Föreläsning 4 pn-övergången

Relevanta dokument
Föreläsning 4 pn-övergången

Föreläsning 8 pn- övergången

Föreläsning 5 pn-övergången II: Spänning&ström

Föreläsning 7 pn-övergången III

Föreläsning 3 Extrinsiska Halvledare

Föreläsning 3 Extrinsiska Halvledare

Föreläsning 10 (MOS)-Fälteffekttransistor I

Föreläsning 10 pn- övergången III

Föreläsning 2 - Halvledare

Formelsamling för komponentfysik. eller I = G U = σ A U L Småsignalresistans: R = du di. där: σ = 1 ρ ; = N D + p n 0

Pla$kondensator - Fälteffekt

Formelsamling för komponentfysik

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV

Lösningar Tenta

Definition 1a: En talföljd är en reell (eller komplex) funktion vars definitionsmängd är mängden av naturliga tal {0,1,2,3,4, }.

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Komponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Hålltider --- Ellära: Elektriska fält, potentialer och strömmar

Digital signalbehandling

Föreläsning 2 - Halvledare

Föreläsning 7. Signalbehandling i multimedia - ETI265. Kapitel 5. LTI system Signaler genom linjära system

Föreläsning 11 Fälteffekttransistor II

Föreläsning 6: Opto-komponenter

Fasta tillståndets fysik.

Tunnling. Förra gången: Spridning mot potentialbarriär. B T T + R = 1. Föreläsning 9. Potentialmodell (idealiserad): U = U B U = 0

Tentamen i komponentfysik Halvledare 6,0p. 2. Dioder 7,5p.

Digital signalbehandling Sampling och vikning på nytt

Föreläsning 12 Bipolära Transistorer II. Funk<on bipolär transistor

Komponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Varför Komponentfysik? Hålltider --- Ellära, Elektriska fält och potentialer

Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI240/0601 och FFF090

Beskrivande uppgifter: I: Vad skiljer det linjära området och mättnadsområdet i termer av inversionskanal?

Tentamen i komponentfysik

Halvledare. Transistorer, Förstärkare

Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III

Föreläsning 6: Opto-komponenter

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV

Digital signalbehandling

2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de två fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen.

CONSUMER PAYMENT REPORT SWEDEN

Välkomna till kursen i elektroniska material! Martin Leijnse

Välkomna till kursen i elektroniska material!

Förslag till beslut. Sammanfattning. Till Exploateringsnämnden

Föreläsning 1. Metall: joner + gas av klassiska elektroner =1/ ! E = J U = RI = A L R E = J = I/A. 1 2 mv2 th = 3 2 kt. Likafördelningslagen:

= BERÄKNING AV GRÄNSVÄRDEN ( då x 0 ) MED HJÄLP AV MACLAURINUTVECKLING. a) Maclaurins formel

Vårnatt. l l l l l l 2 4. f f f f 6 l 8 l l l l l 2 4 kz k s k k. l l l l l l 2 l l 4. k k k f k k k j kz kk k

FORD KA KA_202054_V8_2014_Cover.indd /01/ :04:46

Om inget annan anges gäller det rumstemperatur, d.v.s. T =300K, termisk jämvikt och värden som inte ges i uppgiften hämtas från formelsamlingen.

Hittills på kursen: E = hf. Relativitetsteori. vx 2. Lorentztransformationen. Relativistiskt dopplerskift (Rödförskjutning då källa avlägsnar sig)

som gör formeln (*) om vi flyttar första integralen till vänsterledet.

Utredande uppgifter. 2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de tre fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen.

Fysik TFYA68. Föreläsning 2/14

TRE KRONOR ISHOCKEY-VM I DANMARK 4 20 MAJ 2018 FÖLJ DOM SVENSKA VÄRLDSMÄSTARNA PÅ PLATS I KÖPENHAMN!

Föreläsning 6. Signalbehandling i multimedia - ETI265. Kapitel 4

TRE KRONOR ISHOCKEY-VM I DANMARK 4 20 MAJ 2018 FÖLJ DOM SVENSKA VÄRLDSMÄSTARNA PÅ PLATS I KÖPENHAMN!

Föreläsning 6. Signalbehandling i multimedia - ETI265. Kapitel 4

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2

Utredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod?

Elektronik 2017 EITA35

Med ett materials elektriska egenskaper förstår man helt allmänt dess ledningsförmåga, konduktans, och resistans Ohms lag:

Allmänt Materialfysik Ht Materials elektriska egenskaper 8.1 Bandstruktur. l A Allmänt. 8.1.

Materialfysik Ht Materials elektriska egenskaper 8.1 Bandstruktur

Elektronik 2018 EITA35

27. NATURLJUD. o k k o k k k. p k k k kz k k o k k k k k k n k k k. k o k. a f4 Fredrik: kk k. k dk. a f4 4 j. k n. k n k k. k n k n k n.

Föreläsning 6. Kapitel 4. Fouriertransform av analog signal, FT Fouriertransform av digital signal, DTFT fortsättning

VALLENTUNA KOMMUN Sammanträdesprotokoll 9 (19)

Definition av kraftelektronik

Recept och inspiration

Lösningar till BI

Introduktion till halvledarteknik

Föreläsning 10. Digital signalbehandling. Kapitel 7. Digitala FourierTransformen DFT. LTH 2011 Nedelko Grbic (mtrl. från Bengt Mandersson)

Umeå Universitet Institutionen för fysik Daniel Eriksson/Leif Hassmyr. Bestämning av e/m e

TENTAMEN I MATEMATIK MED MATEMATISK STATISTIK HF1004 TEN

Bränsleceller för truckar och fordon för interna transporter inom processindustrin

FyU02 Fysik med didaktisk inriktning 2 - kvantfysik

Rättade inlämningsuppgifter hämtas på Kents kontor Föreläsning 4 Må , Kent Palmkvist To ,

ERCO Hi-trac strömskena

( y) ( L) Beräkning av ström nmos: Lång kanal (L g >1µm) di dy. Oxid U GS U DS. Kanal. 0<U cs (y)<u DS. Lös med:

4. så många platser för fjäderfän, slaktsvin eller suggor att platserna tillsammans motsvarar mer än 200 djurenheter definierade som i 1.20.

R app o r t T A n a l y s a v f as t p r o v. Ut f ä r dad A le xa n d e r G i r on

HÅLPROFILER & SVETSAD TUB

Nanoelektronik. FAFA10 Kvantfenomen och nanostrukturer HT Martin Magnusson.

Physics to Go! Part 1. 2:a på Android

En krona dagen om dag ona om r e k n n E E n n k e g o r a d m o a n

Spolen. LE1460 Analog elektronik. Måndag kl i Omega. Allmänna tidsförlopp. Kapitel 4 Elkretsanalys.

BUFFÉ. Smedj an, 340. Gr öndal, 270 Fr i t t er s på gul a är t or kr yddade med kor i ander f r ön

Komponen'ysik Dan Hessman Lektor i fasta tillståndets fysik. Tel:

Referensexemplar. Vi önskar er Lycka till! 1. Välkommen till Frö-Retaget

Komponentfysik ESS030. Den bipolära transistorn

1. (a) (1 poäng) Rita i figuren en translationsvektor T som överför mönstret på sig själv.

om de är minst 8 år gamla

Rep. Kap. 27 som behandlade kraften på en laddningar från ett B-fält.

Stort massflöde Liten volym och vikt Hög verkningsgrad. Utföranden Kolv (7) Skruv (4) Ving (4) Roots (1,5) Radial (2-4) Axial (1,3) Diagonal.

Halvledare. Periodiska systemet (åtminstone den del som är viktig för en halvledarfysiker)

Elektriska och magnetiska fält Elektromagnetiska vågor

o n k o k t k t fk t ej k t ek t k t o n k k k k k k jz

Föreläsning 1. Elektronen som partikel (kap 2)

Sensorer, effektorer och fysik. Grundläggande fysikaliska begrepp som är viktiga inom mättekniken

Har du sett till att du:

Malmö stad, Gatukontoret, maj 2003 Trafiksäkra skolan är framtaget av Upab i Malmö på uppdrag av och i samarbete med Malmö stad, Gatukontoret.

Laboration 1a: En Trie-modul

Transkript:

Förläsig 4 p-övrgåg p-övrgåg Gomtri Bastruktur Ibygg späig och lktriskt fält Mark Rothko 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 1

Kompotfysik - Kursövrsikt Bipolära Trasistorr Optokompotr p-övrgåg: strömmar och kapacitasr Mi: Flash, RM MOSFET: strömmar MOSFET: laigar p-övrgåg: Ibygg späig och rymlaigsområ opig: -och p-typ matrial Laigsbärar: Elktror, hål och frmiivår Halvlarfysik: bastruktur och bagap Ellära: lktriska fält, pottialr och strömmar 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 2

- typ P - typ E Elktror E Elktror E c E c E g Joisra oator-atomr Positivt laa! E g Joisra accptor atomr gativt laa! Hål Hål koctratio av oatorr 0 koctratio av lktror Elktrora är rörliga och gativa oatoratomra sittr fast och är positivt laa koctratio av oatorr p p0 koctratio av lktror Hål är rörliga och positiva ccptoratomra sittr fast och är gativt laa 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 3

Mr om Frmi-Ergi, E F J J EF x EF 0 0 x rift+iffusiosström: Grait av E F Ig ström (jämvikt): E F är kostat P E C E F -U E F kostat:,p-sia bhövr ära si pottilla rgi! E F 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 4

Rkombiatio p 2 0 0 i Trmisk Jämvikt Om p > i 2: lktror ka rkombira m hål för att miska övrskottt! 0 = + 0 < + E C Tr lktror rkombirar: Kvar blir 3 positivt laa oatoratomr! p > p 0 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 5

Varför p-övrgåg? -typ io Lysio Solcll P-typ Emittr P BJT Bas -typ P -typ Kollktor MOSFET FET Sourc -typ Gat P-typ Substrat rai -typ 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 6

P-övrgåg? Hur ritar vi bastruktur? Ibyggt lktriskt fält Ibygg pottial Varför likriktar io? 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 7

Mkaisk alogi rift/iffusio i halvlar iffusio rift iffusiosflöt ka miskas av tt riftflö E pot 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 8

E P-övrgåg - bastruktur J x E c + Positiv oator atom - gativ ccptor atom -typ Fria lktror Fria Hål P-typ Stor iffusiosström Igt -fält ig riftström E c I ε U t ( x) x 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 9

2 miutrs övig : laigsförlig? ( x) ( x) ( x) p( x) Vilk total laigsförlig är korrkt?, B llr C? ( x) -typ x=0 P-typ B C (x) (x) (x) p p x p - - - x p x - - - 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 10

E P-övrgåg - bastruktur + Positiv oator atom - gativ ccptor atom Fria lktror Fria Hål E c -typ P-typ E c I ε U t ( x) x 2014-03-19 Förläsig 4 Kompotfysik 2014 11

E P-övrgåg - bastruktur E c + Positiv oator atom - gativ ccptor atom -typ Fria lktror Fria Hål P-typ E c tot 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 12

Ibygg Pottial, Ibygg Späig E P tot E c E c qu bi E F qu bi E Fp Rymlaigs områ U bi E F E Fp U bi U T l i l i Pottialbarriär för lktror och hål! 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 13

tot, p och max tot ( x) ε r 0 ε (x) x U ( x) (x) x Laig - fält Fält - Pottial p U ( p p ) U ( ) U bi x=- (m -3 ) x=0 X= p X= p Två obkata: och p Itgrra två gågr U(X) U bi = U( p )-U( ) x=- x=0 14 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014

Laig Fält Pottial - Ergi (m -3 ) U(x) (V) X= p X= p U bi x=- x=- x=0 x (V/m) X= p x C x=0 x=- x=0 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 15

tot, p och max Vi bhövr kua räka ut:, p, tot : bskrivr lvis ios kapacitas. Gr hur stor volym som solcll ka absorbra ljus + + + + + + + + + + + tot p - - - - - - - - - - - - - - - Maximala lktriska fältstyrka : Gombrottsspäig Iirkt Solcllr, fotoio x=- x=0 X= p 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014

tot, p och max 2014-03-19 17 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 2 2 0 2 ) ( ) ( p r bi p U U U U p U bi r U 0 2 1 bi r p U 0 2 1 bi r p tot U 0 2 p r r 0 0 ε max Maximal fältstyrka: Utarmigsområt läg:

P-övrgåg! Bastruktur för p-övrgåg Ibyggt lktriskt fält Ibygg späig Varför likriktar io? 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 18

io - likriktig P J ε kt x I V I = I 0 (xp(v a /V T )-1) 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 19

io framspäig miskar -fältt P J ε kt x I E pot =-U a U a V U a I = I 0 (xp(v a /V T )-1) - U a + 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 20

io backspäig ökar -fältt P J ε kt x I U a E pot =-U a V -U a I 0 + U a - 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 21

P-övrgåg! Bastruktur för p-övrgåg Ibyggt lktriskt fält Ibygg späig Varför likriktar io? 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014 22

Sammafattig: ya btckigar U bi : ibygg pottial, späig (V) U t : trmisk späig: kt/=25.8mv vi T=300K : utarmigsläg på -sia (m) p : utarmigsläg på p-sia (m) tot = + p : total utarmigsläg (m) max : maximal fältstyrka i p-övrgåg 23 2014-03-19 Förläsig 4, Kompotfysik 2014