Rättade inlämningsuppgifter hämtas på Kents kontor Föreläsning 4 Må , Kent Palmkvist To ,

Storlek: px
Starta visningen från sidan:

Download "Rättade inlämningsuppgifter hämtas på Kents kontor Föreläsning 4 Må 11.00-11.30, 12.30-13.15 Kent Palmkvist To 11.00-11.30, 12.30-13."

Transkript

1 /5/14 15:56 Praktisk info, forts. Löst uppgift Fyll i ett konvolut (återanvänds tills uppgiften godkänd TTE Elektronik Konvolut hittas ovanpå den svarta brevlåda som svar lämnas i vart brevlåda placerad i samma korridor som Kents kontor D-korridoren, :a våningen, mellan ingång 5 och 7, nära ingång 5. Rättade inlämningsuppgifter hämtas på Kents kontor Föreläsning 4 Må , Kent Palmkvist To , E, Y Deadline Fredag 19/1 kl Alla måste vara godkända annars måste alla göras om under 14 Andra kurser under ht 13! Räkna inte med att ha en massa tid då! 3 Praktisk info Dugga på laboration Anmälningslistor till laboration, likström och upp/urladdning Laboration inleds med en dugga (litet skrivet prov ätts upp Tisdag 11/ kl 1.3 Exempel på en sådan finns på labhemsidan till kursen amma placering som förra listan (anslagstavlan utanför CYD-poolen Kräver 5 rätt av 7 möjliga Vid 4 rätt fås en ny dugga (kräver där 5 rätt nlämningsuppgift 1 likström Gör om dugga vid annat tillfälle annars tart Torsdag 6/, kan då hämtas hos mig på kontoret eller under lektionen (TTE58 och TTE94 enbart hos mig på kontoret! ndividuella, unika Rättas efter inlämning, ni fixar ny version till korrekt löst nlämningsuppgift växelström Fås samtidigt med uppgift 1 nte lösas innan växelström gåtts igenom (VT 4 1

2 /5/14 15:56 Dagens föreläsning Bas-emitter beteende Bipolär NPN transistor Diod mellan bas och emitter Bipolär PNP transistor FET transistor Kan oftast anta BE =.7 V (för kisel Princip Leder ström när spänning BE större än.5 V Exempel på användning BE - E CE Basströmmen B förstärks av transistorn Funktion Kollektorström är större än basström Olika typer = B, B är strömförstärkningfaktor Kräver CE > CEsat tor spridning på B V BE 5 Kollektorström jämfört med kollektoremitterspänning Repetition, bipolär NPN transistor kollektor ymbol Kollektor (c Emitter (e Bas (b bas Fungerar bara med positiva C och CE CE Kräver CE > CEsat Ganska platt kurva (låg inre resistans emitter tyrbar strömkälla BE - E Fysisk uppbyggnad 7 CE BE - E Två PN övergångar Kan användas för att kontrollera typ av transistor mha ohm-meter Kan inte bygga transistor av två diskreta dioder Flertal typer måsignal, switch, Effekt, RF (radiofrekventa signaler 6 =.1 ma =.8 ma =.4 ma CE CEsat 8

3 /5/14 15:56 Transistorn som switch Beräkning av likströmmar i förstärkare strypt ( B =, = ngen kollektorström, switch av BE - Aktivt ( >, < M ökt:, CE E CE Ändring av basström ger ändring av kollektorström R1 teg : Beräkna emitterström CE = CEsat, ökning av basström påverkar inte kollektorström R teg 3: Beräkna kollektor-emitterspänning C BE- E teg 1: ersätt baskretsen (E, R1 och R med theveninekvivalent Mättad ( >, = M M E Givet: R1, R,,, B, BE (oftast antagen till.7 V E R = R1 R R =R1 // R = trypt Aktiv Mättad R 1 R R 1 R 9 Exempel på switchtillämpning Forts. Antag styr switchen. R = => switch av ökt: för säker switch på KVL : B R BE E R E = KCL : E = C B transistor C =B B KVL : E C R C CE E R E = ((3: E =B B B =( B1 B E B= ( B 1 (1(5: E R BE E R E = ( B1 E R R = BE ( B1 E E E Givet 4 < B < 8, CEsat =. V E = 1 V R = 1 Ω, 1% nogrannhet Vill garantera bottnad transistor Minimalt B, minimal R max = 13 ma! 11 KVL: CE C R E= transistor: B = C B E CE 1. B= = = RB (1.9 4 =.33 ma 1 E (1 ( (3 ( 4 R (5 C BE- E E R R1 R R R R = R1 // R = 1 R1 R = 1 3

4 /5/14 15:56 Forts. PNP transistorn E E R R = BE ( B1 E E BE E= R ( B1 BE (3(5: C =B B = ( B1 (4(7: BE E R CE E R E = ( B1 C BE CE =E R R ( B1 C E E truktur R (7 ymbol BE- E (6 amma namn som för NPN bas truktur speglas av symbol BE - kollektor E CE emitter Ekvationer = B trömförstärkningsfaktor B E R R1 R R R R = R1 // R = 1 R1 R = Notering: Alla spänningar och strömmar negativa värden Alla ekvationer fortfarande samma som för NPN BE = -.7 V för kiseltransistorer (obs tecken 13 Problem med varierande B Exempel, PNP transistorkoppling ndividuella transistorer har olika värden på B kulle behöva trimma kretsen (ändra t ex R 1 individuellt på varje krets för att få specifierat C Finns oändligt antal kombinationer av R 1 och R som ger samma BE och Från föregående slide: E= BE R ( B 1 trömmar kommer flyta från E mot E R1 E Notera riktningar på B,, E och CE C BE- E Alla dessa kommer ha negativa värden R1 amma ekvationer gäller för PNP transistorn som för NPN transistorn BE - E CE R C = B R (6 15 Om R << B * ändras inte så mycket om B ändras

5 /5/14 15:56 Fälteffekttransistor, JFET N-kanal P-kanal JFET drain D source Princip tryp kanal mha mättnadsområde från backspärrad diod gate G Hög inimpedans => D = Begränsat aktivt område amma princip som N-kanal ymbol amma som N-kanal förutom riktning på pil Alla spänningar och strömmar har omvänt tecken jämfört med N-kanal D G - Dioderna måste behålla backspänning => max G Kanal stängd => ytterligare backspäning påverkar inte => P G negativ när transistorn används ymbol visar pn-övergångens riktning ymmetrisk, strömriktning bestämmer source och drain 17 Fälteffekttransistorns beteende MOFET fälteffekttransistorer drain D source trömmen ökar kvadratiskt med ökad G trömgeneratoregenskap vid positiva D gate pänningsstyrd strömkälla G Resistorbeteende vid små (< 1V D Fysisk struktur N-kanal Tryck bort hålen under gate mha spänning => skapar tunn kanal under gate som leder ström Karakteriseras ofta av P och Anrikningstyp: leder inte ström vid G = P 19 G tarmningstyp: N-dopning även i kanalen leder ström vid G =, stäng av med negativ G G= V G= - V G= -4 V D Motsvarande P-kanal finns också Byt plats på P och N i figuren 18 5

6 /5/14 15:56 ymboler Exempel ymboler elfbiased 4 versioner (N och P kanal, anriknings respektive utarmingstyp ourceströmmen ger negativt G Vanligaste transistorn för integrerade kretsar KVL i gate-slingan Teoretiskt beskriven före bipolär, fysiskt bevisad efter bipolär E G - - D G R G G R = Gateströmmen G = D = [-1/R] G 1 D = = = G R R N-kanal P-kanal N-kanal anrikningstyp P-kanal G P utarmingstyp 1 Matematisk beskrivning av ( D = D 1 G P drain D source gate G Beräkna arbetspunkt ( D och D Givet = 1 kω R = 1 kω Ekvationen gäller bara för P < G < G - D G R = 1 MΩ = 1 ma D P E Exempel kvadratiskt beroende av G 3 P = -4 V G E = 1 V Approach: sök först samband mellan gatespänning och drainström. [-1/R] P G 4 6

7 /5/14 15:56 E Exempel, forts. Transistorns egenskaper G D = D 1 P G =, = D ( G.1467 D= D (1 G =1 1 3 (1 P 4 =.1467 ma R [-1/R] G = R D (1 G G P P P ( P G P = R D D - D G R [-1/R] var =.15 ma G P G E R D D D R = D = E R D D R =E D ( R D R = =1.15 ( =5.766V G R G G R = ( G KVL i drain source G = R = D R = R D 1 G P Beräkna - D G KVL i gateslingan E Exempel, forts. P D = 5.71 V G 5 Två lösningar! P P G P = R D ( 4 G ( ( 4 G ( 4= G 9.6 G 16= G ( x a x b= G ={ G - - D G NPN R N-kanal FET P D D = D (1 G P D > Dsat D, D positiva G negativ G 6 C= B B C BE =.6 V (för kisel B CE < CEsat BE- E B, C, CE negativa P-kanal FET G [-1/R] PNP C= B B C BE =.6 V (för kisel B CE > CEsat BE- E B, C, CE positiva a a x= ± ( b Välj lösning så att G < P G=.1467 Transistorns likströmsegenskaper i aktivt område (som förstärkare E Exempel, forts. 7 - D G- G D = D (1 G P D < Dsat D, D negativa G positiv - D G- 8 7

TSTE20 Elektronik 01/31/ :24. Nodanalys metod. Nodanalys, exempel. Dagens föreläsning. 0. Förenkla schemat 1. Eliminera ensamma spänningskällor

TSTE20 Elektronik 01/31/ :24. Nodanalys metod. Nodanalys, exempel. Dagens föreläsning. 0. Förenkla schemat 1. Eliminera ensamma spänningskällor 0/3/204 0:24 Nodanalys metod 0. Förenkla schemat. liminera ensamma TST20 lektronik 2. Jorda en nod 3. nför nodpotentialer 4. nför referensriktningar på strömmarna i nätet 5. Sätt upp ekvation för varje

Läs mer

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 1 Transistorn del 1

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 1 Transistorn del 1 Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 1 Transistorn del 1 Jan Thim 1 F1: Transistorn del 1 Innehåll: Historia Funktion Karakteristikor och parametrar Transistorn som förstärkare Transistorn som switch

Läs mer

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2 Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 2 Transistorn del 2 Jan Thim 1 F2: Transistorn del 2 Innehåll: Fälteffekttransistorn - JFET Karakteristikor och parametrar MOSFET Felsökning 2 1 Introduktion Fälteffekttransistorer

Läs mer

Övningsuppgifter i Elektronik

Övningsuppgifter i Elektronik 1 Svara på följande frågor om halvledarkomponenter. Övningsuppgifter i Elektronik a) Vad är utmärkande för ett halvledarmaterial? b) Vad innebär egenledning och hur kan den förhindras? c) edogör för dopning

Läs mer

Elektronik. Lars-Erik Cederlöf

Elektronik. Lars-Erik Cederlöf Elektronik LarsErik Cederlöf 1 Ledare och isolatorer Ledare för elektrisk ström har atomer med fria rörliga laddningar i yttersta skalet. Exempel på ledare är metallerna koppar och aluminium. Deras atomer

Läs mer

Laboration N o 1 TRANSISTORER

Laboration N o 1 TRANSISTORER Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson 22/10 2004 Analog elektronik 2 Laboration N o 1 TRANSISTORER namn: datum: åtgärda: godkänd: Målsättning: Denna laboration

Läs mer

Utredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod?

Utredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod? Komponentfysik Uppgifter Bipolärtransistor VT-15 Utredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod? III: Definiera övergångsfrekvensen

Läs mer

Grindar och transistorer

Grindar och transistorer Föreläsningsanteckningar Föreläsning 17 - Digitalteknik I boken: nns ej med Grindar och transistorer Vi ska kort beskriva lite om hur vi kan bygga upp olika typer av grindar med hjälp av transistorer.

Läs mer

I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn.

I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn. Komponentfysik Övning 4 VT-10 Utredande uppgifter: I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn. II: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor.

Läs mer

Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet. Agneta Bränberg TRANSISTORTEKNIK. Laboration.

Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet. Agneta Bränberg TRANSISTORTEKNIK. Laboration. Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet 2016-12-19 Agneta Bränberg Laboration TRANSISTORTEKNIK Analog II VT17 Målsättning: Denna laboration syftar till studenterna ska lära sig

Läs mer

Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren

Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren /Krister Hammarling 1 Transistorn Innehåll: Historia Funktion Karakteristikor och parametrar Transistorn som förstärkare Transistorn som switch Felsökning

Läs mer

Föreläsning 11 Bipolära Transistorer I. BJT Bipolar JuncDon Transistor. FunkDon bipolär transistor. DC operadon, strömförstärkning

Föreläsning 11 Bipolära Transistorer I. BJT Bipolar JuncDon Transistor. FunkDon bipolär transistor. DC operadon, strömförstärkning Föreläsning 11 ipolära ransistorer J ipolar JuncDon ransistor FunkDon bipolär transistor Geometri npn D operadon, strömförstärkning OperaDonsmoder Early- effekten pnp transistor G. alla 1 deal transistor

Läs mer

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II Föreläsning 9 ipolära Transistorer Funktion bipolär transistor Småsignal-modell Hybrid-p Designparametrar 1 Komponentfysik - Kursöversikt ipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Optokomponenter

Läs mer

Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III

Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III pmo måsignal FET A, f t MO-Kondensator 014-05-19 Föreläsning 13, Komponentfysik 014 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser

Läs mer

Komponentfysik ESS030. Den bipolära transistorn

Komponentfysik ESS030. Den bipolära transistorn Komponentfysik ESS030 Den bipolära transistorn T- 2016 Syfte Syftet med denna laboration är att studenten ska bekanta sig med den grundläggande fysiken i en bipolär transistor. Det fundamentala byggblocket

Läs mer

Halvledare. Transistorer, Förstärkare

Halvledare. Transistorer, Förstärkare Halvledare Transistorer, Förstärkare Om man har en två-ports krets v in (t) ~ v ut (t) R v ut (t) = A v in (t) A är en konstant: Om A är mindre än 1 så kallas kretsen för en dämpare Om A är större än 1

Läs mer

nmosfet och analoga kretsar

nmosfet och analoga kretsar nmosfet och analoga kretsar Erik Lind 22 november 2018 1 MOSFET - Struktur och Funktion Strukturen för en nmosfet (vanligtvis bara nmos) visas i fig. 1(a). Transistorn består av ett p-dopat substrat och

Läs mer

Elektronik. MOS-transistorn. Översikt. Då och nu. MOS-teknologi. Lite historik nmosfet Arbetsområden pmosfet CMOS-inverterare NOR- och NAND-grindar

Elektronik. MOS-transistorn. Översikt. Då och nu. MOS-teknologi. Lite historik nmosfet Arbetsområden pmosfet CMOS-inverterare NOR- och NAND-grindar Översikt Pietro Andreani Institutionen för elektro- och informationsteknik unds universitet ite historik nmofet Arbetsområden pmofet CMO-inverterare NOR- och NAN-grindar MO-teknologi å och nu Metal-e-silicon

Läs mer

Formelsamling för komponentfysik. eller I = G U = σ A U L Småsignalresistans: R = du di. där: σ = 1 ρ ; = N D + p n 0

Formelsamling för komponentfysik. eller I = G U = σ A U L Småsignalresistans: R = du di. där: σ = 1 ρ ; = N D + p n 0 Uppdaterad: 01-05-5 Anders Gustafsson Formelsamling för komponentfysik Halvledare och Ström (transport) Kapacitans: C = Q Småsignalkapacitans: C = dq U du Plattkondensator: C = A ε r ε r d Parallellkoppling:

Läs mer

Formelsamling för komponentfysik

Formelsamling för komponentfysik Uppdaterad: 010-01-18 Anders Gustafsson Formelsamling för komponentfysik Halvledare och Ström (transport) Kapacitans: C = Q Småsignalkapacitans: C = dq U du Plattkondensator: C = A r r d Parallellkoppling:

Läs mer

Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2

Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2 Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2 Tid: kl 9.13. Måndagen den 16 augusti 21 Sal: O125 Hjälpmedel: formelsamling elektronik, formelsamling ellära samt valfri räknare. Maxpoäng: 3 Betyg: 12p3:a, 18p4:a

Läs mer

UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors Transistorswitchen. Laboration E25 ELEKTRO

UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors Transistorswitchen. Laboration E25 ELEKTRO UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors 1997-01-14 Transistorswitchen Laboration E25 ELEKTRO Laboration E25 Transistorswitchen 2 Nyckelord Switch, bottnad- och strypt

Läs mer

Laboration 6. A/D- och D/A-omvandling. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum

Laboration 6. A/D- och D/A-omvandling. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum Laboration 6 A/D- och D/A-omvandling A/D-omvandlare Digitala Utgång V fs 3R/2 Analog Sample R R D E C O D E R P/S Skiftregister R/2 2 N-1 Komparatorer Digital elektronik Halvledare, Logiska grindar Digital

Läs mer

Batteri. Lampa. Strömbrytare. Tungelement. Motstånd. Potentiometer. Fotomotstånd. Kondensator. Lysdiod. Transistor. Motor. Mikrofon.

Batteri. Lampa. Strömbrytare. Tungelement. Motstånd. Potentiometer. Fotomotstånd. Kondensator. Lysdiod. Transistor. Motor. Mikrofon. Batteri Lampa Strömbrytare Tungelement Motstånd Potentiometer Fotomotstånd Kondensator Lysdiod Transistor Motor Mikrofon Högtalare Ampèremeter 1 1. Koppla upp kretsen. Se till att motorns plus och minuspol

Läs mer

Introduktion till halvledarteknik

Introduktion till halvledarteknik Introduktion till halvledarteknik Innehåll 7 Fälteffekttransistorer MOS-transistorn strömekvation MOS-transistorn kanal mobilitet Substrat bias effekt 7 Bipolar transistorn Introduktion Minoritets bärare

Läs mer

TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg

TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg Version 0.3 Mikael Olofsson Kent Palmkvist Prakash Harikumar 18 mars 2014 Laborant Personnummer Datum Godkänd 1 1 Introduktion I denna laboration kommer ni

Läs mer

SM Serien Strömförsörjning. Transistorn

SM Serien Strömförsörjning. Transistorn Transistorn Transistorn är en av de viktigaste uppfinningar som gjorts under modern tid. Utan denna skulle varken rymdfärder eller PC-datorer vara möjliga. Transistorn ingår som komponent i Integrerade

Läs mer

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II Funktion bipolär transistor Småsignal-modell Hybrid-p 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Optokomponenter pn-övergång:

Läs mer

Laboration 2: Likström samt upp och urladdningsförlopp

Laboration 2: Likström samt upp och urladdningsförlopp TSTE20 Elektronik Laboration 2: Likström samt upp och urladdningsförlopp v0.5 Kent Palmkvist, ISY, LiU Laboranter Namn Personnummer Godkänd Översikt I denna labb kommer ni bygga en strömkälla, och mäta

Läs mer

Tentamen i Elektronik för F, 13 januari 2006

Tentamen i Elektronik för F, 13 januari 2006 Tentamen i Elektronik för F, 3 januari 006 Tillåtna hjälpmedel: Formelsamling i kretsteori, miniräknare Du har fått tag på 6 st glödlampor från USA. Tre av dem visar 60 W och tre 40 W. Du skall nu koppla

Läs mer

Lösningar Tenta

Lösningar Tenta Lösningar Tenta 110525 1) a) Driftström: Elektriskt laddade partiklar (elektroner och hål) rör sig i ett elektriskt fält. Detta ger upphov till en ström som följer ohms lag. Diffusion: Elektroner / hål

Läs mer

Elektronik 2017 EITA35

Elektronik 2017 EITA35 Elektronik 2017 EITA35 OP-Amp Komplex Återkoppling. Klippning. Maximal spänning/ström. Gain-bandwidthproduct. Offset. Slewrate Avkopplingskondensator Transistorer - MOSFETs Lab 4 Anmälan på hemsidan Projektnummer

Läs mer

1.2 Två resistorer är märkta 220 ohm 0,5 W respektive 330 ohm 0,25 W. vilken är den största spänning som kan anslutas till:

1.2 Två resistorer är märkta 220 ohm 0,5 W respektive 330 ohm 0,25 W. vilken är den största spänning som kan anslutas till: Passiva komponenter. Vilken resistans och tolerans har en resistor märkt: a) röd, violett, gul, guld b) blå, grå, blå, silver c) brun, svart, svart, guld d) orange, vit, brun, röd, mellanrum, brun e) grön,

Läs mer

DIFFERENTALFÖRSTÄRKARE

DIFFERENTALFÖRSTÄRKARE UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson 1996-12-06 DIFFERENTALFÖRSTÄRKARE Laboration E-35 ELEKTRO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): Rättningsdatum Kommentarer

Läs mer

Instruktion elektronikkrets till vindkraftverk

Instruktion elektronikkrets till vindkraftverk Instruktion elektronikkrets till vindkraftverk Färdig koppling D1 R2 IC1 R1 D2 R3 D3 R7 R5 T1 T2 R6 T3 R6 Uppgiften innehåller: Namn Värde Utseende Antal R1 11 kω brun, brun, svart, röd, brun 1 st R2 120

Läs mer

TRANSISTORER. Umeå universitet Institutionen för tillämpad. fysik och elektronik. Patrik Eriksson

TRANSISTORER. Umeå universitet Institutionen för tillämpad. fysik och elektronik. Patrik Eriksson Institutionen för tillämpad 2013-09-05 fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Agneta Bränberg Redigerad av Johan Haake Redigerad av Nils Lundgren TRANSISTORER Målsättning: Denna

Läs mer

Föreläsning 8. MOS transistorn. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM

Föreläsning 8. MOS transistorn. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM Föreläsning 8 MOS transistorn Förstärkare med MOS transistorn t Exempel, enkel förstärkare med MOS IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM 1 Varför MOS transistorn Förstå en grundläggande komponent

Läs mer

TSTE05 Elektronik & mätteknik Föreläsning 3 Likströmsteori: Problemlösning

TSTE05 Elektronik & mätteknik Föreläsning 3 Likströmsteori: Problemlösning TSTE05 Elektronik & mätteknik Föreläsning 3 Likströmsteori: Problemlösning Mikael Olofsson Institutionen för Systemteknik (ISY) Ämnesområdet Elektroniska kretsar och system Lösningsmetodik Superposition

Läs mer

Laborationsrapport. Kurs Elektroteknik grundkurs ET1002. Lab nr 3. Laborationens namn Halvledarkomponenter. Kommentarer. Namn. Utförd den.

Laborationsrapport. Kurs Elektroteknik grundkurs ET1002. Lab nr 3. Laborationens namn Halvledarkomponenter. Kommentarer. Namn. Utförd den. Laborationsrapport Kurs Elektroteknik grundkurs ET1002 Lab nr 3 Laborationens namn Halvledarkomponenter Namn Kommentarer Utförd den Godkänd den Sign Halvledarkomponenter I den här laborationen skall du

Läs mer

Introduktion till halvledarteknik

Introduktion till halvledarteknik Introduktion till halvledarteknik Innehåll 6 Övergångar (pn och metal-halvledare) 2:a ordningens effekter Metal-halvledar övergångar 6 Fälteffekttransistorer JFET och MOS transistorer Ideal MOS kapacitans

Läs mer

Tentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 11 januari 2013

Tentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 11 januari 2013 Tentamen i Elektronik för E (del ), ESS00, januari 03 Tillåtna hjälpmedel: Formelsamling i kretsteori. Du har en mikrofon som kan modelleras som en spänningskälla i serie med en resistans. Du vill driva

Läs mer

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007.

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007. Tekniska Högskolan i Lund Institutionen för Elektrovetenskap Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007. Uppgifterna i tentamen ger totalt

Läs mer

Föreläsning 8. MOS transistorn Förstärkare med MOS transistorn Exempel, enkel förstärkare med MOS. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT VT11/BM

Föreläsning 8. MOS transistorn Förstärkare med MOS transistorn Exempel, enkel förstärkare med MOS. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT VT11/BM Föreläsning 8 MOS transistorn Förstärkare med MOS transistorn Exempel, enkel förstärkare med MOS 1 Varför MOS transistorn Förstå en grundläggande komponent för både digitala och analoga kretsar Är idag

Läs mer

Kursprogram för Elektronik E, ESS010, 2010/2011

Kursprogram för Elektronik E, ESS010, 2010/2011 Institutionen för elektro- och informationsteknik Kursprogram för Elektronik E, ESS010, 2010/2011 Kurslitteratur 1. A. R. Hambley Electrical engineering 5th ed. Säljes av KFS. 2. Exempelsamling kretsteori.

Läs mer

Förstärkarens högfrekvensegenskaper. Återkoppling och stabilitet. Återkoppling och förstärkning/bandbredd. Operationsförstärkare.

Förstärkarens högfrekvensegenskaper. Återkoppling och stabilitet. Återkoppling och förstärkning/bandbredd. Operationsförstärkare. FÖRELÄSNING 5 Förstärkarens högfrekvensegenskaper Återkoppling och stabilitet Återkoppling och förstärkning/bandbredd Operationsförstärkare Kaskadkoppling Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola

Läs mer

12. Kort om modern halvledarteknologi

12. Kort om modern halvledarteknologi 12. Kort om modern halvledarteknologi Kursen i halvledarfysik behandlar i detalj halvledarkomponenter. På denna kurs går vi igenom bara den allra viktigaste av dem, MOSFET-transistorn som ger grunden till

Läs mer

12. Kort om modern halvledarteknologi

12. Kort om modern halvledarteknologi 12. Kort om modern halvledarteknologi Kursen i halvledarfysik behandlar i detalj halvledarkomponenter. På denna kurs går vi igenom bara den allra viktigaste av dem, MOSFET-transistorn som ger grunden till

Läs mer

Föreläsning 11 Fälteffekttransistor II

Föreläsning 11 Fälteffekttransistor II Föreläsning 11 Fälteffekttransistor Fälteffekt Tröskelspänning Beräkning av strömmen Storsignal, D Kanallängdsmodulation Flatband-shift pmosfet 013-05-03 Föreläsning 11, Komponentfysik 013 1 Komponentfysik

Läs mer

Mätningar på transistorkopplingar

Mätningar på transistorkopplingar Ellab015A Mätningar på transistorkopplingar Namn Datum Handledarens sign. Laboration Varför denna laboration? Transistorn är en av de allra viktigaste komponenterna inom elektroniken. I den här laborationen

Läs mer

Kursprogram för Elektronik E, ESS010, 2011/2012

Kursprogram för Elektronik E, ESS010, 2011/2012 Institutionen för elektro- och informationsteknik Kursprogram för Elektronik E, ESS010, 2011/2012 Kurslitteratur 1. A. R. Hambley Electrical engineering 5th ed. Säljes av KF-Sigma. 2. Exempelsamling kretsteori.

Läs mer

Föreläsning 4/11. Lite om logiska operationer. Hambley avsnitt 12.7, 14.1 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar)

Föreläsning 4/11. Lite om logiska operationer. Hambley avsnitt 12.7, 14.1 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar) 1 Föreläsning 4/11 Hambley avsnitt 12.7, 14.1 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar) Lite om logiska operationer Logiska variabler är storheter som kan anta två värden; sann 1 falsk 0 De logiska

Läs mer

Tentamen i Krets- och mätteknik, fk, ETEF15. Exempeltentamen

Tentamen i Krets- och mätteknik, fk, ETEF15. Exempeltentamen Lunds Tekniska Högskola, Institutionen för Elektro- och informationsteknik Ingenjörshögskolan, Campus Helsingborg Tentamen i Krets- och mätteknik, fk, ETEF15 Exempeltentamen Uppgifterna i tentamen ger

Läs mer

Du har följande material: 1 Kopplingsdäck 2 LM339 4 komparatorer i vardera kapsel. ( ELFA art.nr datablad finns )

Du har följande material: 1 Kopplingsdäck 2 LM339 4 komparatorer i vardera kapsel. ( ELFA art.nr datablad finns ) Projektuppgift Digital elektronik CEL08 Syfte: Det här lilla projektet har som syfte att visa hur man kan konverterar en analog signal till en digital. Här visas endast en metod, flash-omvandlare. Uppgift:

Läs mer

FÖRELÄSNING 3. Förstärkaren. Arbetspunkten. Olika lastresistanser. Småsignalsschemat. Föreläsning 3

FÖRELÄSNING 3. Förstärkaren. Arbetspunkten. Olika lastresistanser. Småsignalsschemat. Föreläsning 3 FÖRELÄSNING 3 Förstärkaren Arbetspunkten Olika lastresistanser Småsignalsschemat Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 1(36) Förstärkaren (S&S4 1.4, 5.2, 5.4, 5.5, 5.6/

Läs mer

Varvtalsstyrning av likströmsmotorer

Varvtalsstyrning av likströmsmotorer Varvtalstyrning av likströmsmotorer Föreläsning 6 Kap 3.6 Grundkretsar med transistorer, avsnitt Transistorn som switch sid 3-42. Kap. 7.6 Kraftelektronik avsnitten Systemuppbyggnad sid 7-36, Likspänningsomvandlare

Läs mer

TSKS06 Linjära system för kommunikation Kursdel Elektriska kretsar. Föreläsning 3

TSKS06 Linjära system för kommunikation Kursdel Elektriska kretsar. Föreläsning 3 TSKS06 Linjära system för kommunikation Kursdel Elektriska kretsar Föreläsning 3 Likströmsteori: Tvåpoler och problemlösning Mikael Olofsson Institutionen för Systemteknik (ISY) Ämnesområdet Elektroniksystem

Läs mer

Föreläsning 8 Bipolära Transistorer I

Föreläsning 8 Bipolära Transistorer I Föreläsning 8 iolära ransistorer Funktion biolär transistor Geometri nn D oeration, strömförstärkning Oerationsmoder Early-effekten n transistor 1 Komonentfysik - Kursöversikt iolära ransistorer n-övergång:

Läs mer

TSTE05 Elektronik och mätteknik ISY-lab 3: Enkla förstärkarsteg

TSTE05 Elektronik och mätteknik ISY-lab 3: Enkla förstärkarsteg TSTE05 Elektronik och mätteknik ISY-lab 3: Enkla förstärkarsteg Mikael Olofsson Kent Palmkvist 30 november 2017 Laborant Personnummer Datum Godkänd 1 1 Introduktion I denna laboration kommer du att studera

Läs mer

Varvtalsstyrning av likströmsmotorer

Varvtalsstyrning av likströmsmotorer Varvtalstyrning av likströmsmotorer Föreläsning 6 Kap 3.6 Grundkretsar med transistorer, avsnitt Transistorn som switch sid 3-42. Kap. 7.6 Kraftelektronik avsnitten Systemuppbyggnad sid 7-36, Likspänningsomvandlare

Läs mer

Föreläsning 8 Bipolära Transistorer I

Föreläsning 8 Bipolära Transistorer I Föreläsning 8 iolära ransistorer Funktion biolär transistor Geometri nn D oeration, strömförstärkning Oerationsmoder Early-effekten n transistor G. alla 1 Komonentfysik - Kursöversikt iolära ransistorer

Läs mer

LABORATIONSINSTRUKTION. Mätning på dioder och transistorer

LABORATIONSINSTRUKTION. Mätning på dioder och transistorer Lars-Erik Cederlöf LABORATIONSINSTRUKTION LABORATION Mätning på dioder och transistorer KURS Elektronik grundkurs LAB NR 4 INNEHÅLL Data om dioden 1N4148 Kontroll av diod Diodens karaktäristik Data om

Läs mer

HÄLLEBERGSSKOLAN. Ur kursplanen för området elektronik i ämnet teknik:

HÄLLEBERGSSKOLAN. Ur kursplanen för området elektronik i ämnet teknik: Björne Torstenson Ur kursplanen för området elektronik i ämnet teknik: TEKNIK ELEKTRONIK Centralt innehåll Grundläggande elektronik och elektroniska komponenter, till exempel lysdioder och enkla förstärkare.

Läs mer

Målsättning: Utrustning och material: Denna laboration syftar till att ge studenten:

Målsättning: Utrustning och material: Denna laboration syftar till att ge studenten: Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Agneta Bränberg Redigerad av Johan Haake Redigerad av Agneta Bränberg 2016-11-14 TRANSISTORER Målsättning:

Läs mer

Kursprogram för Elektronik E, ESS010, 2009/20010

Kursprogram för Elektronik E, ESS010, 2009/20010 Institutionen för elektro- och informationsteknik Kursprogram för Elektronik E, ESS010, 2009/20010 Kurslitteratur 1. A. R. Hambley Electrical engineering 4th ed. Säljes av KFS. 2. Exempelsamling kretsteori.

Läs mer

Elektronik 2015 ESS010

Elektronik 2015 ESS010 Elektronik 2015 ESS010 Föreläsning 16 Halvledare PN-diod: likriktare Information inför tentamen Repetition 2015-10-21 Föreläsning 16, Elektronik 2015 1 USA Chicago Notre Dame New Orleans Tunneltransistorer

Läs mer

Välkomna till kursen i elektroniska material! Martin Leijnse

Välkomna till kursen i elektroniska material! Martin Leijnse Välkomna till kursen i elektroniska material! Martin Leijnse Information Innehåll: fasta tillståndets fysik med fokus på halvledarfysik. Dioder, solceller, transistorer... Lärare: Martin Leijnse (föreläsare,

Läs mer

MOSFET:ens in- och utimpedanser. Småsignalsmodeller. Spänning- och strömstyrning. Stora signaler. MOSFET:ens högfrekvensegenskaper

MOSFET:ens in- och utimpedanser. Småsignalsmodeller. Spänning- och strömstyrning. Stora signaler. MOSFET:ens högfrekvensegenskaper FÖRELÄSNING 4 MOSFET:ens in och utimpedanser Småsignalsmodeller Spänning och strömstyrning Stora signaler MOSFET:ens högfrekvensegenskaper Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik

Läs mer

Tentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 5 april 2013

Tentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 5 april 2013 Tentamen i Elektronik för E (del ), ESS00, 5 april 03 Tillåtna hjälpmedel: Formelsamling i kretsteori. Spänningen mv och strömmen µa mäts upp på ingången till en linjär förstärkare. Tomgångsspänningen

Läs mer

Kursprogram för Elektronik E, ESS010, 2013/2014

Kursprogram för Elektronik E, ESS010, 2013/2014 Institutionen för elektro- och informationsteknik Kursprogram för Elektronik E, ESS010, 2013/2014 Kurslitteratur och kursmaterial 1. A. R. Hambley Electrical engineering 6th ed. Säljes av KF-Sigma. 2.

Läs mer

Elektronik 2017 EITA35

Elektronik 2017 EITA35 Elektronik 2017 EITA35 Föreläsning 15 Repetition Information inför tentamen 1 Resistornätverk: Definition av potential, spänning och ström. Ohms lag, KCL och KVL Parallell och seriekoppling av resistanser

Läs mer

Tentamen ETE115 Ellära och elektronik för F och N,

Tentamen ETE115 Ellära och elektronik för F och N, Tentamen ETE5 Ellära och elektronik för F och N, 2009 0602 Tillåtna hjälpmedel: formelsamling i kretsteori och elektronik. Observera att uppgifterna inte är ordnade i svårighetsordning. Alla lösningar

Läs mer

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D Lars-Erik ederlöf Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ET 03 för D 000-03-3 Tentamen omfattar 40 poäng, poäng för varje uppgift. 0 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är räknedosa.

Läs mer

Emtithal Majeed, Örbyhus skola, Örbyhus www.lektion.se

Emtithal Majeed, Örbyhus skola, Örbyhus www.lektion.se Emtithal Majeed, Örbyhus skola, Örbyhus www.lektion.se * Skillnader mellan radiorör och halvledarkomponenter 1.Halvledarkomponenter är mycket mindre I storlek 2.De är mycket tåliga för slag och stötar

Läs mer

Modifieringsförslag till Moody Boost

Modifieringsförslag till Moody Boost Modifieringsförslag till Moody Boost Moody Boost (MB) är en mycket enkel krets, en transistor och ett fåtal passiva komponenter- Trots det finns det flera justeringar som du kan göra för att få pedalen

Läs mer

Tentamen i komponentfysik

Tentamen i komponentfysik Tentame komponentfysik 009-05-8 08 00-13 00 Hjälpmedel: TEFYMA, ordlista, beteckningslista, formelsamlingar och räknare. Max 5p, för godkänt krävs 10p. Om inget annat anges, så antag att det är kisel (Si),

Läs mer

För att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet.

För att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet. Kortslutningsskydd För att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet. Utströmmen passerar R4, ett lågohmigt

Läs mer

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 3 Transistorförstärkare

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 3 Transistorförstärkare Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 3 Transistorförstärkare Jan Thim 1 F3: Transistorförstärkare Innehåll: Introduktion GE-steget EF-steget GB-steget Flerstegsförstärkare Felsökning 2 1 Förstärkare

Läs mer

KAPITEL 2 MTU AB

KAPITEL 2 MTU AB KAPITEL 2 MTU AB 2007 29 HALVLEDARE De komponenter som vi hittills behandlat är motstånd av olika slag, lampor samt batterier. Det kan diskuteras om batteriet ska kallas komponent. Motstånd är den komponent

Läs mer

Videoförstärkare med bipolära transistorer

Videoförstärkare med bipolära transistorer Videoförstärkare med bipolära transistorer IE1202 Analog elektronik - Joel Nilsson joelni at kth.se Innehåll i 1 Första försöket 1 1.1 Beräkningar....................................... 1 1.1.1 Dimensionering

Läs mer

Olika sätt att bygga förstärkare. Differentialförstärkaren (översikt) Strömspegeln. Till sist: Operationsförstärkaren

Olika sätt att bygga förstärkare. Differentialförstärkaren (översikt) Strömspegeln. Till sist: Operationsförstärkaren FÖRELÄSNING 12 Olika sätt att bygga förstärkare Differentialförstärkaren (översikt) Strömspegeln Till sist: Operationsförstärkaren Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik

Läs mer

Laborationer i miljöfysik. Solcellen

Laborationer i miljöfysik. Solcellen Laborationer i miljöfysik Solcellen Du skall undersöka elektrisk ström, spänning och effekt från en solcellsmodul under olika förhållanden, och ta reda på dess verkningsgrad under olika förutsättningar.

Läs mer

Komponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Hålltider --- Ellära: Elektriska fält, potentialer och strömmar

Komponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Hålltider --- Ellära: Elektriska fält, potentialer och strömmar Komponentfysik 2014 Introduktion Kursöversikt Hålltider --- Ellära: Elektriska fält, potentialer och strömmar 1 Lite om mig själv Erik Lind (Erik.Lind@eit.lth.se) Lektor i nanoelektronik vid EIT sedan

Läs mer

Elektronik 2018 EITA35

Elektronik 2018 EITA35 Elektronik 2018 EITA35 Föreläsning 2 lp2 VV, VI, IV och IV genom återkoppling Inverterande VV 1 Information Elektroniska Frågor börjar denna veckan! Tentan är rättad väntar på att resultat ska läggas in

Läs mer

Välkomna till kursen i elektroniska material!

Välkomna till kursen i elektroniska material! Välkomna till kursen i elektroniska material! Information Innehåll: fasta tillståndets fysik med fokus på halvledarfysik. Dioder, solceller, transistorer... Lärare: Martin Leijnse (föreläsare, kursansvarig)

Läs mer

TRANSISTORER. Umeå universitet Institutionen för tillämpad fysik och elektronik

TRANSISTORER. Umeå universitet Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Institutionen för tillämpad fysik och elektronik 216-5-25 Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Johan Haake Redigerad av Nils Lundgren Redigerad av Agneta Bränberg TRANSISTORER Målsättning: Denna

Läs mer

Bygg en entransistors Booster till datorn eller MP3-spelaren

Bygg en entransistors Booster till datorn eller MP3-spelaren Bygg en entransistors Booster till datorn eller MP3-spelaren De högtalare som levereras till datorerna har oftast högst mediokra data. Men genom att kombinera lite enkel teknik från elektronikens barndom

Läs mer

Definition av kraftelektronik

Definition av kraftelektronik F1: Introduktion till Kraftelektronik Definition av kraftelektronik Den enegelska motsvarigheten till kraft elektronik är Power electronics. På Wikipedia kan man hitta följande definition: Power electronics

Läs mer

Föreläsning 6: Opto-komponenter

Föreläsning 6: Opto-komponenter Föreläsning 6: Opto-komponenter Opto-komponent Interaktion ljus - halvledare Fotoledare Fotodiod / Solcell Lysdiod Halvledarlaser 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser

Läs mer

Beskrivande uppgifter: I: Vad skiljer det linjära området och mättnadsområdet i termer av inversionskanal?

Beskrivande uppgifter: I: Vad skiljer det linjära området och mättnadsområdet i termer av inversionskanal? Komponentfysik Övningsuppgifter MOS del II VT-5 Beskrivande uppgifter: I: Vad skiljer det linjära området och mättnadsområdet i termer av inversionskanal? II: Vad skiljer en n-mosfet från en p-mosfet när

Läs mer

Den bipolä rä tränsistorn

Den bipolä rä tränsistorn Komponentfysik ESS3 Laborationshandledning av: Martin Berg Elvedin Memišević Den bipolä rä tränsistorn VT-213 Syfte Syftet med denna laboration är att studenten ska bekanta sig med den grundläggande fysiken

Läs mer

Energiöverföring med resistor

Energiöverföring med resistor nergiöverföring med resistor n emk med en högre spänning kan ladda en annan emk 2 med en lägre spänning om man ansluter dem till varandra med en strömbegränsande resistor. > 2. I R 2 2 I = R Avgiven energi

Läs mer

DIGITAL MULTIMETER BRUKSANVISNING MODELL DT9201

DIGITAL MULTIMETER BRUKSANVISNING MODELL DT9201 DIGITAL MULTIMETER BRUKSANVISNING MODELL DT9201 1. INLEDNING Den digitala serie 92-multimetern är ett kompakt, batteridrivet instrument med 3½ LCD-skärm. Fördelar: Stor noggrannhet Stor vridbar LCD (flytande

Läs mer

Vad är elektricitet?

Vad är elektricitet? Vad är elektricitet? Vad är elektricitet? Grundämnenas elektriska egenskaper avgörs av antalet elektroner i det yttersta skalet - valenselektronerna! Skol-modellen av en Kiselatom. Kisel med atomnumret

Läs mer

Hambley avsnitt 12.7 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar) sann 1 falsk 0

Hambley avsnitt 12.7 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar) sann 1 falsk 0 1 Föreläsning 2 ht2 Hambley avsnitt 12.7 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar) Lite om logiska operationer Logiska variabler är storheter som kan anta två värden; sann 1 falsk 0 De logiska variabler

Läs mer

Spänning, ström och energi!

Spänning, ström och energi! Spänning, ström och energi! Vi lever i ett samhälle som inte hade haft den höga standard som vi har nu om inte vi hade lärt oss att utnyttja elektricitet. Därför är det viktigt att lära sig förstå några

Läs mer

Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI240/0601 och FFF090

Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI240/0601 och FFF090 011-01-10 08 00-13 00 Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI40/0601 och FFF090 Hjälpmedel: TEFYMA, ordlista, beteckningslista, formelsamlingar och räknare. Max 5p, för godkänt krävs 10p. Om inget annat

Läs mer

3.8. Halvledare. [Understanding Physics: 20.8-20.11] Den moderna fysikens grunder, Tom Sundius 2009 1

3.8. Halvledare. [Understanding Physics: 20.8-20.11] Den moderna fysikens grunder, Tom Sundius 2009 1 3.8. Halvledare [Understanding Physics: 20.8-20.11] Som framgår av fig. 20.27, kan energigapet i en halvledare uttryckas E g = E c E v, där E c är den lägsta energin i ledningsbandet och E v den högsta

Läs mer

Vad är elektricitet?

Vad är elektricitet? Vad är elektricitet? Vad är elektricitet? Grundämnenas elektriska egenskaper avgörs av antalet elektroner i det yttersta skalet - valenselektronerna! Skol-modellen av en Kiselatom. Kisel med atomnumret

Läs mer

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D Lars-Erik Cederlöf Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 03 för D 2000-05-03 Tentamen omfattar 40 poäng, 2 poäng för varje uppgift. 20 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är

Läs mer