Laboration N o 1 TRANSISTORER
|
|
- Ann-Charlotte Blomqvist
- för 8 år sedan
- Visningar:
Transkript
1 Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson 22/ Analog elektronik 2 Laboration N o 1 TRANSISTORER namn: datum: åtgärda: godkänd:
2 Målsättning: Denna laboration syftar till att ge studenten: Faktakunskaper om bipolar- och fälteffekttransistorn och ett par av dess användningsområden. Erfarenhet av att konstruera kretsar med hjälp av nämnda transistorer. Övning i att använda ett simuleringsverktyg. Praktisk erfarenhet av att koppla, felsöka och att mäta på kretsar. För att uppfylla denna målsättning ska denna laboration utföras delvis gemensamt i en grupp och delvis enskilt. Gruppen jobbar tillsammans fram den konstruktion som uppgifterna handlar om. Gruppen hjälps också åt vid felsökning både i OrCAD och på kopplingsdäcket. Varje student ritar själv in sin koppling i OrCAD och simulerar sin krets, kopplar upp sin krets på kopplingsdäcket och visar handledaren samt skriver sin egen redovisning. Om ni behöver hjälp med att felsöka er krets så bör ni titta i Floyd; Electronic Devices. Varje kapitel avslutas med ett avsnitt som heter Troubleshooting. De avsnitten är mycket bra. Lämplig transistor att använda kan vara BC547, till vilken såväl simuleringsmodell som utförliga datablad finns tillgängliga. Utrustning och material: Labbdäck Strömförsörjning Oscilloskop Persondator med simuleringsprogrammet OrCad Transistor BC547 Transistor BF245 Shottkydiod Diod 1N4148 Diverse R och C Läs igenom uppgifterna noggrant. Se till att ha klart för er vad som eftersträvas med laborationen. Var ordentligt förberedd, och se till att ni studerat litteraturen och era föreläsningsanteckningar så väl att ni är ordentligt orienterade i ämnesområdet.
3 Lite om fälttransistorn I den här laborationen kommer ni att arbeta med såväl traditionella bipolära transistorer som fälteffekttransistorer, även kallade fälttransistorer. Det finns många varianter av fälttransistor, men den ni kommer använda är av typen BF245, en N-kanals JFET, Terminalerna på en fälttransistor har något annorlunda engelska benämningar än på den bipolära transistorn; strömkanalen går mellan Drain (kollektor) och Source (emitter). Styrningen sker via Gate (styre / styrelektrod) JFET-transistorn leder ström då styrspänningen U GS =0. Styrelektroden måste ges en negativ förspänning (strypspänning, pinchoff-voltage) för att strömmen skall strypas. (I D =0) JFET:en sägs vara en utarmningstyp, eftersom strömkanalen mellan drain och source måste utarmas på U P = pinch-off voltage (strypspänning) läddningsbärare om man vill strypa av strömmen. fig.1 N-kanal JFET- symbol fig.2 N-kanal JFET- I D /U GS - karaktär Till skillnad från den bipolära transistorn som kan sägas vara strömstyrd, är fälttransistorn spänningsstyrd. På en annan fälttransistortyp, bl.a. MOSFET, är styrelektroden helt isolerad från strömkanalen, förutom en inte oväsentlig kapacitv koppling. I JFET:en däremot är styret kopplad mot strömkanalen i form av en PN-övergång. Det sistnämnda innebär alltså att en positiv förspänning på en JFET innebär en avsevärd diod-framström genom styrelektroden!
4 1. Transistorn som switch Ni skall konstruera en switch med hjälp av en bipolar- och fälttransistor. Behöver ni ytterligare hjälp och tips kan ni använda er av laboration E25 som finns på Labstore samt givetvis er litteratur. 1a. Bipolär transistor som switch För vidstående switchkoppling gäller följande: I C (max) = E U R CE C ( sat) För att transistorn skall bottna krävs en basström: I B (min) = I C (max) h FE Detta innebär vidare att: U in > I B (min) R B + U BE ( sat) fig.3 transistorswitch Börja med att göra de teoretiska beräkningarna och rita ett kopplingsschema. Tänk på att vara noggrann när ni ställer upp era beräkningar och ritar er krets, så att det blir lätt att följa om ni skulle behöva felsöka. Rita sedan in er krets i OrCAD och simulera den. Tips: Svepet bör vara ett transient-svep och insignalen en fyrkantvåg och/eller en sinusvåg. Fyrkantvågen skapar ni med källan VPULSE och sinussignalen med VSIN. När simuleringen är klar och verkar stämma är det dags att koppla upp. Använd samma insignaler som vid simuleringen och verifiera att er switch fungerar som tänkt.
5 1. Beräkna det teoretiska värdet på U IN som krävs för att transistorn skall bottna. 2. Vilket värde sätter ni som h FE? Motivera detta. 3. Rita upp och simulera ovanstående krets i OrCad. Plotta tidsdiagram över Uin och Uut. Bifoga schema och simuleringresultat. 4. Koppla upp ovanstående krets på labbdäck. Mät upp det faktiska h FE som krävs för att transistorn nätt och jämt skall bottna. Jämför med det teoretiska värde ni räknat fram. Kommentera. Redovisa: 1. Konstruktionsberäkningar enligt ovan, snyggt uppställda och lätta att följa. 2. Kopplingsschema ritat i OrCAD 3. Simuleringsresultat från OrCAD 4. Tidsdiagram som visar resultatet för den verkliga kopplingen. Detta kan antingen tas in via de digitala oscilloscopen till PCn och skrivas ut eller ritas för hand.
6 1b. Bipolär transistorswitch med kapacitans De dynamiska egenskaperna hos en switch kan beskrivas i form av till- och frånslagstider. Eftersom den bipolära transistorn är strömstyrd, är det lämpligt att betrakta bas- resp. kollektorströmmarna (I b och I c ) som in- och utsignal. I nedanstående figur återges principen för hur det går till. Normalt mäter ni in- och utsignaler med oscilloskop, dvs ni tittar egentligen på in- respektive ut-spänningar. Då kommer utsignalen i form av kollektorspänningen att vara en spegelvänd avbild av kollektorströmmen då I c och U ce är fasförskjutna med 180. Tiderna är dock alltjämt definierade enligt nedan. fig.4 switchens tidsförlopp t on = t d + t r = tillslagstid t off = t s + t f = tillslagstid t d = fördröjningstid (delay time) t r = stigtid (rise time) t s = efterledningstid (storage time) t f = falltid (fall time) Ni skall nu studera er switch från föregående uppgift med hjälp av ett oscilloskop. Låt U in vara en kantspänning med f = 100kHz, pulshöjd = E V och en pulslängd på 2 µs. Eftersom kapacitiva effekter har stor betydelse för switchens egenskaper skall ni koppla in en kondensator C = 100pF på två olika sätt och se vad som händer.
7 1. Rita upp Uin (en puls), och därefter Uut för följande tre fall: 1. U ut (1) Uppkoppling enligt uppg.1a. 2. U ut (2) Uppkoppling enligt tidigare, men med en speedingkondensator C=100pF parallellt med Rb (se vidstående figur). 3. U ut (3) Uppkoppling enligt tidigare, men med kondensatorn C=100pF kopplad mellan bas och kollektor. fig.5 switch med speedingkondensator 2. Vad händer om nu tar en större speedingkondensator, t.ex. 220nF? 3. Vilken funktion får uppkopplingen i fall 3 enligt ovan?
8 1c. Bipolär transistorswitch med clamp. För att erhålla snabba omslag hos transistorswitchen måste man undvika att bottna transistorn hårt. En transistor som drivs till hård bottning fär nämligen en stor överskottsladdning lagrad på basen. Vid frånslag måste därför först denna överskottsladdning transporteras bort innan själva omslaget kan ske. En teknik som tidigt användes för att öka snabbheten hos transistorswitchar var att använda en s.k. clamp-diod av germanium (Ge) från basen till kollektorn på en kiseltransistor. Germaniumtransistorn har ett mycket lägre framspänningsfall (typiskt 0,2 0,3 V) än transistorns ca 0,6 0,7 V över bas-emitterövergången (U be ). När transistorn drivs mot bottning kommer dioden att börja leda, varvid det överskott man har i drivförmågan hos basströmmen kommer att tas upp av kollektorn. Eftersom transistorn aldrig bottnar fullständigt lagras heller ingen överskottsladdning på basen. Clamp-dioden medför alltså att man får en kraftig reducering av frånslagstiden. Ännu bättre effekt får man om man använder en s.k. shottky-diod, som består av en övergång mellan en metall och en kraftigt N-dopad halvledare av kisel. I metall-halveledarövergången kommer en potentialbarriär att byggas upp genom att några elektroner går över från halvledaren till metallen. Vid en positiv anodspänning kommer barriärens bredd att minska, och diodens framström kommer snabbt att öka vid ökad framspänning. Schottkydioden har ett lågt framspänningsfall, och kan därför användas till att clampa en kiseltransistor. Koppla upp och mät frånslagstiderna för transistorswitchen enligt vidstående bild. Redovisa: med C med D frånslagstid nej Nej ja nej nej Ja ja ja fig.6 switch med clamp och speedingkondensator Kommentera resultatet:
9 1d. Fälttransistorn som switch En fälttransistor låter sig å det förnämligaste användas som en elektronisk analog switch (brytare). Liknande, om än något mer raffinerade lösningar är vanligt förekommande i allehanda integrerade kretsar och system där man önskar koppla av och på signaler. Exempel härpå är audio- och videosystem. Oftast ingår switchen i fråga i ett system vars kretsar arbetar med matningsspänningarna 0 och +E V, eller +/-E V. Det är då praktiskt att även låta styrsignalen anta dessa värden. Ni skall pröva att använda en N-kanals JFET som en analog switch. Lämplig transistor är BF245, till vilken finns såväl datablad som simuleringsmodeller. 1. Studera kretsen. Hur fungerar den? Vad har R och D för funktion? 2. Rita upp och simulera kretsen i OrCad. 3. Koppla upp kretsen och testa funktionen. 4. Ange vilka värden på U styr ni har när switchen är i läge PÅ respektive AV. 5. En ideal switch har ett R DS (ON) = 0 Ω, och ett R DS (OFF) = Ω. Vilket R DS (ON) har er switch? Hur tar ni reda på detta? Tr = BF245 D = 1N4148 R = 1MΩ Fig.7 analog switch
10
11 2. Signalförstärkare Ni skall konstruera en småsignalförstärkare med hjälp av en bipolar- och fälttransistor. Behöver ni hjälp och tips kan ni använda er av lab E155 och E157 som finns på Labstore samt givetvis er litteratur. 2a. Signalförstärkare med bipolartransistor Ni skall konstruera en småsignalförstärkare med en vanlig bipolartransistor. Lämplig transistor till denna uppgift är BC547, till vilken finns såväl kompletta datablad som simuleringsmodeller. När man konstruerar ett transistorsteg börjar man alltid med att bestämma vid vilken arbetspunkt transistorn skall arbeta. Därför börjar man med DC-fallet. 1. DC 1. Börja med att bestämma vilken typ av bias (förspänning) kretsen ska ha, gör de teoretiska beräkningarna och rita ett kopplingsschema. Tänk på att vara noggrann när ni ställer upp era beräkningar och ritar er krets, så att det blir lätt att följa om ni skulle behöva felsöka. 2. Rita in er krets i OrCAD och simulera den. Det räcker med Bias-Point för att verifiera att er arbetspunkt blev rätt. 3. När simuleringen är klar och verkar stämma är det dags att koppla upp och verifiera att er bias-koppling fungerar som det var tänkt. fig.8 signalförstärkare med bipolär transistor När biasen är som den skall och ni har fått den arbetspunkt ni tänk er, går ni över till att se på transistorsteget utifrån ett småsignalperspektiv. 2. AC 1. Ställ upp de teoretiska beräkningar ni behöver för att kontrollera vilken förstärkning er krets kommer att få. Använd er av ett h-parameterschema. 2. Simulera sedan er krets i OrCAD. Kontrollera förstärkningen samt in- och utimpedansen hos kretsen. Gör även ett frekvenssvep och ta upp ett Bode-diagram. 3. Testa er uppkopplade krets och se om allt stämmer.
12 Redovisning: Skriftligt: Konstruktionsberäkningar, snyggt uppställda och lätta att följa. Kopplingsschema ritat i OrCAD Simuleringsresultat från OrCAD Resultaten för den verkliga kopplingen. Detta kan antingen tas in via de digitala oscilloscopen till PCn och skrivas ut eller ritas för hand. Visa: Den fungerande kopplingen visas för handledaren.
13 2b. Signalförstärkare med fälttransistor Ni skall nu pröva att använda en N-kanals JFET som en småsignalförstärkare. Lämplig transistor är BF245, till vilken finns såväl datablad som simuleringsmodeller. 1. DC 1. Börja med att bestämma vilken typ av bias kretsen ska ha, gör de teoretiska beräkningarna och rita ett kopplingsschema. Tänk på att vara noggrann när ni ställer upp era beräkningar och ritar er krets, så att det blir lätt att följa om ni skulle behöva felsöka. fig.9 signalförstärkare med FET 2. Rita sedan in er krets i OrCAD och simulera den. Det räcker med Bias-Point för att verifiera att er arbetspunkt blev rätt. 3. När simuleringen är klar och verkar stämma är det dags att koppla upp och verifiera att er bias-koppling fungerar som tänkt. När biasen är som den ska och ni fått den arbetspunkt ni tänkt er, går ni över till att se på transistorsteget utifrån ett småsignalperspektiv. 2. AC 1. Ställ upp de teoretiska beräkningar ni behöver för att kontrollera vilken förstärkning er krets kommer att få. 2. Simulera sedan er krets i OrCAD. Kontrollera förstärkningen samt in- och utimpedansen hos kretsen. Gör även ett frekvenssvep och ta upp ett Bode-diagram. 3. Testa er uppkopplade krets och se om allt stämmer. Redovisa: Skriftligt: Konstruktionsberäkningar, snyggt uppställda och lätta att följa. Kopplingsschema ritat i OrCAD Simuleringsresultat från OrCAD Resultaten för den verkliga kopplingen. Kan antingen tas in via digitala oscilloscopen till PCn och skrivas ut eller ritas för hand. Visa: Den fungerande kopplingen visas för handledaren.
14
15 3. Bilagor Datablad: BC546 / BC547 / BC548 (Vishay semiconductors) BF245 (Philips semiconductors)
TRANSISTORER. Umeå universitet Institutionen för tillämpad. fysik och elektronik. Patrik Eriksson
Institutionen för tillämpad 2013-09-05 fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Agneta Bränberg Redigerad av Johan Haake Redigerad av Nils Lundgren TRANSISTORER Målsättning: Denna
Läs merMålsättning: Utrustning och material: Denna laboration syftar till att ge studenten:
Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Agneta Bränberg Redigerad av Johan Haake Redigerad av Agneta Bränberg 2016-11-14 TRANSISTORER Målsättning:
Läs merInstitutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet. Agneta Bränberg TRANSISTORTEKNIK. Laboration.
Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet 2016-12-19 Agneta Bränberg Laboration TRANSISTORTEKNIK Analog II VT17 Målsättning: Denna laboration syftar till studenterna ska lära sig
Läs merUMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors Transistorswitchen. Laboration E25 ELEKTRO
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors 1997-01-14 Transistorswitchen Laboration E25 ELEKTRO Laboration E25 Transistorswitchen 2 Nyckelord Switch, bottnad- och strypt
Läs merTRANSISTORER
nstitutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Agneta ränberg Redigerad av Johan Haake 2012-01-11 TRANSSTORER namn: datum: Målsättng: Denna laboration syftar
Läs merTRANSISTORER. Umeå universitet Institutionen för tillämpad fysik och elektronik
Institutionen för tillämpad fysik och elektronik 216-5-25 Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Johan Haake Redigerad av Nils Lundgren Redigerad av Agneta Bränberg TRANSISTORER Målsättning: Denna
Läs merOLOP II Obligatorisk LAB operationsförstärkare Analog elektronik 2
OLOP II Obligatorisk LAB operationsförstärkare Analog elektronik 2 Namn Datum Åtgärda Godkänd Målsättning: Denna laboration syftar till att ge studenten: Kunskaper om operationsförstärkaren i teori och
Läs merRättade inlämningsuppgifter hämtas på Kents kontor Föreläsning 4 Må 11.00-11.30, 12.30-13.15 Kent Palmkvist To 11.00-11.30, 12.30-13.
/5/14 15:56 Praktisk info, forts. Löst uppgift Fyll i ett konvolut (återanvänds tills uppgiften godkänd TTE Elektronik Konvolut hittas ovanpå den svarta brevlåda som svar lämnas i vart brevlåda placerad
Läs merMoment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2
Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 2 Transistorn del 2 Jan Thim 1 F2: Transistorn del 2 Innehåll: Fälteffekttransistorn - JFET Karakteristikor och parametrar MOSFET Felsökning 2 1 Introduktion Fälteffekttransistorer
Läs merMoment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 1 Transistorn del 1
Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 1 Transistorn del 1 Jan Thim 1 F1: Transistorn del 1 Innehåll: Historia Funktion Karakteristikor och parametrar Transistorn som förstärkare Transistorn som switch
Läs merSM Serien Strömförsörjning. Transistorn
Transistorn Transistorn är en av de viktigaste uppfinningar som gjorts under modern tid. Utan denna skulle varken rymdfärder eller PC-datorer vara möjliga. Transistorn ingår som komponent i Integrerade
Läs merUmeå universitet Tillämpad fysik och elektronik Ville Jalkanen mfl Laboration Tema OP. Analog elektronik för Elkraft 7.
Laboration Tema OP Analog elektronik för Elkraft 7.5 hp 1 Applikationer med operationsförstärkare Operationsförstärkaren är ett byggblock för analoga konstruktörer. Den går att använda för att förstärka
Läs merLaborationsrapport. Kurs Elektroteknik grundkurs ET1002. Lab nr 3. Laborationens namn Halvledarkomponenter. Kommentarer. Namn. Utförd den.
Laborationsrapport Kurs Elektroteknik grundkurs ET1002 Lab nr 3 Laborationens namn Halvledarkomponenter Namn Kommentarer Utförd den Godkänd den Sign Halvledarkomponenter I den här laborationen skall du
Läs merElektronik 2017 EITA35
Elektronik 2017 EITA35 OP-Amp Komplex Återkoppling. Klippning. Maximal spänning/ström. Gain-bandwidthproduct. Offset. Slewrate Avkopplingskondensator Transistorer - MOSFETs Lab 4 Anmälan på hemsidan Projektnummer
Läs merLaboration 1: Aktiva Filter ( tid: ca 4 tim)
091129/Thomas Munther IDE-sektionen/Högskolan Halmstad Uppgift 1) Laboration 1: Aktiva Filter ( tid: ca 4 tim) Vi skall använda en krets UAF42AP. Det är är ett universellt aktivt filter som kan konfigureras
Läs merDigitala kretsars dynamiska egenskaper
dlab00a Digitala kretsars dynamiska egenskaper Namn Datum Handledarens sign. Laboration Varför denna laboration? Mycket digital elektronik arbetar med snabb dataöverföring och strömförsörjs genom batterier.
Läs merVÄXELSTRÖM SPÄNNINGSDELNING
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Agneta Bränberg Patrik Eriksson (uppdatering) 1996-06-12 uppdaterad 2005-04-13 VÄXELSTRÖM SPÄNNINGSDELNING Laboration E10 ELEKTRO Personalia: Namn: Kurs:
Läs merFöreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren
Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren /Krister Hammarling 1 Transistorn Innehåll: Historia Funktion Karakteristikor och parametrar Transistorn som förstärkare Transistorn som switch Felsökning
Läs merTentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2
Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2 Tid: kl 9.13. Måndagen den 16 augusti 21 Sal: O125 Hjälpmedel: formelsamling elektronik, formelsamling ellära samt valfri räknare. Maxpoäng: 3 Betyg: 12p3:a, 18p4:a
Läs merDefinition av kraftelektronik
F1: Introduktion till Kraftelektronik Definition av kraftelektronik Den enegelska motsvarigheten till kraft elektronik är Power electronics. På Wikipedia kan man hitta följande definition: Power electronics
Läs merVÄXELSTRÖM SPÄNNINGSDELNING
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Agneta Bränberg 1996-06-12 VÄXELSTRÖM SPÄNNINGSDELNING Laboration E10 ELEKTRO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): Rättningsdatum Kommentarer
Läs mernmosfet och analoga kretsar
nmosfet och analoga kretsar Erik Lind 22 november 2018 1 MOSFET - Struktur och Funktion Strukturen för en nmosfet (vanligtvis bara nmos) visas i fig. 1(a). Transistorn består av ett p-dopat substrat och
Läs merFÖRELÄSNING 3. Förstärkaren. Arbetspunkten. Olika lastresistanser. Småsignalsschemat. Föreläsning 3
FÖRELÄSNING 3 Förstärkaren Arbetspunkten Olika lastresistanser Småsignalsschemat Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 1(36) Förstärkaren (S&S4 1.4, 5.2, 5.4, 5.5, 5.6/
Läs merDEL-LINJÄRA DIAGRAM I
Institutionen för Tillämpad fysik och elektronik Ulf Holmgren 95124 DEL-LINJÄRA DIAGRAM I Laboration E15 ELEKTRO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): Rättningsdatum Kommentarer Godkänd:
Läs merOperationsfo rsta rkarens parametrar
Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet 2016-01-15 Agneta Bränberg, Ville Jalkanen Laboration Operationsfo rsta rkarens parametrar Analog elektronik II HT16 1 Introduktion Operationsförstärkare
Läs merGrindar och transistorer
Föreläsningsanteckningar Föreläsning 17 - Digitalteknik I boken: nns ej med Grindar och transistorer Vi ska kort beskriva lite om hur vi kan bygga upp olika typer av grindar med hjälp av transistorer.
Läs merKomponentfysik ESS030. Den bipolära transistorn
Komponentfysik ESS030 Den bipolära transistorn T- 2016 Syfte Syftet med denna laboration är att studenten ska bekanta sig med den grundläggande fysiken i en bipolär transistor. Det fundamentala byggblocket
Läs merTentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007.
Tekniska Högskolan i Lund Institutionen för Elektrovetenskap Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007. Uppgifterna i tentamen ger totalt
Läs merLaboration II Elektronik
817/Thomas Munther IDE-sektionen Halmstad Högskola Laboration II Elektronik Transistor- och diodkopplingar Switchande dioder, D1N4148 Zenerdiod, BZX55/C3V3, BZX55/C9V1 Lysdioder, Grön, Gul, Röd, Vit och
Läs merStrömförsörjning. Laboration i Elektronik 285. Laboration Produktionsanpassad Elektronik konstruktion
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Dan Weinehall PA Persson Redigerad av Johan Haake och Stig Esko Laboration Produktionsanpassad Elektronik konstruktion 20020820 Strömförsörjning Laboration
Läs merTentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D
Lars-Erik ederlöf Per Liljas Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ET 03 för D 200-08-20 Tentamen omfattar 40 poäng, 2 poäng för varje uppgift. 20 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel
Läs merExperiment med schmittrigger
dlab00a Experiment med schmittrigger Namn Datum Handledarens sign. Varför denna laboration? Schmittriggern är en mycket användbar koppling inom såväl analog- som digitaltekniken. Ofta används den för att
Läs merIntroduktion till halvledarteknik
Introduktion till halvledarteknik Innehåll 7 Fälteffekttransistorer MOS-transistorn strömekvation MOS-transistorn kanal mobilitet Substrat bias effekt 7 Bipolar transistorn Introduktion Minoritets bärare
Läs merMätningar på transistorkopplingar
Ellab015A Mätningar på transistorkopplingar Namn Datum Handledarens sign. Laboration Varför denna laboration? Transistorn är en av de allra viktigaste komponenterna inom elektroniken. I den här laborationen
Läs merLaboration - Operationsfo rsta rkare
6-8- Laboration - Operationsfo rsta rkare 6-8- Introduktion och redovisning Operationsförstärkaren är ett byggblock för analoga konstruktörer. Den går att använda för att förstärka små signaler, för att
Läs merLaborationsrapport. Kurs Elektroteknik grundkurs ET1002. Lab nr 5. Laborationens namn Växelström. Kommentarer. Namn. Utförd den. Godkänd den.
Laborationsrapport Kurs Elektroteknik grundkurs ET1002 Lab nr 5 Laborationens namn Växelström Namn Kommentarer Utförd den Godkänd den Sign Växelström Förberedelseuppgift: Gör beräkningarna till uppgifterna
Läs merMoment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 3 Transistorförstärkare
Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 3 Transistorförstärkare Jan Thim 1 F3: Transistorförstärkare Innehåll: Introduktion GE-steget EF-steget GB-steget Flerstegsförstärkare Felsökning 2 1 Förstärkare
Läs merLaboration - Va xelstro mskretsar
Laboration - Va xelstro mskretsar 1 Introduktion och redovisning I denna laboration simuleras spänning och ström i enkla växelströmskretsar bestående av komponenter som motstånd, kondensator, och spole.
Läs merTENTAMEN Elektronik för elkraft
Umeå Universitet Tillämpad Fysik och Elektronik JH TENTAMEN Elektronik för elkraft HT 2012 Omtentamen 9/1 2013 Tillåtna hjälpmedel: Räknedosa. Lärobok (Analog elektronik, Bengt Molin) Labbar Tentamen består
Läs merElektroteknikens grunder Laboration 3. OP-förstärkare
Elektroteknikens grunder Laboration 3 OPförstärkare Elektroteknikens grunder Laboration 3 Mål Du ska i denna laboration studera tre olika användningsområden för OPförstärkare. Den ska användas som komparator,
Läs merAPPARATER PÅ ELEKTRONIKLABBET
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Agneta Bränberg 1999-09-06 Rev 1.0 APPARATER PÅ ELEKTRONIKLABBET Laboration E101 ELEKTRO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): Rättningsdatum
Läs mer1.2 Två resistorer är märkta 220 ohm 0,5 W respektive 330 ohm 0,25 W. vilken är den största spänning som kan anslutas till:
Passiva komponenter. Vilken resistans och tolerans har en resistor märkt: a) röd, violett, gul, guld b) blå, grå, blå, silver c) brun, svart, svart, guld d) orange, vit, brun, röd, mellanrum, brun e) grön,
Läs merLaboration D181. ELEKTRONIK Digitalteknik. Kombinatoriska kretsar, HCMOS. 2008-01-24 v 2.1
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Digitalteknik Christer Ardlin/Lars Wållberg/ Dan Weinehall/Håkan Joëlson 2008-01-24 v 2.1 ELEKTRONIK Digitalteknik Laboration D181 Kombinatoriska kretsar,
Läs merTentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D
Lars-Erik ederlöf Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ET 03 för D 000-03-3 Tentamen omfattar 40 poäng, poäng för varje uppgift. 0 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är räknedosa.
Läs merFöreläsning 9 Bipolära Transistorer II
Föreläsning 9 ipolära Transistorer Funktion bipolär transistor Småsignal-modell Hybrid-p Designparametrar 1 Komponentfysik - Kursöversikt ipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Optokomponenter
Läs merDIGITALTEKNIK I. Laboration DE1. Kombinatoriska nät och kretsar
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Digitalteknik Björne Lindberg/Håkan Joëlson John Berge 2013 DIGITALTEKNIK I Laboration DE1 Kombinatoriska nät och kretsar Namn... Personnummer... Epost-adress...
Läs merElektronik grundkurs Laboration 6: Logikkretsar
Elektronik grundkurs Laboration 6: Logikkretsar Förberedelseuppgifter: 1. Förklara vad som menas med logiskt sving. 2. Förklara vad som menas med störmarginal. 3. Förklara vad som menas med stegfördröjning.
Läs merHalvledare. Transistorer, Förstärkare
Halvledare Transistorer, Förstärkare Om man har en två-ports krets v in (t) ~ v ut (t) R v ut (t) = A v in (t) A är en konstant: Om A är mindre än 1 så kallas kretsen för en dämpare Om A är större än 1
Läs merVanliga förstärkarkopplingar med operationsförstärkaren
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors 1996-09-22 Vanliga förstärkarkopplingar med operationsförstärkaren Laboration E36 ELEKTRO Laboration E36 Vanliga förstärkarkopplingar
Läs merLaboration D151. Kombinatoriska kretsar, HCMOS. Namn: Datum: Epostadr: Kurs:
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Digitalteknik Christer Ardlin/Lars Wållberg/ Håkan Joëlson 2000-01-28 v 2.3 ELEKTRONIK Digitalteknik Laboration D151 Kombinatoriska kretsar, HCMOS Namn:
Läs merTentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D
Lars-Erik Cederlöf Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 03 för D 2000-05-03 Tentamen omfattar 40 poäng, 2 poäng för varje uppgift. 20 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är
Läs merDIFFERENTALFÖRSTÄRKARE
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson 1996-12-06 DIFFERENTALFÖRSTÄRKARE Laboration E-35 ELEKTRO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): Rättningsdatum Kommentarer
Läs merLaboration 6. A/D- och D/A-omvandling. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum
Laboration 6 A/D- och D/A-omvandling A/D-omvandlare Digitala Utgång V fs 3R/2 Analog Sample R R D E C O D E R P/S Skiftregister R/2 2 N-1 Komparatorer Digital elektronik Halvledare, Logiska grindar Digital
Läs mer4:8 Transistorn och transistorförstärkaren.
4:8 Transistorn och transistorförstärkaren. Inledning I kapitlet om halvledare lärde vi oss att en P-ledare har positiva laddningsbärare, och en N-ledare har negativa laddningsbärare. Om vi sammanfogar
Läs merDIGITALTEKNIK. Laboration D161. Kombinatoriska kretsar och nät
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Digitalteknik jörne Lindberg/Håkan Joëlson 2003-09-15 v 2.2 DIGITALTEKNIK Laboration D161 Kombinatoriska kretsar och nät Innehåll Uppgift 1...Grundläggande
Läs merBatteri. Lampa. Strömbrytare. Tungelement. Motstånd. Potentiometer. Fotomotstånd. Kondensator. Lysdiod. Transistor. Motor. Mikrofon.
Batteri Lampa Strömbrytare Tungelement Motstånd Potentiometer Fotomotstånd Kondensator Lysdiod Transistor Motor Mikrofon Högtalare Ampèremeter 1 1. Koppla upp kretsen. Se till att motorns plus och minuspol
Läs merTENTAMEN Elektronik för elkraft HT
Umeå Universitet Tillämpad Fysik och Elektronik UH TENTAMEN Elektronik för elkraft HT 2015-2015-10-30 Tillåtna hjälpmedel: Räknedosa. Lärobok (Analog elektronik, Bengt Molin) Laborationer Tentamen består
Läs merInduktiv beröringsfri närvarogivare/detektor med oscillator, (Proximity switch)
Induktiv beröringsfri närvarogivare/detektor med oscillator, (Proximity switch) Om spolar och resonanskretsar Pot Core Såväl motstånd som kondensatorer kan vi oftast betrakta som ideala, det vill säga
Läs merIntroduktion till halvledarteknik
Introduktion till halvledarteknik Innehåll 6 Övergångar (pn och metal-halvledare) 2:a ordningens effekter Metal-halvledar övergångar 6 Fälteffekttransistorer JFET och MOS transistorer Ideal MOS kapacitans
Läs merI: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn.
Komponentfysik Övning 4 VT-10 Utredande uppgifter: I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn. II: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor.
Läs merElektronik. Lars-Erik Cederlöf
Elektronik LarsErik Cederlöf 1 Ledare och isolatorer Ledare för elektrisk ström har atomer med fria rörliga laddningar i yttersta skalet. Exempel på ledare är metallerna koppar och aluminium. Deras atomer
Läs merVarvtalsstyrning av likströmsmotorer
Varvtalstyrning av likströmsmotorer Föreläsning 6 Kap 3.6 Grundkretsar med transistorer, avsnitt Transistorn som switch sid 3-42. Kap. 7.6 Kraftelektronik avsnitten Systemuppbyggnad sid 7-36, Likspänningsomvandlare
Läs merUtredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod?
Komponentfysik Uppgifter Bipolärtransistor VT-15 Utredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod? III: Definiera övergångsfrekvensen
Läs merFöreläsning 8. MOS transistorn. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM
Föreläsning 8 MOS transistorn Förstärkare med MOS transistorn t Exempel, enkel förstärkare med MOS IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM 1 Varför MOS transistorn Förstå en grundläggande komponent
Läs merDIGITALTEKNIK. Laboration D173. Grundläggande digital logik
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Digitalteknik Håkan Joëlson 2007-11-19 v 1.1 DIGITALTEKNIK Laboration D173 Grundläggande digital logik Innehåll Mål. Material.... Uppgift 1...Sanningstabell
Läs merTentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D
Lars-Erik Cederlöf Per Liljas Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D1 2001-05-28 Tentamen omfattar 40 poäng, 2 poäng för varje uppgift. 20 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet
Läs merFöreläsning 8. MOS transistorn Förstärkare med MOS transistorn Exempel, enkel förstärkare med MOS. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT VT11/BM
Föreläsning 8 MOS transistorn Förstärkare med MOS transistorn Exempel, enkel förstärkare med MOS 1 Varför MOS transistorn Förstå en grundläggande komponent för både digitala och analoga kretsar Är idag
Läs merVarvtalsstyrning av likströmsmotorer
Varvtalstyrning av likströmsmotorer Föreläsning 6 Kap 3.6 Grundkretsar med transistorer, avsnitt Transistorn som switch sid 3-42. Kap. 7.6 Kraftelektronik avsnitten Systemuppbyggnad sid 7-36, Likspänningsomvandlare
Läs merLaborationshandledning
Laborationshandledning Utbildning: ED Ämne: TNE094 Digitalteknik och konstruktion Laborationens nummer och titel: Nr 5 Del A: Schmittrigger Del B: Analys av sekvensnät Laborant: E-mail: Medlaboranters
Läs merÖvningsuppgifter i Elektronik
1 Svara på följande frågor om halvledarkomponenter. Övningsuppgifter i Elektronik a) Vad är utmärkande för ett halvledarmaterial? b) Vad innebär egenledning och hur kan den förhindras? c) edogör för dopning
Läs merIDE-sektionen. Laboration 5 Växelströmsmätningar
9428 IDEsektionen Laboration 5 Växelströmsmätningar 1 Förberedelseuppgifter laboration 4 1. Antag att vi mäter spänningen över en okänd komponent resultatet blir u(t)= 3sin(ωt) [V]. Motsvarande ström är
Läs merINTRODUKTION TILL OrCAD
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Agneta Bränberg 23-3-27 INTRODUKTION TILL OrCAD Laboration E1 ELEKTRO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): Rättningsdatum Kommentarer
Läs merElektronik grundkurs Laboration 5 Växelström
Elektronik grundkurs Laboration 5 Växelström Förberedelseuppgift: Gör beräkningarna till uppgifterna 1, 2, 3 och 4. Uppgift 1: Summering av växelspänningar med visardiagram U in 1 L U U U L Spole: L =
Läs merFöreläsning 13 Fälteffekttransistor III
Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III pmo måsignal FET A, f t MO-Kondensator 014-05-19 Föreläsning 13, Komponentfysik 014 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser
Läs merFör att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet.
Kortslutningsskydd För att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet. Utströmmen passerar R4, ett lågohmigt
Läs merLABORATIONSINSTRUKTION. Mätning på dioder och transistorer
Lars-Erik Cederlöf LABORATIONSINSTRUKTION LABORATION Mätning på dioder och transistorer KURS Elektronik grundkurs LAB NR 4 INNEHÅLL Data om dioden 1N4148 Kontroll av diod Diodens karaktäristik Data om
Läs merFöreläsning 9 Bipolära Transistorer II
Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II Funktion bipolär transistor Småsignal-modell Hybrid-p 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Optokomponenter pn-övergång:
Läs merFöreläsning 11 Fälteffekttransistor II
Föreläsning 11 Fälteffekttransistor Fälteffekt Tröskelspänning Beräkning av strömmen Storsignal, D Kanallängdsmodulation Flatband-shift pmosfet 013-05-03 Föreläsning 11, Komponentfysik 013 1 Komponentfysik
Läs merModifieringsförslag till Moody Boost
Modifieringsförslag till Moody Boost Moody Boost (MB) är en mycket enkel krets, en transistor och ett fåtal passiva komponenter- Trots det finns det flera justeringar som du kan göra för att få pedalen
Läs merTentamen i Komponentfysik ESS030, ETI240/0601 och FFF090
011-01-10 08 00-13 00 Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI40/0601 och FFF090 Hjälpmedel: TEFYMA, ordlista, beteckningslista, formelsamlingar och räknare. Max 5p, för godkänt krävs 10p. Om inget annat
Läs mer5 OP-förstärkare och filter
5 OP-förstärkare och filter 5.1 KOMPARATORKOPPLINGAR 5.1.1 I kretsen nedan är en OP-förstärkare kopplad som en komparator utan återkoppling. Uref = 5 V, Um= 13 V. a) Rita utsignalen som funktion av insignalen
Läs merLaborationshandledning
Laborationshandledning Utbildning: ED Ämne: TNGE11 Digitalteknik Laborationens nummer och titel: Nr 5 Del A: Schmittrigger Del B: Analys av sekvensnät Laborant: E-mail: Medlaboranters namn: Handledarens
Läs merElektro och Informationsteknik LTH. Laboration 3 RC- och RL-nät i tidsplanet. Elektronik för D ETIA01
Elektro och Informationsteknik LTH Laboration 3 R- och RL-nät i tidsplanet Elektronik för D ETIA01??? Telmo Santos Anders J Johansson Lund Februari 2008 Laboration 3 Mål Efter laborationen vill vi att
Läs merFöreläsning 8 Bipolära Transistorer I
Föreläsning 8 iolära ransistorer Funktion biolär transistor Geometri nn D oeration, strömförstärkning Oerationsmoder Early-effekten n transistor 1 Komonentfysik - Kursöversikt iolära ransistorer n-övergång:
Läs merApparater på labbet. UMEÅ UNIVERSITET 2004-04-06 Tillämpad fysik och elektronik Elektronik/JH. Personalia: Namn: Kurs: Datum:
UMEÅ UNIVERSITET 2004-04-06 Tillämpad fysik och elektronik Elektronik/JH Apparater på labbet Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): Rättningsdatum Kommentarer Godkänd: Rättningsdatum Signatur
Läs merTSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg
TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg Version 0.3 Mikael Olofsson Kent Palmkvist Prakash Harikumar 18 mars 2014 Laborant Personnummer Datum Godkänd 1 1 Introduktion I denna laboration kommer ni
Läs merFormelsamling för komponentfysik. eller I = G U = σ A U L Småsignalresistans: R = du di. där: σ = 1 ρ ; = N D + p n 0
Uppdaterad: 01-05-5 Anders Gustafsson Formelsamling för komponentfysik Halvledare och Ström (transport) Kapacitans: C = Q Småsignalkapacitans: C = dq U du Plattkondensator: C = A ε r ε r d Parallellkoppling:
Läs merVideoförstärkare med bipolära transistorer
Videoförstärkare med bipolära transistorer IE1202 Analog elektronik - Joel Nilsson joelni at kth.se Innehåll i 1 Första försöket 1 1.1 Beräkningar....................................... 1 1.1.1 Dimensionering
Läs merElektronik. MOS-transistorn. Översikt. Då och nu. MOS-teknologi. Lite historik nmosfet Arbetsområden pmosfet CMOS-inverterare NOR- och NAND-grindar
Översikt Pietro Andreani Institutionen för elektro- och informationsteknik unds universitet ite historik nmofet Arbetsområden pmofet CMO-inverterare NOR- och NAN-grindar MO-teknologi å och nu Metal-e-silicon
Läs merUndersökning av logiknivåer (V I
dlab002a Undersökning av logiknivåer (V I Namn Datum Handledarens sign. Laboration Varför denna laboration? Vid såväl konstruktion som felsökning och reparation av digitala kretskort är det viktigt att
Läs merTentamen i Elektronik fk 5hp
Tentamen i Elektronik fk 5hp Tid: kl 9.13. Måndagen den 16 Mars 29 Sal: Bingo Hjälpmedel: formelsamling elektronik (14 sidor), formelsamling ellära samt valfri räknare. Maxpoäng: 3 Betyg: 12p3:a, 18p4:a
Läs merTSTE93 Analog konstruktion
Komponentval Flera aspekter är viktiga Noggranhet TSTE9 Analog konstruktion Fysisk storlek Tillgänglighet Pris Begränsningar pga budget Föreläsning 5 Kapacitanstyper Kent Palmkvist Resistansvärden ES,
Läs merDu har följande material: 1 Kopplingsdäck 2 LM339 4 komparatorer i vardera kapsel. ( ELFA art.nr datablad finns )
Projektuppgift Digital elektronik CEL08 Syfte: Det här lilla projektet har som syfte att visa hur man kan konverterar en analog signal till en digital. Här visas endast en metod, flash-omvandlare. Uppgift:
Läs merHÄLLEBERGSSKOLAN. Ur kursplanen för området elektronik i ämnet teknik:
Björne Torstenson Ur kursplanen för området elektronik i ämnet teknik: TEKNIK ELEKTRONIK Centralt innehåll Grundläggande elektronik och elektroniska komponenter, till exempel lysdioder och enkla förstärkare.
Läs merTentamen i Elektronik för F, 2 juni 2005
Tentamen i Elektronik för F, juni 005 Tid: 83 Tillåtna hjälpmedel: Formelsamling i kretsteori, miniräknare CEQ: Fyll i enkäten efter det att du lämnat in tentan. Det går bra att stanna kvar efter 3.00
Läs merLTK010, vt 2017 Elektronik Laboration
Reviderad: 20 december 2016 av Jonas Enger jonas.enger@physics.gu.se Förberedelse: Du måste känna till följande Kirchoffs ström- och spänningslagar Ström- och spänningsriktig koppling vid resistansmätning
Läs merSignalbehandling, förstärkare och filter F9, MF1016
Signalbehandling, förstärkare och filter F9, MF1016 Signalbehandling, inledning Förstärkning o Varför förstärkning. o Modell för en förstärkare. Inresistans och utresistans o Modell för operationsförstärkaren
Läs mer090423/TM IDE-sektionen. Laboration 3 Simulering och mätning på elektriska kretsar
090423/TM IDE-sektionen Laboration 3 Simulering och mätning på elektriska kretsar 1 Förberedelseuppgifter inför Laboration 3: 1. Tag reda för figur 4. Vilket värde på V1 som krävs för att potentialen i
Läs merKonstruktion av volt- och amperemeter med DMMM
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Lars Wållberg Stig Esko 1999-10-12 Rev 1.0a Konstruktion av volt- och amperemeter med DMMM LABORATION E233 ELEKTRO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad
Läs merFormelsamling för komponentfysik
Uppdaterad: 010-01-18 Anders Gustafsson Formelsamling för komponentfysik Halvledare och Ström (transport) Kapacitans: C = Q Småsignalkapacitans: C = dq U du Plattkondensator: C = A r r d Parallellkoppling:
Läs mer