Föreläsning 10 (MOS)-Fälteffekttransistor I

Relevanta dokument
Pla$kondensator - Fälteffekt

Föreläsning 3 Extrinsiska Halvledare

Föreläsning 3 Extrinsiska Halvledare

Föreläsning 5 pn-övergången II: Spänning&ström

E F. pn-övergång. Ferminivåns temperaturberoende i n-dopade halvledare. egen ledning. störledning

Föreläsning 11 Fälteffekttransistor II

Föreläsning 8 pn- övergången

Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III

Komponen'ysik Dan Hessman Lektor i fasta tillståndets fysik. Tel:

Hambley avsnitt 12.7 (även 7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar)

Komponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Hålltider --- Ellära: Elektriska fält, potentialer och strömmar

Föreläsning 2 - Halvledare

Komponen'ysik Dan Hessman Lektor i fasta tillståndets fysik. Tel:

Beskrivande uppgifter: I: Vad skiljer det linjära området och mättnadsområdet i termer av inversionskanal?

Elektronik 2017 EITA35

Föreläsning 2 - Halvledare

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 14 dec 2009 klockan 14:00 19:00.

Föreläsning 4 pn-övergången

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV

Föreläsning 8 Bipolära Transistorer I

nmosfet och analoga kretsar

Föreläsning 8 Bipolära Transistorer I

Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI240/0601 och FFF090

Lösningar Tenta

Föreläsning 4 pn-övergången

Formelsamling för komponentfysik. eller I = G U = σ A U L Småsignalresistans: R = du di. där: σ = 1 ρ ; = N D + p n 0

( y) ( L) Beräkning av ström nmos: Lång kanal (L g >1µm) di dy. Oxid U GS U DS. Kanal. 0<U cs (y)<u DS. Lös med:

Föreläsning 7 pn-övergången III

RSJE10 Radiografi I Delkurs 2 Strålning och teknik I. Del 2 Röntgenrörets uppbyggnad. Lena Jönsson Medicinsk strålningsfysik Lunds universitet

Tentamen i komponentfysik

Nanoelektronik. FAFA10 Kvantfenomen och nanostrukturer HT Martin Magnusson.

Formelsamling för komponentfysik

Digital signalbehandling Fönsterfunktioner

Fyra typer av förstärkare

12. Kort om modern halvledarteknologi

12. Kort om modern halvledarteknologi

4. Uppgifter från gamla tentor (inte ett officiellt urval) 6

Välkomna till kursen i elektroniska material!

Om inget annan anges gäller det rumstemperatur, d.v.s. T =300K, termisk jämvikt och värden som inte ges i uppgiften hämtas från formelsamlingen.

Föreläsning 6: Opto-komponenter

ENDIMENSIONELL ANALYS B1 FÖRELÄSNING VI. Föreläsning VI. Mikael P. Sundqvist

Föreläsning 6: Opto-komponenter

Komponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Varför Komponentfysik? Hålltider --- Ellära, Elektriska fält och potentialer

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV

Jag läser kursen på. Halvfart Helfart

Hambley avsnitt 12.7 (även 7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar)

Välkomna till kursen i elektroniska material! Martin Leijnse

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2

Tentamenskrivning, , kl SF1625, Envariabelanalys för CINTE1(IT) och CMIEL1(ME ) (7,5hp)

0,22 m. 45 cm. 56 cm. 153 cm 115 cm. 204 cm. 52 cm. 38 cm. 93 cm 22 cm. 140 cm 93 cm. 325 cm

Vad är elektricitet?

12. Kort om modern halvledarteknologi

Föreläsning 8. MOS transistorn. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM

2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de två fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen.

Lösningar och kommentarer till uppgifter i 1.1

Nr Bilaga 1. Det rekommenderade värdet för flödestätheten i ett statiskt magnetiskt fält (0 Hz).

Föreläsning 8. MOS transistorn Förstärkare med MOS transistorn Exempel, enkel förstärkare med MOS. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT VT11/BM

Elektronik 2018 EITA35

Normalfördelningens betydelse. Sannolikhet och statistik. Täthetsfunktion, väntevärde och varians för N (µ, σ)

Introduktion till halvledarteknik

Vad är elektricitet?

Elektronik. MOS-transistorn. Översikt. Då och nu. MOS-teknologi. Lite historik nmosfet Arbetsområden pmosfet CMOS-inverterare NOR- och NAND-grindar

Elektronik. Lars-Erik Cederlöf

HASTIGHETSGRÄNSER I HELSINGBORG - Utvärdering SEPTEMBER 2014

Linköpings tekniska högskola IKP/Mekaniksystem Mekanisk värmeteori och strömningslära. Exempeltentamen 3. strömningslära, miniräknare.

Datorövning 2 Fördelningar inom säkerhetsanalys

Linjär regression - kalibrering av en våg

Laboration 6. A/D- och D/A-omvandling. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum

Stort massflöde Liten volym och vikt Hög verkningsgrad. Utföranden Kolv (7) Skruv (4) Ving (4) Roots (1,5) Radial (2-4) Axial (1,3) Diagonal.

Elektronik 2015 ESS010

Utredande uppgifter. 2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de tre fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen.

Atomen. Introduktion till optronik. Atomens bindningsenergi. Energinivådiagram. Atomär övergång. Vågfunktioner

Sensorer, effektorer och fysik. Grundläggande fysikaliska begrepp som är viktiga inom mättekniken

Smärtlindring vid medicinsk abort

Fysik TFYA68 (9FY321) Föreläsning 6/15

NEWTON-RAPHSONS METOD (en metod för numerisk lösning av ekvationer)

1 Armin Halilovic: EXTRA ÖVNINGAR

Kapacitansmätning av MOS-struktur

Svar till tentan

3.7 Energiprincipen i elfältet

Föreläsning G04: Surveymetodik

Fasta tillståndets fysik FFFF05

Du behöver inte räkna ut några siffervärden, svara med storheter som V 0 etc.

LINJÄRA DIFFERENTIALEKVATIONER AV HÖGRE ORDNINGEN

NEWTON-RAPHSONS METOD (en metod för numerisk lösning av ekvationer)

93FY51/ STN1 Elektromagnetism Tenta : svar och anvisningar

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

. Mängden av alla möjliga tillstånd E k kallas tillståndsrummet.

Föreläsning 7. Signalbehandling i multimedia - ETI265. Kapitel 5. LTI system Signaler genom linjära system

Armin Halilovic: EXTRA ÖVNINGAR

Fysik TFYA68. Föreläsning 5/14

Problem 2 löses endast om Du hade färre än 15 poäng på duggan som gavs arctanx sin x. x(1 cosx) lim. cost.

Införa begreppen ström, strömtäthet och resistans Ohms lag Tillämpningar på enkla kretsar Energi och effekt i kretsar

Övning 3 - Kapitel 35

Föreläsning 1. Elektronen som partikel (kap 2)

Vad är det okända som efterfrågas? Vilka data är givna? Vilka är villkoren?

UPPSKATTNING AV INTEGRALER MED HJÄLP AV TVÅ RIEMANNSUMMOR. Med andra ord: Vi kan approximera integralen från båda sidor

Elektronik ESS 010 Elektronik. Erik Lind

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen oktober 2006

Tentamen del 2 i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET

Transkript:

öreläsig 10 (MOS)-älteffekttrasistor I älteffekt Geometri Grudläggade fuktio tarmig / svag iversio / stark iversio Tröskelsäig 013-05-0 öreläsig 10, Komoetfysik 013 1

Ilämigsugift P Trasistor / Lab! is å hemsida! Deadlie 10/5 OtoLab ästa vecka förberedelseugifter! Raort e vecka efter labbe 18/6 seast godkäd! 013-05-0 öreläsig 10, Komoetfysik 013

Komoetfysik - Kursöversikt Biolära Trasistorer -övergåg: kaacitaser Otokomoeter -övergåg: strömmar Mie: lash, DRM MOSET: strömmar MOSET: laddigar -övergåg: Ibyggd säig och rymdladdigsområde Doig: -och -ty material Laddigsbärare: Elektroer, hål och fermiivåer Halvledarfysik: badstruktur och badga Ellära: elektriska fält, otetialer och strömmar 013-05-0 öreläsig 10, Komoetfysik 013 3

älteffekttrasistor - MOSET, DC 5 4 Triod, Lijära området Mättadsområdet V gs -V T = 4 V I DS V DS > V GS -V t + I G =0 V GS - + - V DS I DS Draiström (m) 3 1 V gs -V T = 3 V V gs -V T = V V gs -V T = 1 V 0 V gs <V T 0 1 3 4 5 6 Draisäig (V) 4

Plattkodesator - älteffekt Metall Kriterium för tröskelsäig: gs =1V gs =0V gs =V gs =3V + + + + + + + + + + + + + C GS th P-ty halvledare Joiserade accetoratomer ( ) Hål Elektroer 5

Metal-Oid-Semicoductor ield Effect Trasistor Gate Source Isolator SiO Drai ++ ++ P-ty halvledare i 0 0 6

MOSET GS > TH Source GS > TH Gate Isolator SiO Drai ++ ++ V DS > 0 P-ty halvledare 0 GS > TH : Ledade kaal vid 013-05-0 öreläsig 8, Komoetfysik 013 7

Metal-Oid-Semicoductor ield Effect Trasistor J L e g ε DS ε C GS TH L G DS I DS Varför miskar strömökige?? DS 8

miuters övig Hur stor säig ligger över kodesator 1,, 3? Hur stor laddig håller varje kodesator? C 1 1 1 GS =5V 1 3 1 W 1 W 1 W V DS =3V 1 3 Kodesator Säig Laddig 013-05-0 öreläsig 1, Komoetfysik 013 9

Kaalresistas Oid D I DS DS / R GS DS Draiström (m) 5 4 3 1 0< CS ()< DS ( ) C ( ) GS DR TH CS 1 D ( ) Kaal () miskar med ökade DS Kaalresistase ökar med DS Strömme ökar lågsammare Då GS - TH - DS =0 strömme saturerar! 0 0 1 3 4 5 6 Draisäig (V) 013-05-0 öreläsig 1, Komoetfysik 013 10

Vad sätter tröskelsäige? Valig kodesator: ria elektroer i e MOSET C C 0 GS th GS th GS th Kaacitas lattkodesator (m - ): t C r 0 Vad sätter storleke å th? Halvledare: ria laddigar: elektroer asta laddigar: joiserade doatomer Oidkaacitase 11

Reetitio: ermiivå och laddigsbärare E E E C V E e E e v E kt E kt C E I E C E V kt l de 0 0 d l(1)=0 1

Reetitio: Laddig och elektrisk otetial Laddig: ( ) r 0 Potetial: d ( ) d d - 0 ( d e ) 0 d r 0 d E e E d 13

Eergibad för e MOSET Vad sätter th? Halvledare L G DS Metall E Oid Positiv otetial å Gate säker E f i metalle Isolator har stort badga ige ström. E kostat i halvledare 14

Eergibad för e MOSET tarmig d L G + GS + GS d << << = E d - GS d C e s 0 e 15

Eergibad för e MOSET itrisisk d L G + GS E + GS d = = i << d - GS d C e s 0 e 16

Eergibad för e MOSET svag iversio d L G + GS E + GS d d - GS d C e s 0 e 17

Eergibad för e MOSET stark iversio: GS = TH L G d + GS DS E + GS Måga fria laddigar vid! d d e s 0 ( V ) e( C / m ) d - GS C 18

Stark iversio: GS > TH E - d - d 19

ckumulatio miuter övig Halvledare Halvledare Metall E -e GS E Oid Hur ser bade / laddige ut om ma lägger e egativ säig å gate? Oid 0

Stark iversio - Sammafattig: GS = TH t l i (V) ' 0 C t Oid-kaacitas er area: (/m ) th r e 0 ' C Tröskelsäig (V) C 1

Eemel TH t d l e i s 0 ( V ) r 0 e ' C =10 1 m -3 0 =8,8510-1 /m =3,9 r =11,8 e=1,610-19 s t =10 m Beräka TH Vad är d vid stark iversio?

ria laddigar för GS > TH : L G d E + GS ' Efter stark iversio: d kostat : ria elektroer vid C ' ( C / m ) GS th d - ör GS > th! 3

Sammafattig th : Tröskelsäig (V) itrisisk fermiivå (~mitte av badgaet) (ev) : skillad mella och E lågt frå (V) C : Oidkaacitas () C : Oidkaacitas / area (/m) : laddigar / area (C/m) 4