urladdningsförlopp TSTE20 Elektronik Laboration 2: Likström samt upp och urladdningsförlopp v0.5 Kent Palmkvist, ISY, LiU Laboranter Namn Personnummer Godkänd Översikt I denna labb kommer ni bygga en strömkälla, och mäta

Läs mer

Laborationsrapport. Kurs Elinstallation, begränsad behörighet. Lab nr 2. Laborationens namn Växelströmskretsar. Kommentarer. Utförd den.

Laborationsrapport. Kurs Elinstallation, begränsad behörighet. Lab nr 2. Laborationens namn Växelströmskretsar. Kommentarer. Utförd den. Laborationsrapport Kurs Elinstallation, begränsad behörighet Lab nr 2 version 3.1 Laborationens namn Växelströmskretsar Namn Kommentarer Utförd den Godkänd den Sign 1 Inledning I denna laboration skall

Läs mer

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D Lars-Erik Cederlöf Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 03 för D 2000-05-03 Tentamen omfattar 40 poäng, 2 poäng för varje uppgift. 20 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är

Läs mer

Digitala kretsars dynamiska egenskaper

Digitala kretsars dynamiska egenskaper dlab00a Digitala kretsars dynamiska egenskaper Namn Datum Handledarens sign. Laboration Varför denna laboration? Mycket digital elektronik arbetar med snabb dataöverföring och strömförsörjs genom batterier.

Läs mer

Mätningar på transistorkopplingar

Mätningar på transistorkopplingar Ellab015A Mätningar på transistorkopplingar Namn Datum Handledarens sign. Laboration Varför denna laboration? Transistorn är en av de allra viktigaste komponenterna inom elektroniken. I den här laborationen

Läs mer

1.2 Två resistorer är märkta 220 ohm 0,5 W respektive 330 ohm 0,25 W. vilken är den största spänning som kan anslutas till:

1.2 Två resistorer är märkta 220 ohm 0,5 W respektive 330 ohm 0,25 W. vilken är den största spänning som kan anslutas till: Passiva komponenter. Vilken resistans och tolerans har en resistor märkt: a) röd, violett, gul, guld b) blå, grå, blå, silver c) brun, svart, svart, guld d) orange, vit, brun, röd, mellanrum, brun e) grön,

Läs mer

För att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet.

För att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet. Kortslutningsskydd För att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet. Utströmmen passerar R4, ett lågohmigt

Läs mer

Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2

Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2 Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2 Tid: kl 9.13. Måndagen den 16 augusti 21 Sal: O125 Hjälpmedel: formelsamling elektronik, formelsamling ellära samt valfri räknare. Maxpoäng: 3 Betyg: 12p3:a, 18p4:a

Läs mer

Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III

Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III pmo måsignal FET A, f t MO-Kondensator 014-05-19 Föreläsning 13, Komponentfysik 014 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser

Läs mer

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II Funktion bipolär transistor Småsignal-modell Hybrid-p 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Optokomponenter pn-övergång:

Läs mer

Konstruktion av volt- och amperemeter med DMMM

Konstruktion av volt- och amperemeter med DMMM UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Lars Wållberg Stig Esko 1999-10-12 Rev 1.0a Konstruktion av volt- och amperemeter med DMMM LABORATION E233 ELEKTRO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad

Läs mer

Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI240/0601 och FFF090

Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI240/0601 och FFF090 011-01-10 08 00-13 00 Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI40/0601 och FFF090 Hjälpmedel: TEFYMA, ordlista, beteckningslista, formelsamlingar och räknare. Max 5p, för godkänt krävs 10p. Om inget annat

Läs mer

Elektricitetslära och magnetism - 1FY808. Lab 3 och Lab 4

Elektricitetslära och magnetism - 1FY808. Lab 3 och Lab 4 Linnéuniversitetet Institutionen för fysik och elektroteknik Elektricitetslära och magnetism - 1FY808 Lab 3 och Lab 4 Ditt namn:... eftersom labhäften far runt i labsalen. 1 Laboration 3: Likström och

Läs mer

Laborationsrapport. Kurs Elektroteknik grundkurs ET1002. Lab nr 5. Laborationens namn Växelström. Kommentarer. Namn. Utförd den. Godkänd den.

Laborationsrapport. Kurs Elektroteknik grundkurs ET1002. Lab nr 5. Laborationens namn Växelström. Kommentarer. Namn. Utförd den. Godkänd den. Laborationsrapport Kurs Elektroteknik grundkurs ET1002 Lab nr 5 Laborationens namn Växelström Namn Kommentarer Utförd den Godkänd den Sign Växelström Förberedelseuppgift: Gör beräkningarna till uppgifterna

Läs mer

IDE-sektionen. Laboration 5 Växelströmsmätningar

IDE-sektionen. Laboration 5 Växelströmsmätningar 080501 IDE-sektionen Laboration 5 Växelströmsmätningar 1 1. Bestämning av effektivvärde hos olika kurvformer Uppgift: Att mäta och bestämma effektivvärdet på tre olika kurvformer. Dels en fyrkantssignal,

Läs mer

Den bipolä rä tränsistorn

Den bipolä rä tränsistorn Komponentfysik ESS3 Laborationshandledning av: Martin Berg Elvedin Memišević Den bipolä rä tränsistorn VT-213 Syfte Syftet med denna laboration är att studenten ska bekanta sig med den grundläggande fysiken

Läs mer

Föreläsning 11 Fälteffekttransistor II

Föreläsning 11 Fälteffekttransistor II Föreläsning 11 Fälteffekttransistor Fälteffekt Tröskelspänning Beräkning av strömmen Storsignal, D Kanallängdsmodulation Flatband-shift pmosfet 013-05-03 Föreläsning 11, Komponentfysik 013 1 Komponentfysik

Läs mer

Grindar och transistorer

Grindar och transistorer Föreläsningsanteckningar Föreläsning 17 - Digitalteknik I boken: nns ej med Grindar och transistorer Vi ska kort beskriva lite om hur vi kan bygga upp olika typer av grindar med hjälp av transistorer.

Läs mer

Du har följande material: 1 Kopplingsdäck 2 LM339 4 komparatorer i vardera kapsel. ( ELFA art.nr datablad finns )

Du har följande material: 1 Kopplingsdäck 2 LM339 4 komparatorer i vardera kapsel. ( ELFA art.nr datablad finns ) Projektuppgift Digital elektronik CEL08 Syfte: Det här lilla projektet har som syfte att visa hur man kan konverterar en analog signal till en digital. Här visas endast en metod, flash-omvandlare. Uppgift:

Läs mer

INTRODUKTION TILL OrCAD

INTRODUKTION TILL OrCAD UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Agneta Bränberg 23-3-27 INTRODUKTION TILL OrCAD Laboration E1 ELEKTRO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): Rättningsdatum Kommentarer

Läs mer

Föreläsning 11 Bipolära Transistorer I. BJT Bipolar JuncDon Transistor. FunkDon bipolär transistor. DC operadon, strömförstärkning

Föreläsning 11 Bipolära Transistorer I. BJT Bipolar JuncDon Transistor. FunkDon bipolär transistor. DC operadon, strömförstärkning Föreläsning 11 ipolära ransistorer J ipolar JuncDon ransistor FunkDon bipolär transistor Geometri npn D operadon, strömförstärkning OperaDonsmoder Early- effekten pnp transistor G. alla 1 deal transistor

Läs mer

Tentamen i Elektronik grundkurs ETA007 för E

Tentamen i Elektronik grundkurs ETA007 för E Lars-Erik Cederlöf Tentamen i Elektronik grundkurs ETA007 för E 003-0-4 Tentamen omfattar poäng. 3 poäng per uppgift. 0 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är räknedosa. För full poäng krävs

Läs mer

Varvtalsstyrning av likströmsmotorer

Varvtalsstyrning av likströmsmotorer Varvtalstyrning av likströmsmotorer Föreläsning 6 Kap 3.6 Grundkretsar med transistorer, avsnitt Transistorn som switch sid 3-42. Kap. 7.6 Kraftelektronik avsnitten Systemuppbyggnad sid 7-36, Likspänningsomvandlare

Läs mer

MÄTNING AV ELEKTRISKA STORHETER

MÄTNING AV ELEKTRISKA STORHETER MÅ NIVSITT Tillämpad fysik och elektronik Hans Wiklund 996-05- MÄTNING AV LKTISKA STOHT Laboration 5 LKTO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): ättningsdatum Kommentarer Godkänd: ättningsdatum

Läs mer

Varvtalsstyrning av likströmsmotorer

Varvtalsstyrning av likströmsmotorer Varvtalstyrning av likströmsmotorer Föreläsning 6 Kap 3.6 Grundkretsar med transistorer, avsnitt Transistorn som switch sid 3-42. Kap. 7.6 Kraftelektronik avsnitten Systemuppbyggnad sid 7-36, Likspänningsomvandlare

Läs mer

Systemkonstruktion LABORATION SWITCHAGGREGAT. Utskriftsdatum:

Systemkonstruktion LABORATION SWITCHAGGREGAT. Utskriftsdatum: Systemkonstruktion LABORATION SWITCHAGGREGAT Laborationsansvariga: Anders Arvidsson Utskriftsdatum: 2005-04-26 Syfte Denna laboration syftar till att bekanta sig med en typ av switchaggregat, boost-regulatorn.

Läs mer

IDE-sektionen. Laboration 6 Växelströmsmätningar

IDE-sektionen. Laboration 6 Växelströmsmätningar 090508 IDE-sektionen Laboration 6 Växelströmsmätningar 1 Förberedelseuppgifter laboration 5 1. Antag att L=250 mh och resistansen i spolen är ca: 150 Ω i figur 3. Skissa på spänningen över resistansen

Läs mer

Konduktivitetsmätning

Konduktivitetsmätning UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Johan Pålsson 2002-09-04 Rev 0.7 Konduktivitetsmätning Laboration xx ELEKTRO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): Rättningsdatum Kommentarer

Läs mer

Laborationshandledning för mätteknik

Laborationshandledning för mätteknik Laborationshandledning för mätteknik - digitalteknik och konstruktion TNE094 LABORATION 1 Laborant: E-post: Kommentarer från lärare: Institutionen för Teknik och Naturvetenskap Campus Norrköping, augusti

Läs mer

Ellära. Laboration 2 Mätning och simulering av likströmsnät (Thevenin-ekvivalent)

Ellära. Laboration 2 Mätning och simulering av likströmsnät (Thevenin-ekvivalent) Ellära. Laboration 2 Mätning och simulering av likströmsnät (Thevenin-ekvivalent) Labhäftet underskrivet av läraren gäller som kvitto för labben. Varje laborant måste ha ett eget labhäfte med ifyllda förberedelseuppgifter

Läs mer

Lab nr Elinstallation, begränsad behörighet ET1013 Likströmskretsar

Lab nr Elinstallation, begränsad behörighet ET1013 Likströmskretsar Laborationsrapport Kurs Elinstallation, begränsad behörighet ET1013 Lab nr 1 version 2.1 Laborationens namn Likströmskretsar Namn Kommentarer Utförd den Godkänd den Sign 1 Noggrannhet vid beräkningar Anvisningar

Läs mer

Tentamen i Elektronik grundkurs ETA007 för E1 och D

Tentamen i Elektronik grundkurs ETA007 för E1 och D Lars-Erik Cederlöf Tentamen i Elektronik grundkurs ETA007 för E och D 006-0-3 Tentamen omfattar poäng. 3 poäng per uppgift. 0 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är räknedosa. För full poäng

Läs mer

Vad är elektricitet?

Vad är elektricitet? Vad är elektricitet? Vad är elektricitet? Grundämnenas elektriska egenskaper avgörs av antalet elektroner i det yttersta skalet - valenselektronerna! Skol-modellen av en Kiselatom. Kisel med atomnumret

Läs mer

IF1330 Ellära KK1 LAB1 KK2 LAB2. tentamen

IF1330 Ellära KK1 LAB1 KK2 LAB2. tentamen F330 Ellära F/Ö F/Ö4 F/Ö2 F/Ö5 F/Ö3 Strömkretslära Mätinstrument Batterier Likströmsnät Tvåpolsatsen KK LAB Mätning av U och F/Ö6 F/Ö7 Magnetkrets Kondensator Transienter KK2 LAB2 Tvåpol mät och sim F/Ö8

Läs mer

Signalbehandling, förstärkare och filter F9, MF1016

Signalbehandling, förstärkare och filter F9, MF1016 Signalbehandling, förstärkare och filter F9, MF1016 Signalbehandling, inledning Förstärkning o Varför förstärkning. o Modell för en förstärkare. Inresistans och utresistans o Modell för operationsförstärkaren

Läs mer

Elektricitetslära och magnetism - 1FY808

Elektricitetslära och magnetism - 1FY808 Linnéuniversitetet Institutionen för datavetenskap, fysik och matematik Laborationshäfte för kursen Elektricitetslära och magnetism - 1FY808 Ditt namn:... eftersom labhäften far runt i labsalen. 1 1. Instrumentjämförelse

Läs mer

LTK010, vt 2017 Elektronik Laboration

LTK010, vt 2017 Elektronik Laboration Reviderad: 20 december 2016 av Jonas Enger jonas.enger@physics.gu.se Förberedelse: Du måste känna till följande Kirchoffs ström- och spänningslagar Ström- och spänningsriktig koppling vid resistansmätning

Läs mer

Laboration ( ELEKTRO

Laboration ( ELEKTRO UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker ohansson ohan Pålsson 21-2-16 Rev 1.1 $.7,9$),/7(5 Laboration ( ELEKTRO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): Rättningsdatum Kommentarer

Läs mer

4:8 Transistorn och transistorförstärkaren.

4:8 Transistorn och transistorförstärkaren. 4:8 Transistorn och transistorförstärkaren. Inledning I kapitlet om halvledare lärde vi oss att en P-ledare har positiva laddningsbärare, och en N-ledare har negativa laddningsbärare. Om vi sammanfogar

Läs mer

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D Lars-Erik Cederlöf Per Liljas Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D1 2001-05-28 Tentamen omfattar 40 poäng, 2 poäng för varje uppgift. 20 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet

Läs mer

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007.

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007. Tekniska Högskolan i Lund Institutionen för Elektrovetenskap Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007. Uppgifterna i tentamen ger totalt

Läs mer

Laboration 1: Aktiva Filter ( tid: ca 4 tim)

Laboration 1: Aktiva Filter ( tid: ca 4 tim) 091129/Thomas Munther IDE-sektionen/Högskolan Halmstad Uppgift 1) Laboration 1: Aktiva Filter ( tid: ca 4 tim) Vi skall använda en krets UAF42AP. Det är är ett universellt aktivt filter som kan konfigureras

Läs mer

LabVIEW - Experimental Fysik B

LabVIEW - Experimental Fysik B LabVIEW - Robin Andersson Anton Lord robiand@student.chalmers.se antonlo@student.chalmers.se Januari 2014 Sammandrag Denna laboration går ut på att konstruera ett program i LabVIEW som kan på kommando

Läs mer

Test och verifiering av en ny inkapslingsmetod för SiC BJT och MOSFET

Test och verifiering av en ny inkapslingsmetod för SiC BJT och MOSFET UTH-INGUTB-EX-E-2012/16-SE Examensarbete 15 hp Januari 2013 Test och verifiering av en ny inkapslingsmetod för SiC BJT och MOSFET Test and verification for a new packaging concept for SiC BJT and MOSFET

Läs mer

FFY616. Halvledarteknik. Laboration 4 DIODER

FFY616. Halvledarteknik. Laboration 4 DIODER Halvledarteknik Laboration 4 DIODER Målet med denna laboration är att du skall lära dig hur olika typer av dioder fungerar och hur man kan använda dem Laborant: Godkänt den.. av. M. K. Friesel, I. Albinsson

Läs mer

TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg

TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg Version 0.3 Mikael Olofsson Kent Palmkvist Prakash Harikumar 18 mars 2014 Laborant Personnummer Datum Godkänd 1 1 Introduktion I denna laboration kommer ni

Läs mer

Experiment med schmittrigger

Experiment med schmittrigger dlab00a Experiment med schmittrigger Namn Datum Handledarens sign. Varför denna laboration? Schmittriggern är en mycket användbar koppling inom såväl analog- som digitaltekniken. Ofta används den för att

Läs mer

Laboration D151. Kombinatoriska kretsar, HCMOS. Namn: Datum: Epostadr: Kurs:

Laboration D151. Kombinatoriska kretsar, HCMOS. Namn: Datum: Epostadr: Kurs: UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Digitalteknik Christer Ardlin/Lars Wållberg/ Håkan Joëlson 2000-01-28 v 2.3 ELEKTRONIK Digitalteknik Laboration D151 Kombinatoriska kretsar, HCMOS Namn:

Läs mer

Laboration 6. A/D- och D/A-omvandling. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum

Laboration 6. A/D- och D/A-omvandling. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum Laboration 6 A/D- och D/A-omvandling A/D-omvandlare Digitala Utgång V fs 3R/2 Analog Sample R R D E C O D E R P/S Skiftregister R/2 2 N-1 Komparatorer Digital elektronik Halvledare, Logiska grindar Digital

Läs mer

Allmän symbol för diod. Ledriktning. Alternativ symbol för en ideal diod.

Allmän symbol för diod. Ledriktning. Alternativ symbol för en ideal diod. 14BDioder Den ideala dioden. En stor och viktig grupp av halvledarkomponenter utgör dioderna, som kännetecknas av att de har vad man kallar ventilverkan. De uppvisar låg resistans för ström i den ena riktningen,

Läs mer

Lösningar Tenta

Lösningar Tenta Lösningar Tenta 110525 1) a) Driftström: Elektriskt laddade partiklar (elektroner och hål) rör sig i ett elektriskt fält. Detta ger upphov till en ström som följer ohms lag. Diffusion: Elektroner / hål

Läs mer

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II Föreläsning 9 ipolära Transistorer Funktion bipolär transistor Småsignal-modell Hybrid-p Designparametrar 1 Komponentfysik - Kursöversikt ipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Optokomponenter

Läs mer

Vad är elektricitet?

Vad är elektricitet? Vad är elektricitet? Vad är elektricitet? Grundämnenas elektriska egenskaper avgörs av antalet elektroner i det yttersta skalet - valenselektronerna! Skol-modellen av en Kiselatom. Kisel med atomnumret

Läs mer

Apparater på labbet. UMEÅ UNIVERSITET 2004-04-06 Tillämpad fysik och elektronik Elektronik/JH. Personalia: Namn: Kurs: Datum:

Apparater på labbet. UMEÅ UNIVERSITET 2004-04-06 Tillämpad fysik och elektronik Elektronik/JH. Personalia: Namn: Kurs: Datum: UMEÅ UNIVERSITET 2004-04-06 Tillämpad fysik och elektronik Elektronik/JH Apparater på labbet Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): Rättningsdatum Kommentarer Godkänd: Rättningsdatum Signatur

Läs mer

Mät kondensatorns reaktans

Mät kondensatorns reaktans Ellab012A Mät kondensatorns reaktans Namn Datum Handledarens sign Varför denna laboration? Avsikten med den här laborationen är att träna grundläggande analys- och mätteknik vid mätning på växelströmkretsar

Läs mer

Elektro och Informationsteknik LTH. Laboration 3 RC- och RL-nät i tidsplanet. Elektronik för D ETIA01

Elektro och Informationsteknik LTH. Laboration 3 RC- och RL-nät i tidsplanet. Elektronik för D ETIA01 Elektro och Informationsteknik LTH Laboration 3 R- och RL-nät i tidsplanet Elektronik för D ETIA01??? Telmo Santos Anders J Johansson Lund Februari 2008 Laboration 3 Mål Efter laborationen vill vi att

Läs mer

Elektronik. MOS-transistorn. Översikt. Då och nu. MOS-teknologi. Lite historik nmosfet Arbetsområden pmosfet CMOS-inverterare NOR- och NAND-grindar

Elektronik. MOS-transistorn. Översikt. Då och nu. MOS-teknologi. Lite historik nmosfet Arbetsområden pmosfet CMOS-inverterare NOR- och NAND-grindar Översikt Pietro Andreani Institutionen för elektro- och informationsteknik unds universitet ite historik nmofet Arbetsområden pmofet CMO-inverterare NOR- och NAN-grindar MO-teknologi å och nu Metal-e-silicon

Läs mer

Laboration 1 Elektriska kretsar Online fjärrstyrd laborationsplats Blekinge Tekniska Högskola (BTH)

Laboration 1 Elektriska kretsar Online fjärrstyrd laborationsplats Blekinge Tekniska Högskola (BTH) Laboration 1 Elektriska kretsar Online fjärrstyrd laborationsplats Blekinge Tekniska Högskola (BTH) Likspänningsexperiment Namn: Elektriska kretsar Online fjärrstyrd laborationsplats Blekinge Tekniska

Läs mer

Modifieringsförslag till Moody Boost

Modifieringsförslag till Moody Boost Modifieringsförslag till Moody Boost Moody Boost (MB) är en mycket enkel krets, en transistor och ett fåtal passiva komponenter- Trots det finns det flera justeringar som du kan göra för att få pedalen

Läs mer

Instruktion elektronikkrets till vindkraftverk

Instruktion elektronikkrets till vindkraftverk Instruktion elektronikkrets till vindkraftverk Färdig koppling D1 R2 IC1 R1 D2 R3 D3 R7 R5 T1 T2 R6 T3 R6 Uppgiften innehåller: Namn Värde Utseende Antal R1 11 kω brun, brun, svart, röd, brun 1 st R2 120

Läs mer

ELLÄRA Laboration 4. Växelströmslära. Seriekrets med resistor, spole och kondensator

ELLÄRA Laboration 4. Växelströmslära. Seriekrets med resistor, spole och kondensator ELLÄA Laboration 4 Växelströmslära Moment 1: Moment 2: Moment 3: Moment 4: Moment 5: Moment 6: eriekrets med resistor och kondensator eriekrets med resistor och spole Parallellkrets med resistor och spole

Läs mer

Växelström K O M P E N D I U M 2 ELEKTRO

Växelström K O M P E N D I U M 2 ELEKTRO MEÅ NIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Johan Pålsson 999-09- Rev.0 Växelström K O M P E N D I M ELEKTRO INNEHÅLL. ALLMÄNT OM LIK- OCH VÄXELSPÄNNINGAR.... SAMBANDET MELLAN STRÖM

Läs mer

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV PMOS Småsignal FET A, f t MOS- Kondensator D/MOS- kamera Flash- minne 1 PMOS U Gate U - 0.V 1.0V 0.4V Source Isolator SiO Drain U - 1V P ++ N- typ semiconductor P ++

Läs mer

Lik- och Växelriktning

Lik- och Växelriktning FORDONSSYSTEM/ISY LABORATION 3 Lik- och Växelriktning Tyristorlikriktare, step-up/down och körning med frekvensritkare (Ifylles med kulspetspenna ) LABORANT: PERSONNR: DATUM: GODKÄND: (Assistentsign) Maj

Läs mer

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 3 Transistorförstärkare

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 3 Transistorförstärkare Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 3 Transistorförstärkare Jan Thim 1 F3: Transistorförstärkare Innehåll: Introduktion GE-steget EF-steget GB-steget Flerstegsförstärkare Felsökning 2 1 Förstärkare

Läs mer

IN Inst. för Fysik och materialvetenskap ---------------------------------------------------------------------------------------------- INSTRUKTION TILL LABORATIONEN INDUKTION ---------------------------------------------------------------------------------------------

Läs mer

Induktiv beröringsfri närvarogivare/detektor med oscillator, (Proximity switch)

Induktiv beröringsfri närvarogivare/detektor med oscillator, (Proximity switch) Induktiv beröringsfri närvarogivare/detektor med oscillator, (Proximity switch) Om spolar och resonanskretsar Pot Core Såväl motstånd som kondensatorer kan vi oftast betrakta som ideala, det vill säga

Läs mer

FYD101 Elektronik 1: Ellära

FYD101 Elektronik 1: Ellära FYD101 Elektronik 1: Ellära Laboration 1: Grundläggande instrumenthantering Förberedelse: Du måste känna till följande Ström- och spänningsriktig koppling vid resistansmätning Hur ett digitalt instruments

Läs mer