Rättade inlämningsuppgifter hämtas på Kents kontor Föreläsning 4 Må , Kent Palmkvist To ,
|
|
- Lisa Axelsson
- för 8 år sedan
- Visningar:
Transkript
1 /5/14 15:56 Praktisk info, forts. Löst uppgift Fyll i ett konvolut (återanvänds tills uppgiften godkänd TTE Elektronik Konvolut hittas ovanpå den svarta brevlåda som svar lämnas i vart brevlåda placerad i samma korridor som Kents kontor D-korridoren, :a våningen, mellan ingång 5 och 7, nära ingång 5. Rättade inlämningsuppgifter hämtas på Kents kontor Föreläsning 4 Må , Kent Palmkvist To , E, Y Deadline Fredag 19/1 kl Alla måste vara godkända annars måste alla göras om under 14 Andra kurser under ht 13! Räkna inte med att ha en massa tid då! 3 Praktisk info Dugga på laboration Anmälningslistor till laboration, likström och upp/urladdning Laboration inleds med en dugga (litet skrivet prov ätts upp Tisdag 11/ kl 1.3 Exempel på en sådan finns på labhemsidan till kursen amma placering som förra listan (anslagstavlan utanför CYD-poolen Kräver 5 rätt av 7 möjliga Vid 4 rätt fås en ny dugga (kräver där 5 rätt nlämningsuppgift 1 likström Gör om dugga vid annat tillfälle annars tart Torsdag 6/, kan då hämtas hos mig på kontoret eller under lektionen (TTE58 och TTE94 enbart hos mig på kontoret! ndividuella, unika Rättas efter inlämning, ni fixar ny version till korrekt löst nlämningsuppgift växelström Fås samtidigt med uppgift 1 nte lösas innan växelström gåtts igenom (VT 4 1
2 /5/14 15:56 Dagens föreläsning Bas-emitter beteende Bipolär NPN transistor Diod mellan bas och emitter Bipolär PNP transistor FET transistor Kan oftast anta BE =.7 V (för kisel Princip Leder ström när spänning BE större än.5 V Exempel på användning BE - E CE Basströmmen B förstärks av transistorn Funktion Kollektorström är större än basström Olika typer = B, B är strömförstärkningfaktor Kräver CE > CEsat tor spridning på B V BE 5 Kollektorström jämfört med kollektoremitterspänning Repetition, bipolär NPN transistor kollektor ymbol Kollektor (c Emitter (e Bas (b bas Fungerar bara med positiva C och CE CE Kräver CE > CEsat Ganska platt kurva (låg inre resistans emitter tyrbar strömkälla BE - E Fysisk uppbyggnad 7 CE BE - E Två PN övergångar Kan användas för att kontrollera typ av transistor mha ohm-meter Kan inte bygga transistor av två diskreta dioder Flertal typer måsignal, switch, Effekt, RF (radiofrekventa signaler 6 =.1 ma =.8 ma =.4 ma CE CEsat 8
3 /5/14 15:56 Transistorn som switch Beräkning av likströmmar i förstärkare strypt ( B =, = ngen kollektorström, switch av BE - Aktivt ( >, < M ökt:, CE E CE Ändring av basström ger ändring av kollektorström R1 teg : Beräkna emitterström CE = CEsat, ökning av basström påverkar inte kollektorström R teg 3: Beräkna kollektor-emitterspänning C BE- E teg 1: ersätt baskretsen (E, R1 och R med theveninekvivalent Mättad ( >, = M M E Givet: R1, R,,, B, BE (oftast antagen till.7 V E R = R1 R R =R1 // R = trypt Aktiv Mättad R 1 R R 1 R 9 Exempel på switchtillämpning Forts. Antag styr switchen. R = => switch av ökt: för säker switch på KVL : B R BE E R E = KCL : E = C B transistor C =B B KVL : E C R C CE E R E = ((3: E =B B B =( B1 B E B= ( B 1 (1(5: E R BE E R E = ( B1 E R R = BE ( B1 E E E Givet 4 < B < 8, CEsat =. V E = 1 V R = 1 Ω, 1% nogrannhet Vill garantera bottnad transistor Minimalt B, minimal R max = 13 ma! 11 KVL: CE C R E= transistor: B = C B E CE 1. B= = = RB (1.9 4 =.33 ma 1 E (1 ( (3 ( 4 R (5 C BE- E E R R1 R R R R = R1 // R = 1 R1 R = 1 3
4 /5/14 15:56 Forts. PNP transistorn E E R R = BE ( B1 E E BE E= R ( B1 BE (3(5: C =B B = ( B1 (4(7: BE E R CE E R E = ( B1 C BE CE =E R R ( B1 C E E truktur R (7 ymbol BE- E (6 amma namn som för NPN bas truktur speglas av symbol BE - kollektor E CE emitter Ekvationer = B trömförstärkningsfaktor B E R R1 R R R R = R1 // R = 1 R1 R = Notering: Alla spänningar och strömmar negativa värden Alla ekvationer fortfarande samma som för NPN BE = -.7 V för kiseltransistorer (obs tecken 13 Problem med varierande B Exempel, PNP transistorkoppling ndividuella transistorer har olika värden på B kulle behöva trimma kretsen (ändra t ex R 1 individuellt på varje krets för att få specifierat C Finns oändligt antal kombinationer av R 1 och R som ger samma BE och Från föregående slide: E= BE R ( B 1 trömmar kommer flyta från E mot E R1 E Notera riktningar på B,, E och CE C BE- E Alla dessa kommer ha negativa värden R1 amma ekvationer gäller för PNP transistorn som för NPN transistorn BE - E CE R C = B R (6 15 Om R << B * ändras inte så mycket om B ändras
5 /5/14 15:56 Fälteffekttransistor, JFET N-kanal P-kanal JFET drain D source Princip tryp kanal mha mättnadsområde från backspärrad diod gate G Hög inimpedans => D = Begränsat aktivt område amma princip som N-kanal ymbol amma som N-kanal förutom riktning på pil Alla spänningar och strömmar har omvänt tecken jämfört med N-kanal D G - Dioderna måste behålla backspänning => max G Kanal stängd => ytterligare backspäning påverkar inte => P G negativ när transistorn används ymbol visar pn-övergångens riktning ymmetrisk, strömriktning bestämmer source och drain 17 Fälteffekttransistorns beteende MOFET fälteffekttransistorer drain D source trömmen ökar kvadratiskt med ökad G trömgeneratoregenskap vid positiva D gate pänningsstyrd strömkälla G Resistorbeteende vid små (< 1V D Fysisk struktur N-kanal Tryck bort hålen under gate mha spänning => skapar tunn kanal under gate som leder ström Karakteriseras ofta av P och Anrikningstyp: leder inte ström vid G = P 19 G tarmningstyp: N-dopning även i kanalen leder ström vid G =, stäng av med negativ G G= V G= - V G= -4 V D Motsvarande P-kanal finns också Byt plats på P och N i figuren 18 5
6 /5/14 15:56 ymboler Exempel ymboler elfbiased 4 versioner (N och P kanal, anriknings respektive utarmingstyp ourceströmmen ger negativt G Vanligaste transistorn för integrerade kretsar KVL i gate-slingan Teoretiskt beskriven före bipolär, fysiskt bevisad efter bipolär E G - - D G R G G R = Gateströmmen G = D = [-1/R] G 1 D = = = G R R N-kanal P-kanal N-kanal anrikningstyp P-kanal G P utarmingstyp 1 Matematisk beskrivning av ( D = D 1 G P drain D source gate G Beräkna arbetspunkt ( D och D Givet = 1 kω R = 1 kω Ekvationen gäller bara för P < G < G - D G R = 1 MΩ = 1 ma D P E Exempel kvadratiskt beroende av G 3 P = -4 V G E = 1 V Approach: sök först samband mellan gatespänning och drainström. [-1/R] P G 4 6
7 /5/14 15:56 E Exempel, forts. Transistorns egenskaper G D = D 1 P G =, = D ( G.1467 D= D (1 G =1 1 3 (1 P 4 =.1467 ma R [-1/R] G = R D (1 G G P P P ( P G P = R D D - D G R [-1/R] var =.15 ma G P G E R D D D R = D = E R D D R =E D ( R D R = =1.15 ( =5.766V G R G G R = ( G KVL i drain source G = R = D R = R D 1 G P Beräkna - D G KVL i gateslingan E Exempel, forts. P D = 5.71 V G 5 Två lösningar! P P G P = R D ( 4 G ( ( 4 G ( 4= G 9.6 G 16= G ( x a x b= G ={ G - - D G NPN R N-kanal FET P D D = D (1 G P D > Dsat D, D positiva G negativ G 6 C= B B C BE =.6 V (för kisel B CE < CEsat BE- E B, C, CE negativa P-kanal FET G [-1/R] PNP C= B B C BE =.6 V (för kisel B CE > CEsat BE- E B, C, CE positiva a a x= ± ( b Välj lösning så att G < P G=.1467 Transistorns likströmsegenskaper i aktivt område (som förstärkare E Exempel, forts. 7 - D G- G D = D (1 G P D < Dsat D, D negativa G positiv - D G- 8 7
TSTE20 Elektronik 01/31/ :24. Nodanalys metod. Nodanalys, exempel. Dagens föreläsning. 0. Förenkla schemat 1. Eliminera ensamma spänningskällor
0/3/204 0:24 Nodanalys metod 0. Förenkla schemat. liminera ensamma TST20 lektronik 2. Jorda en nod 3. nför nodpotentialer 4. nför referensriktningar på strömmarna i nätet 5. Sätt upp ekvation för varje
Läs merMoment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 1 Transistorn del 1
Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 1 Transistorn del 1 Jan Thim 1 F1: Transistorn del 1 Innehåll: Historia Funktion Karakteristikor och parametrar Transistorn som förstärkare Transistorn som switch
Läs merMoment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2
Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 2 Transistorn del 2 Jan Thim 1 F2: Transistorn del 2 Innehåll: Fälteffekttransistorn - JFET Karakteristikor och parametrar MOSFET Felsökning 2 1 Introduktion Fälteffekttransistorer
Läs merÖvningsuppgifter i Elektronik
1 Svara på följande frågor om halvledarkomponenter. Övningsuppgifter i Elektronik a) Vad är utmärkande för ett halvledarmaterial? b) Vad innebär egenledning och hur kan den förhindras? c) edogör för dopning
Läs merElektronik. Lars-Erik Cederlöf
Elektronik LarsErik Cederlöf 1 Ledare och isolatorer Ledare för elektrisk ström har atomer med fria rörliga laddningar i yttersta skalet. Exempel på ledare är metallerna koppar och aluminium. Deras atomer
Läs merLaboration N o 1 TRANSISTORER
Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson 22/10 2004 Analog elektronik 2 Laboration N o 1 TRANSISTORER namn: datum: åtgärda: godkänd: Målsättning: Denna laboration
Läs merUtredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod?
Komponentfysik Uppgifter Bipolärtransistor VT-15 Utredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod? III: Definiera övergångsfrekvensen
Läs merGrindar och transistorer
Föreläsningsanteckningar Föreläsning 17 - Digitalteknik I boken: nns ej med Grindar och transistorer Vi ska kort beskriva lite om hur vi kan bygga upp olika typer av grindar med hjälp av transistorer.
Läs merI: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn.
Komponentfysik Övning 4 VT-10 Utredande uppgifter: I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn. II: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor.
Läs merInstitutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet. Agneta Bränberg TRANSISTORTEKNIK. Laboration.
Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet 2016-12-19 Agneta Bränberg Laboration TRANSISTORTEKNIK Analog II VT17 Målsättning: Denna laboration syftar till studenterna ska lära sig
Läs merFöreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren
Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren /Krister Hammarling 1 Transistorn Innehåll: Historia Funktion Karakteristikor och parametrar Transistorn som förstärkare Transistorn som switch Felsökning
Läs merFöreläsning 11 Bipolära Transistorer I. BJT Bipolar JuncDon Transistor. FunkDon bipolär transistor. DC operadon, strömförstärkning
Föreläsning 11 ipolära ransistorer J ipolar JuncDon ransistor FunkDon bipolär transistor Geometri npn D operadon, strömförstärkning OperaDonsmoder Early- effekten pnp transistor G. alla 1 deal transistor
Läs merFöreläsning 9 Bipolära Transistorer II
Föreläsning 9 ipolära Transistorer Funktion bipolär transistor Småsignal-modell Hybrid-p Designparametrar 1 Komponentfysik - Kursöversikt ipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Optokomponenter
Läs merFöreläsning 13 Fälteffekttransistor III
Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III pmo måsignal FET A, f t MO-Kondensator 014-05-19 Föreläsning 13, Komponentfysik 014 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser
Läs merKomponentfysik ESS030. Den bipolära transistorn
Komponentfysik ESS030 Den bipolära transistorn T- 2016 Syfte Syftet med denna laboration är att studenten ska bekanta sig med den grundläggande fysiken i en bipolär transistor. Det fundamentala byggblocket
Läs merHalvledare. Transistorer, Förstärkare
Halvledare Transistorer, Förstärkare Om man har en två-ports krets v in (t) ~ v ut (t) R v ut (t) = A v in (t) A är en konstant: Om A är mindre än 1 så kallas kretsen för en dämpare Om A är större än 1
Läs mernmosfet och analoga kretsar
nmosfet och analoga kretsar Erik Lind 22 november 2018 1 MOSFET - Struktur och Funktion Strukturen för en nmosfet (vanligtvis bara nmos) visas i fig. 1(a). Transistorn består av ett p-dopat substrat och
Läs merElektronik. MOS-transistorn. Översikt. Då och nu. MOS-teknologi. Lite historik nmosfet Arbetsområden pmosfet CMOS-inverterare NOR- och NAND-grindar
Översikt Pietro Andreani Institutionen för elektro- och informationsteknik unds universitet ite historik nmofet Arbetsområden pmofet CMO-inverterare NOR- och NAN-grindar MO-teknologi å och nu Metal-e-silicon
Läs merFormelsamling för komponentfysik. eller I = G U = σ A U L Småsignalresistans: R = du di. där: σ = 1 ρ ; = N D + p n 0
Uppdaterad: 01-05-5 Anders Gustafsson Formelsamling för komponentfysik Halvledare och Ström (transport) Kapacitans: C = Q Småsignalkapacitans: C = dq U du Plattkondensator: C = A ε r ε r d Parallellkoppling:
Läs merFöreläsning 12 Bipolära Transistorer II. Funk<on bipolär transistor
Föreläsning 1 Bipolära Transistorer II Funk
Läs merFormelsamling för komponentfysik
Uppdaterad: 010-01-18 Anders Gustafsson Formelsamling för komponentfysik Halvledare och Ström (transport) Kapacitans: C = Q Småsignalkapacitans: C = dq U du Plattkondensator: C = A r r d Parallellkoppling:
Läs merTentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2
Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2 Tid: kl 9.13. Måndagen den 16 augusti 21 Sal: O125 Hjälpmedel: formelsamling elektronik, formelsamling ellära samt valfri räknare. Maxpoäng: 3 Betyg: 12p3:a, 18p4:a
Läs merUMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors Transistorswitchen. Laboration E25 ELEKTRO
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors 1997-01-14 Transistorswitchen Laboration E25 ELEKTRO Laboration E25 Transistorswitchen 2 Nyckelord Switch, bottnad- och strypt
Läs merLaboration 6. A/D- och D/A-omvandling. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum
Laboration 6 A/D- och D/A-omvandling A/D-omvandlare Digitala Utgång V fs 3R/2 Analog Sample R R D E C O D E R P/S Skiftregister R/2 2 N-1 Komparatorer Digital elektronik Halvledare, Logiska grindar Digital
Läs merBatteri. Lampa. Strömbrytare. Tungelement. Motstånd. Potentiometer. Fotomotstånd. Kondensator. Lysdiod. Transistor. Motor. Mikrofon.
Batteri Lampa Strömbrytare Tungelement Motstånd Potentiometer Fotomotstånd Kondensator Lysdiod Transistor Motor Mikrofon Högtalare Ampèremeter 1 1. Koppla upp kretsen. Se till att motorns plus och minuspol
Läs merIntroduktion till halvledarteknik
Introduktion till halvledarteknik Innehåll 7 Fälteffekttransistorer MOS-transistorn strömekvation MOS-transistorn kanal mobilitet Substrat bias effekt 7 Bipolar transistorn Introduktion Minoritets bärare
Läs merTSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg
TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg Version 0.3 Mikael Olofsson Kent Palmkvist Prakash Harikumar 18 mars 2014 Laborant Personnummer Datum Godkänd 1 1 Introduktion I denna laboration kommer ni
Läs merSM Serien Strömförsörjning. Transistorn
Transistorn Transistorn är en av de viktigaste uppfinningar som gjorts under modern tid. Utan denna skulle varken rymdfärder eller PC-datorer vara möjliga. Transistorn ingår som komponent i Integrerade
Läs merFöreläsning 9 Bipolära Transistorer II
Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II Funktion bipolär transistor Småsignal-modell Hybrid-p 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Optokomponenter pn-övergång:
Läs merLaboration 2: Likström samt upp och urladdningsförlopp
TSTE20 Elektronik Laboration 2: Likström samt upp och urladdningsförlopp v0.5 Kent Palmkvist, ISY, LiU Laboranter Namn Personnummer Godkänd Översikt I denna labb kommer ni bygga en strömkälla, och mäta
Läs merTentamen i Elektronik för F, 13 januari 2006
Tentamen i Elektronik för F, 3 januari 006 Tillåtna hjälpmedel: Formelsamling i kretsteori, miniräknare Du har fått tag på 6 st glödlampor från USA. Tre av dem visar 60 W och tre 40 W. Du skall nu koppla
Läs merLösningar Tenta
Lösningar Tenta 110525 1) a) Driftström: Elektriskt laddade partiklar (elektroner och hål) rör sig i ett elektriskt fält. Detta ger upphov till en ström som följer ohms lag. Diffusion: Elektroner / hål
Läs merElektronik 2017 EITA35
Elektronik 2017 EITA35 OP-Amp Komplex Återkoppling. Klippning. Maximal spänning/ström. Gain-bandwidthproduct. Offset. Slewrate Avkopplingskondensator Transistorer - MOSFETs Lab 4 Anmälan på hemsidan Projektnummer
Läs mer1.2 Två resistorer är märkta 220 ohm 0,5 W respektive 330 ohm 0,25 W. vilken är den största spänning som kan anslutas till:
Passiva komponenter. Vilken resistans och tolerans har en resistor märkt: a) röd, violett, gul, guld b) blå, grå, blå, silver c) brun, svart, svart, guld d) orange, vit, brun, röd, mellanrum, brun e) grön,
Läs merDIFFERENTALFÖRSTÄRKARE
UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson 1996-12-06 DIFFERENTALFÖRSTÄRKARE Laboration E-35 ELEKTRO Personalia: Namn: Kurs: Datum: Återlämnad (ej godkänd): Rättningsdatum Kommentarer
Läs merInstruktion elektronikkrets till vindkraftverk
Instruktion elektronikkrets till vindkraftverk Färdig koppling D1 R2 IC1 R1 D2 R3 D3 R7 R5 T1 T2 R6 T3 R6 Uppgiften innehåller: Namn Värde Utseende Antal R1 11 kω brun, brun, svart, röd, brun 1 st R2 120
Läs merTRANSISTORER. Umeå universitet Institutionen för tillämpad. fysik och elektronik. Patrik Eriksson
Institutionen för tillämpad 2013-09-05 fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Agneta Bränberg Redigerad av Johan Haake Redigerad av Nils Lundgren TRANSISTORER Målsättning: Denna
Läs merFöreläsning 8. MOS transistorn. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM
Föreläsning 8 MOS transistorn Förstärkare med MOS transistorn t Exempel, enkel förstärkare med MOS IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM 1 Varför MOS transistorn Förstå en grundläggande komponent
Läs merTSTE05 Elektronik & mätteknik Föreläsning 3 Likströmsteori: Problemlösning
TSTE05 Elektronik & mätteknik Föreläsning 3 Likströmsteori: Problemlösning Mikael Olofsson Institutionen för Systemteknik (ISY) Ämnesområdet Elektroniska kretsar och system Lösningsmetodik Superposition
Läs merLaborationsrapport. Kurs Elektroteknik grundkurs ET1002. Lab nr 3. Laborationens namn Halvledarkomponenter. Kommentarer. Namn. Utförd den.
Laborationsrapport Kurs Elektroteknik grundkurs ET1002 Lab nr 3 Laborationens namn Halvledarkomponenter Namn Kommentarer Utförd den Godkänd den Sign Halvledarkomponenter I den här laborationen skall du
Läs merIntroduktion till halvledarteknik
Introduktion till halvledarteknik Innehåll 6 Övergångar (pn och metal-halvledare) 2:a ordningens effekter Metal-halvledar övergångar 6 Fälteffekttransistorer JFET och MOS transistorer Ideal MOS kapacitans
Läs merTentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 11 januari 2013
Tentamen i Elektronik för E (del ), ESS00, januari 03 Tillåtna hjälpmedel: Formelsamling i kretsteori. Du har en mikrofon som kan modelleras som en spänningskälla i serie med en resistans. Du vill driva
Läs merTentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007.
Tekniska Högskolan i Lund Institutionen för Elektrovetenskap Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007. Uppgifterna i tentamen ger totalt
Läs merFöreläsning 8. MOS transistorn Förstärkare med MOS transistorn Exempel, enkel förstärkare med MOS. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT VT11/BM
Föreläsning 8 MOS transistorn Förstärkare med MOS transistorn Exempel, enkel förstärkare med MOS 1 Varför MOS transistorn Förstå en grundläggande komponent för både digitala och analoga kretsar Är idag
Läs merKursprogram för Elektronik E, ESS010, 2010/2011
Institutionen för elektro- och informationsteknik Kursprogram för Elektronik E, ESS010, 2010/2011 Kurslitteratur 1. A. R. Hambley Electrical engineering 5th ed. Säljes av KFS. 2. Exempelsamling kretsteori.
Läs merFörstärkarens högfrekvensegenskaper. Återkoppling och stabilitet. Återkoppling och förstärkning/bandbredd. Operationsförstärkare.
FÖRELÄSNING 5 Förstärkarens högfrekvensegenskaper Återkoppling och stabilitet Återkoppling och förstärkning/bandbredd Operationsförstärkare Kaskadkoppling Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola
Läs mer12. Kort om modern halvledarteknologi
12. Kort om modern halvledarteknologi Kursen i halvledarfysik behandlar i detalj halvledarkomponenter. På denna kurs går vi igenom bara den allra viktigaste av dem, MOSFET-transistorn som ger grunden till
Läs mer12. Kort om modern halvledarteknologi
12. Kort om modern halvledarteknologi Kursen i halvledarfysik behandlar i detalj halvledarkomponenter. På denna kurs går vi igenom bara den allra viktigaste av dem, MOSFET-transistorn som ger grunden till
Läs merFöreläsning 11 Fälteffekttransistor II
Föreläsning 11 Fälteffekttransistor Fälteffekt Tröskelspänning Beräkning av strömmen Storsignal, D Kanallängdsmodulation Flatband-shift pmosfet 013-05-03 Föreläsning 11, Komponentfysik 013 1 Komponentfysik
Läs merMätningar på transistorkopplingar
Ellab015A Mätningar på transistorkopplingar Namn Datum Handledarens sign. Laboration Varför denna laboration? Transistorn är en av de allra viktigaste komponenterna inom elektroniken. I den här laborationen
Läs merKursprogram för Elektronik E, ESS010, 2011/2012
Institutionen för elektro- och informationsteknik Kursprogram för Elektronik E, ESS010, 2011/2012 Kurslitteratur 1. A. R. Hambley Electrical engineering 5th ed. Säljes av KF-Sigma. 2. Exempelsamling kretsteori.
Läs merFöreläsning 4/11. Lite om logiska operationer. Hambley avsnitt 12.7, 14.1 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar)
1 Föreläsning 4/11 Hambley avsnitt 12.7, 14.1 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar) Lite om logiska operationer Logiska variabler är storheter som kan anta två värden; sann 1 falsk 0 De logiska
Läs merTentamen i Krets- och mätteknik, fk, ETEF15. Exempeltentamen
Lunds Tekniska Högskola, Institutionen för Elektro- och informationsteknik Ingenjörshögskolan, Campus Helsingborg Tentamen i Krets- och mätteknik, fk, ETEF15 Exempeltentamen Uppgifterna i tentamen ger
Läs merDu har följande material: 1 Kopplingsdäck 2 LM339 4 komparatorer i vardera kapsel. ( ELFA art.nr datablad finns )
Projektuppgift Digital elektronik CEL08 Syfte: Det här lilla projektet har som syfte att visa hur man kan konverterar en analog signal till en digital. Här visas endast en metod, flash-omvandlare. Uppgift:
Läs merFÖRELÄSNING 3. Förstärkaren. Arbetspunkten. Olika lastresistanser. Småsignalsschemat. Föreläsning 3
FÖRELÄSNING 3 Förstärkaren Arbetspunkten Olika lastresistanser Småsignalsschemat Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 1(36) Förstärkaren (S&S4 1.4, 5.2, 5.4, 5.5, 5.6/
Läs merVarvtalsstyrning av likströmsmotorer
Varvtalstyrning av likströmsmotorer Föreläsning 6 Kap 3.6 Grundkretsar med transistorer, avsnitt Transistorn som switch sid 3-42. Kap. 7.6 Kraftelektronik avsnitten Systemuppbyggnad sid 7-36, Likspänningsomvandlare
Läs merTSKS06 Linjära system för kommunikation Kursdel Elektriska kretsar. Föreläsning 3
TSKS06 Linjära system för kommunikation Kursdel Elektriska kretsar Föreläsning 3 Likströmsteori: Tvåpoler och problemlösning Mikael Olofsson Institutionen för Systemteknik (ISY) Ämnesområdet Elektroniksystem
Läs merFöreläsning 8 Bipolära Transistorer I
Föreläsning 8 iolära ransistorer Funktion biolär transistor Geometri nn D oeration, strömförstärkning Oerationsmoder Early-effekten n transistor 1 Komonentfysik - Kursöversikt iolära ransistorer n-övergång:
Läs merTSTE05 Elektronik och mätteknik ISY-lab 3: Enkla förstärkarsteg
TSTE05 Elektronik och mätteknik ISY-lab 3: Enkla förstärkarsteg Mikael Olofsson Kent Palmkvist 30 november 2017 Laborant Personnummer Datum Godkänd 1 1 Introduktion I denna laboration kommer du att studera
Läs merVarvtalsstyrning av likströmsmotorer
Varvtalstyrning av likströmsmotorer Föreläsning 6 Kap 3.6 Grundkretsar med transistorer, avsnitt Transistorn som switch sid 3-42. Kap. 7.6 Kraftelektronik avsnitten Systemuppbyggnad sid 7-36, Likspänningsomvandlare
Läs merFöreläsning 8 Bipolära Transistorer I
Föreläsning 8 iolära ransistorer Funktion biolär transistor Geometri nn D oeration, strömförstärkning Oerationsmoder Early-effekten n transistor G. alla 1 Komonentfysik - Kursöversikt iolära ransistorer
Läs merLABORATIONSINSTRUKTION. Mätning på dioder och transistorer
Lars-Erik Cederlöf LABORATIONSINSTRUKTION LABORATION Mätning på dioder och transistorer KURS Elektronik grundkurs LAB NR 4 INNEHÅLL Data om dioden 1N4148 Kontroll av diod Diodens karaktäristik Data om
Läs merHÄLLEBERGSSKOLAN. Ur kursplanen för området elektronik i ämnet teknik:
Björne Torstenson Ur kursplanen för området elektronik i ämnet teknik: TEKNIK ELEKTRONIK Centralt innehåll Grundläggande elektronik och elektroniska komponenter, till exempel lysdioder och enkla förstärkare.
Läs merMålsättning: Utrustning och material: Denna laboration syftar till att ge studenten:
Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Agneta Bränberg Redigerad av Johan Haake Redigerad av Agneta Bränberg 2016-11-14 TRANSISTORER Målsättning:
Läs merKursprogram för Elektronik E, ESS010, 2009/20010
Institutionen för elektro- och informationsteknik Kursprogram för Elektronik E, ESS010, 2009/20010 Kurslitteratur 1. A. R. Hambley Electrical engineering 4th ed. Säljes av KFS. 2. Exempelsamling kretsteori.
Läs merElektronik 2015 ESS010
Elektronik 2015 ESS010 Föreläsning 16 Halvledare PN-diod: likriktare Information inför tentamen Repetition 2015-10-21 Föreläsning 16, Elektronik 2015 1 USA Chicago Notre Dame New Orleans Tunneltransistorer
Läs merVälkomna till kursen i elektroniska material! Martin Leijnse
Välkomna till kursen i elektroniska material! Martin Leijnse Information Innehåll: fasta tillståndets fysik med fokus på halvledarfysik. Dioder, solceller, transistorer... Lärare: Martin Leijnse (föreläsare,
Läs merMOSFET:ens in- och utimpedanser. Småsignalsmodeller. Spänning- och strömstyrning. Stora signaler. MOSFET:ens högfrekvensegenskaper
FÖRELÄSNING 4 MOSFET:ens in och utimpedanser Småsignalsmodeller Spänning och strömstyrning Stora signaler MOSFET:ens högfrekvensegenskaper Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik
Läs merTentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 5 april 2013
Tentamen i Elektronik för E (del ), ESS00, 5 april 03 Tillåtna hjälpmedel: Formelsamling i kretsteori. Spänningen mv och strömmen µa mäts upp på ingången till en linjär förstärkare. Tomgångsspänningen
Läs merKursprogram för Elektronik E, ESS010, 2013/2014
Institutionen för elektro- och informationsteknik Kursprogram för Elektronik E, ESS010, 2013/2014 Kurslitteratur och kursmaterial 1. A. R. Hambley Electrical engineering 6th ed. Säljes av KF-Sigma. 2.
Läs merElektronik 2017 EITA35
Elektronik 2017 EITA35 Föreläsning 15 Repetition Information inför tentamen 1 Resistornätverk: Definition av potential, spänning och ström. Ohms lag, KCL och KVL Parallell och seriekoppling av resistanser
Läs merTentamen ETE115 Ellära och elektronik för F och N,
Tentamen ETE5 Ellära och elektronik för F och N, 2009 0602 Tillåtna hjälpmedel: formelsamling i kretsteori och elektronik. Observera att uppgifterna inte är ordnade i svårighetsordning. Alla lösningar
Läs merTentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D
Lars-Erik ederlöf Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ET 03 för D 000-03-3 Tentamen omfattar 40 poäng, poäng för varje uppgift. 0 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är räknedosa.
Läs merEmtithal Majeed, Örbyhus skola, Örbyhus www.lektion.se
Emtithal Majeed, Örbyhus skola, Örbyhus www.lektion.se * Skillnader mellan radiorör och halvledarkomponenter 1.Halvledarkomponenter är mycket mindre I storlek 2.De är mycket tåliga för slag och stötar
Läs merModifieringsförslag till Moody Boost
Modifieringsförslag till Moody Boost Moody Boost (MB) är en mycket enkel krets, en transistor och ett fåtal passiva komponenter- Trots det finns det flera justeringar som du kan göra för att få pedalen
Läs merTentamen i komponentfysik
Tentame komponentfysik 009-05-8 08 00-13 00 Hjälpmedel: TEFYMA, ordlista, beteckningslista, formelsamlingar och räknare. Max 5p, för godkänt krävs 10p. Om inget annat anges, så antag att det är kisel (Si),
Läs merFör att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet.
Kortslutningsskydd För att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet. Utströmmen passerar R4, ett lågohmigt
Läs merMoment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 3 Transistorförstärkare
Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 3 Transistorförstärkare Jan Thim 1 F3: Transistorförstärkare Innehåll: Introduktion GE-steget EF-steget GB-steget Flerstegsförstärkare Felsökning 2 1 Förstärkare
Läs merKAPITEL 2 MTU AB
KAPITEL 2 MTU AB 2007 29 HALVLEDARE De komponenter som vi hittills behandlat är motstånd av olika slag, lampor samt batterier. Det kan diskuteras om batteriet ska kallas komponent. Motstånd är den komponent
Läs merVideoförstärkare med bipolära transistorer
Videoförstärkare med bipolära transistorer IE1202 Analog elektronik - Joel Nilsson joelni at kth.se Innehåll i 1 Första försöket 1 1.1 Beräkningar....................................... 1 1.1.1 Dimensionering
Läs merOlika sätt att bygga förstärkare. Differentialförstärkaren (översikt) Strömspegeln. Till sist: Operationsförstärkaren
FÖRELÄSNING 12 Olika sätt att bygga förstärkare Differentialförstärkaren (översikt) Strömspegeln Till sist: Operationsförstärkaren Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik
Läs merLaborationer i miljöfysik. Solcellen
Laborationer i miljöfysik Solcellen Du skall undersöka elektrisk ström, spänning och effekt från en solcellsmodul under olika förhållanden, och ta reda på dess verkningsgrad under olika förutsättningar.
Läs merKomponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Hålltider --- Ellära: Elektriska fält, potentialer och strömmar
Komponentfysik 2014 Introduktion Kursöversikt Hålltider --- Ellära: Elektriska fält, potentialer och strömmar 1 Lite om mig själv Erik Lind (Erik.Lind@eit.lth.se) Lektor i nanoelektronik vid EIT sedan
Läs merElektronik 2018 EITA35
Elektronik 2018 EITA35 Föreläsning 2 lp2 VV, VI, IV och IV genom återkoppling Inverterande VV 1 Information Elektroniska Frågor börjar denna veckan! Tentan är rättad väntar på att resultat ska läggas in
Läs merVälkomna till kursen i elektroniska material!
Välkomna till kursen i elektroniska material! Information Innehåll: fasta tillståndets fysik med fokus på halvledarfysik. Dioder, solceller, transistorer... Lärare: Martin Leijnse (föreläsare, kursansvarig)
Läs merTRANSISTORER. Umeå universitet Institutionen för tillämpad fysik och elektronik
Institutionen för tillämpad fysik och elektronik 216-5-25 Umeå universitet Patrik Eriksson Redigerad av Johan Haake Redigerad av Nils Lundgren Redigerad av Agneta Bränberg TRANSISTORER Målsättning: Denna
Läs merBygg en entransistors Booster till datorn eller MP3-spelaren
Bygg en entransistors Booster till datorn eller MP3-spelaren De högtalare som levereras till datorerna har oftast högst mediokra data. Men genom att kombinera lite enkel teknik från elektronikens barndom
Läs merDefinition av kraftelektronik
F1: Introduktion till Kraftelektronik Definition av kraftelektronik Den enegelska motsvarigheten till kraft elektronik är Power electronics. På Wikipedia kan man hitta följande definition: Power electronics
Läs merFöreläsning 6: Opto-komponenter
Föreläsning 6: Opto-komponenter Opto-komponent Interaktion ljus - halvledare Fotoledare Fotodiod / Solcell Lysdiod Halvledarlaser 1 Komponentfysik - Kursöversikt Bipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser
Läs merBeskrivande uppgifter: I: Vad skiljer det linjära området och mättnadsområdet i termer av inversionskanal?
Komponentfysik Övningsuppgifter MOS del II VT-5 Beskrivande uppgifter: I: Vad skiljer det linjära området och mättnadsområdet i termer av inversionskanal? II: Vad skiljer en n-mosfet från en p-mosfet när
Läs merDen bipolä rä tränsistorn
Komponentfysik ESS3 Laborationshandledning av: Martin Berg Elvedin Memišević Den bipolä rä tränsistorn VT-213 Syfte Syftet med denna laboration är att studenten ska bekanta sig med den grundläggande fysiken
Läs merEnergiöverföring med resistor
nergiöverföring med resistor n emk med en högre spänning kan ladda en annan emk 2 med en lägre spänning om man ansluter dem till varandra med en strömbegränsande resistor. > 2. I R 2 2 I = R Avgiven energi
Läs merDIGITAL MULTIMETER BRUKSANVISNING MODELL DT9201
DIGITAL MULTIMETER BRUKSANVISNING MODELL DT9201 1. INLEDNING Den digitala serie 92-multimetern är ett kompakt, batteridrivet instrument med 3½ LCD-skärm. Fördelar: Stor noggrannhet Stor vridbar LCD (flytande
Läs merVad är elektricitet?
Vad är elektricitet? Vad är elektricitet? Grundämnenas elektriska egenskaper avgörs av antalet elektroner i det yttersta skalet - valenselektronerna! Skol-modellen av en Kiselatom. Kisel med atomnumret
Läs merHambley avsnitt 12.7 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar) sann 1 falsk 0
1 Föreläsning 2 ht2 Hambley avsnitt 12.7 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar) Lite om logiska operationer Logiska variabler är storheter som kan anta två värden; sann 1 falsk 0 De logiska variabler
Läs merSpänning, ström och energi!
Spänning, ström och energi! Vi lever i ett samhälle som inte hade haft den höga standard som vi har nu om inte vi hade lärt oss att utnyttja elektricitet. Därför är det viktigt att lära sig förstå några
Läs merTentamen i Komponentfysik ESS030, ETI240/0601 och FFF090
011-01-10 08 00-13 00 Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI40/0601 och FFF090 Hjälpmedel: TEFYMA, ordlista, beteckningslista, formelsamlingar och räknare. Max 5p, för godkänt krävs 10p. Om inget annat
Läs mer3.8. Halvledare. [Understanding Physics: 20.8-20.11] Den moderna fysikens grunder, Tom Sundius 2009 1
3.8. Halvledare [Understanding Physics: 20.8-20.11] Som framgår av fig. 20.27, kan energigapet i en halvledare uttryckas E g = E c E v, där E c är den lägsta energin i ledningsbandet och E v den högsta
Läs merVad är elektricitet?
Vad är elektricitet? Vad är elektricitet? Grundämnenas elektriska egenskaper avgörs av antalet elektroner i det yttersta skalet - valenselektronerna! Skol-modellen av en Kiselatom. Kisel med atomnumret
Läs merTentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D
Lars-Erik Cederlöf Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 03 för D 2000-05-03 Tentamen omfattar 40 poäng, 2 poäng för varje uppgift. 20 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel är
Läs mer