Föreläsning 8 pn- övergången

Relevanta dokument
Föreläsning 4 pn-övergången

Föreläsning 4 pn-övergången

Föreläsning 3 Extrinsiska Halvledare

Föreläsning 3 Extrinsiska Halvledare

Föreläsning 10 (MOS)-Fälteffekttransistor I

Pla$kondensator - Fälteffekt

Formelsamling för komponentfysik. eller I = G U = σ A U L Småsignalresistans: R = du di. där: σ = 1 ρ ; = N D + p n 0

Formelsamling för komponentfysik

Föreläsning 2 - Halvledare

Lösningar Tenta

Föreläsning 5 pn-övergången II: Spänning&ström

E F. pn-övergång. Ferminivåns temperaturberoende i n-dopade halvledare. egen ledning. störledning

Föreläsning 2 - Halvledare

Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI240/0601 och FFF090

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV

Tentamen i komponentfysik

Föreläsning 7 pn-övergången III

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Elektromagnetisk strålning. Spektrofotometri. Absorbans / Emission. Elektromagnetiskt spektrum

Om inget annan anges gäller det rumstemperatur, d.v.s. T =300K, termisk jämvikt och värden som inte ges i uppgiften hämtas från formelsamlingen.

Komponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Hålltider --- Ellära: Elektriska fält, potentialer och strömmar

Beskrivande uppgifter: I: Vad skiljer det linjära området och mättnadsområdet i termer av inversionskanal?

Föreläsning 12 Bipolära Transistorer II. Funk<on bipolär transistor

a utsöndring b upptagning c matspjälkning d cirkulation

RSJE10 Radiografi I Delkurs 2 Strålning och teknik I. Del 2 Röntgenrörets uppbyggnad. Lena Jönsson Medicinsk strålningsfysik Lunds universitet

Utredande uppgifter. 2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de tre fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen.

Om inget annan anges gäller det rumstemperatur, d.v.s. T =300K, termisk jämvikt och värden som inte ges i uppgiften hämtas från formelsamlingen.

2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de två fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen.

Tentamen i komponentfysik Halvledare 6,0p. 2. Dioder 7,5p.

Föreläsning 6: Opto-komponenter

Komponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Varför Komponentfysik? Hålltider --- Ellära, Elektriska fält och potentialer

Tentamen 19 mars, 8:00 12:00, Q22, Q26

Föreläsning 10 pn- övergången III

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Välkomna till kursen i elektroniska material! Martin Leijnse

Välkomna till kursen i elektroniska material!

1. (a) (1 poäng) Rita i figuren en translationsvektor T som överför mönstret på sig själv.

Elektronik 2018 EITA35

Physics to Go! Part 1. 2:a på Android

ENDIMENSIONELL ANALYS B1 FÖRELÄSNING VI. Föreläsning VI. Mikael P. Sundqvist

Föreläsning 1. Elektronen som partikel (kap 2)

Komponen'ysik Dan Hessman Lektor i fasta tillståndets fysik. Tel:

Kompletteringsskrivning i EG2050 Systemplanering, 17 september 2009, 9:00-11:00, stora konferensrummet

Övning 3 - Kapitel 35

Egna funktioner. Vad är sin? sin är namnet på en av många inbyggda funktioner i Ada (och den återfinns i paketet Ada.Numerics.Elementary_Functions)

Komponen'ysik Dan Hessman Lektor i fasta tillståndets fysik. Tel:

Linjär Algebra (lp 1, 2016) Lösningar till skrivuppgiften Julia Brandes

Datorövning 2 Fördelningar inom säkerhetsanalys

Kemi och biokemi för K, Kf och Bt, Föreläsning 7. Repetition summering av kemisk bindning Bindnings bildnings - förbränningsenergier

Introduktion till halvledarteknik

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2

Enkät inför KlimatVardag

Halvledare. Periodiska systemet (åtminstone den del som är viktig för en halvledarfysiker)

Halvledare. Transistorer, Förstärkare

Material föreläsning 6. HT2 7,5 p halvfart Janne Carlsson

Stången: Cylindern: G :

Funktionsteori Datorlaboration 1

TENTAMEN. Datum: 11 feb 2019 Skrivtid 8:00-12:00. Examinator: Armin Halilovic Jourhavande lärare: Armin Halilovic tel

FORD KA KA_202054_V8_2014_Cover.indd /01/ :04:46

Med ett materials elektriska egenskaper förstår man helt allmänt dess ledningsförmåga, konduktans, och resistans Ohms lag:

Allmänt Materialfysik Ht Materials elektriska egenskaper 8.1 Bandstruktur. l A Allmänt. 8.1.

Materialfysik Ht Materials elektriska egenskaper 8.1 Bandstruktur

Introduktion till halvledarteknik

Föreläsning 11 Fälteffekttransistor II

1. BERÄKNING AV GRÄNSVÄRDEN ( då x 0 ) MED HJÄLP AV MACLAURINUTVECKLING. n x

Elektronik 2017 EITA35

Ångestrapporten Om kvinnors erfarenheter som patienter och anhöriga

Fyra typer av förstärkare

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV

Statens strålskyddsinstituts författningssamling

3.8. Halvledare. [Understanding Physics: ] Den moderna fysikens grunder, Tom Sundius

Vågrörelselära och optik

12. Kort om modern halvledarteknologi

12. Kort om modern halvledarteknologi

I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn.

1. Hur gammalt är ditt barn?

Räkning med potensserier

Strålsäkerhetsmyndighetens ISSN:

Fourierserien. fortsättning. Ortogonalitetsrelationerna och Parsevals formel. f HtL g HtL t, där T W ã 2 p, PARSEVALS FORMEL

Grundläggande matematisk statistik

Genomsnittligt sökdjup i binära sökträd

Minsta kvadrat-metoden, MK. Maximum likelihood-metoden, ML. Medelfel. E(X i ) = µ i (θ) MK-skattningen av θ fås genom att minimera

Digital signalbehandling Fönsterfunktioner

Tentamen 9 juni 2016, 8:00 12:00, Q21

7 Sjunde lektionen. 7.1 Digitala filter

Elektriska och magnetiska fält Elektromagnetiska vågor

Lösningar och kommentarer till uppgifter i 1.1

Fysik TFYA68. Föreläsning 2/14

Pneumatiska systemlösningar

12. Kort om modern halvledarteknologi

Övningsuppgifter i Elektronik

Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III

Om inget annat anges så gäller det kisel och rumstemperatur (300K)

Införa begreppen ström, strömtäthet och resistans Ohms lag Tillämpningar på enkla kretsar Energi och effekt i kretsar

Lösningsförslag till deltentamen i IM2601 Fasta tillståndets fysik. Onsdagen den 30 maj, Teoridel Ê Á Ê. B B T Ë k B T Ê. exp m BBˆ.

Pneumatiska systemlösningar

Föreläsning 6: Opto-komponenter

Lösningar del II. Problem II.3 L II.3. u= u MeV = O. 2m e c2= MeV. T β +=

Utredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod?

Magnetostatik, induktans (och induktion) kvalitativa frågor och lösningsmetodik

Transkript:

Föreläsig 8 p- övergåge p- övergåg Geometri Bastruktur Ibygg späig och elektriskt fält Mark Rothko 1

- typ P - typ E Elektroer E Elektroer E c E c E g Joiserae oator- atomer Posi%vt laae! E g Joiserae acceptor atomer ega%vt laae! Hål Hål kocetraoo av oatorer 0 kocetraoo av elektroer Elektroera är rörliga och egaova oatoratomera siqer fast och är posiovt laae kocetraoo av oatorer p p0 kocetraoo av elektroer Håle är rörliga och posiova cceptoratomera siqer fast och är egaovt laae 2

Mer om Fermi- Eergi, E F J J EF = e x EF = 0 = 0 x µ rit+iffusiosström: Graiet av E F Ige ström (jämvikt): E F är kostat P E C E F - eδu E F kostat:,p- sia behöver ära si poteoella eergi! E F 3

Rekombia?o p = 2 0 0 i Termisk Jämvikt Om p > i 2: elektroer ka rekombiera me hål för aq miska överskoqet! 0 = + 0 < + E C Tre elektroer rekombierar: Kvar blir 3 posiovt laae oator- atomer! p > p 0 4

Varför p- övergåg? - typ io Lysio Solcell P- typ EmiQer P BJT Bas - typ P - typ Kollektor MOSFET FET Source - typ Gate P- typ rai - typ Substrat 5

P- övergåg? Hur ritar vi bastrukture? Ibyggt elektriskt fält Ibygg poteoal Varför likriktar e io? 6

Mekaisk alogi rif/iffusio i e halvleare iffusio rit iffusiosflöet ka miskas av eq ritflöe E pot 7

E P- övergåg - bastruktur J x E c + Posi?v oator atom - ega?v cceptor atom - typ Fria elektroer Fria Hål P- typ Stor iffusiosström Iget - fält ige ritström E c I = eµ + U t ( x) x 8

2 miuters övig : laigsförelig? ζ ( x) e = ( x) ( x) + p( x) Vilke total laigsförelig är korrekt?, B eller C? ( x) - typ x=0 P- typ B C ζ(x) ζ(x) e e ζ(x) p e p x p - - - x p x - e - e - e 9

E P- övergåg - bastruktur E c + Posi?v oator atom - ega?v cceptor atom - typ Fria elektroer Fria Hål P- typ E c I = eµ + U t ( x) x 10

E P- övergåg - bastruktur E c + Posi?v oator atom - ega?v cceptor atom - typ Fria elektroer Fria Hål P- typ E c tot 11

Ibygg Pote?al, Ibygg Späig E P tot E c E c qu bi E F qu bi E Fp Rymlaigs områe eu bi = E E U = U l + l F Fp bi T i i Pote%albarriär för elektroer och hål! 12

tot, p och max tot ζ ( x) r 0 = (x) x U ( x) (x) = x Laig - fält Fält - Pote%al p U ( p = p ) U ( ) = U bi x=- ζ (m - 3 ) x=0 X= p X= p Två obekata: och p Itegrera två gåger! U(X) U bi = U( p )- U( ) x=- x=0 13 16-04- 19 Föreläsig 8, Kompoe8ysik 2016

Laig Fält PoteOal - Eergi ζ (m - 3 ) U(x) (V) X= p X= p U bi x=- x=- (V/m) x=0 x X= p x + C x=0 x=- x=0 16-04- 19 Föreläsig 8, Kompoe8ysik 2016 14

tot, p och max Vi behöver kua räka ut:, p, tot : beskriver elvis ioes kapacitas. Ger hur stor volym som e solcell ka absorbera ljus + + + + + + + + + + + tot p - - - - - - - - - - - - - - - Maximala elektriska fältstyrka : GeombroQsspäig Iirekt Solceller, fotoio x=- x=0 X= p 15

tot, p och max 16-04- 19 16 Föreläsig 8, Kompoe8ysik 2016 ( ) 2 2 0 2 ) ( ) ( p r bi p e U U U + = = U p U bi r U e + = 0 2 1 bi r p U e = + = 0 2 1 bi r p tot U e + = + = 0 2 p r r e e 0 0 max = = Maximal fältstyrka: Utarmigsområet läg:

P- övergåg! Bastruktur för e p- övergåg Ibyggt elektriskt fält Ibygg späig Varför likriktar e io? 17

io - likrik?g P J = eµ + kt e x I V I = I 0 (exp(v a /V T )- 1) 18

io framspäig miskar - fältet P J = eµ + kt e x I ΔE pot =- eu a eu a V U a I = I 0 (exp(v a /V T )- 1) - U a + 19

io backspäig ökar - fältet P J = eµ + kt e x I eu a ΔE pot =- eu a V - U a I 0 + U a - 20

P- övergåg! Bastruktur för e p- övergåg Ibyggt elektriskt fält Ibygg späig Varför likriktar e io? 21

SammafaQig: ya beteckigar U bi : ibygg poteoal, späig (V) U t : termisk späig: kt/e=25.8mv vi T=300K : utarmigsläg på - sia (m) p : utarmigsläg på p- sia (m) tot = + p : total utarmigsläg (m) max : maximal fältstyrka i p- övergåge 22 16-04- 19 Föreläsig 8, Kompoe8ysik 2016