Orientering i praktisk digital kretskonstruktion. Introduktion till ledningar i digitala system. Ledningsmodeller

Storlek: px
Starta visningen från sidan:

Download "Orientering i praktisk digital kretskonstruktion. Introduktion till ledningar i digitala system. Ledningsmodeller"

Transkript

1 FÖRELÄSNING 9 Orientering i praktisk digital kretskonstruktion Introduktion till ledningar i digitala system Ledningsmodeller Introduktion till reflektioner i förlustfria ledningar Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 1(45)

2 Orientering i praktisk digital kretskonstruktion Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 2(45)

3 Klassiskt: OLIKA SÄTT ATT BYGGA DIGITALA SYSTEM 1(2) Kretskort med diskreta logikkretsar: på utdöende, mest för reservdelar och när man inte har stora krav och/eller resurser för utveckling: - TTL: bipolär teknik med låga impedanser = ström är signalbärare. - CMOS: MOS-teknik med höga inimpedanser = spänning är signalbärare. Modernt: Kretskort med egenhändigt utvecklade IC-kretsar (kretskortet är underordnat IC-kretsarna) här kommer ni jobba som avancerade konstruktörer: - CPLD & FPGA: programmerbar funktion i fördefinierad kiselbricka. - ASIC: chips som konstruktören låter tillverka från tom kiselbricka. Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 3(45)

4 Klassiskt: OLIKA SÄTT ATT BYGGA DIGITALA SYSTEM 2(2) Prestanda som hastighet och effekt var av lägre betydelse: man hade fullt upp att få till funktion och störmarginaler. Eftersom datablad låg till grund för konstruktion räknade man mycket för hand, och fick på köpet bra känsla för elektriska beteenden. Försvagad designintuition är en fara för framtidens konstruktioner. Modernt: Idag byggs elektroniken till stor del i simulatormiljöer, där funktion, störmarginal, hastighet, effekt, etc går hand i hand. Dock: när det verkligen gäller så bygger man riktiga prototyper, för simuleringar är ändock bara simuleringar. Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 4(45)

5 KRAFTFÖRSÖRJNING V = L V DD + - di dt Synkrona system har höga toppströmmar då alla grindar slår om samtidigt. Kraftförsörjningens ledningar (DC-skenor) agerar induktans = de reagerar långsamt på snabba strömförlopp. Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 5(45)

6 AVKOPPLING V SS 0 V V DD + - V SS 0 V Kapacitansen fungerar som en buffert av laddning som utnyttjas när den yttre spänningskällan inte kan försörja kretsarna (när den inte hinner med). Avkoppla mycket och på många ställen, med olika storlek och typ av C. Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 6(45)

7 KRAFTDISTRIBUTION OCH ELEKTROMIGRATION När man konstruerar ledningar för kraftförsörjning kan stora strömmar dra (atomer) materialet med sig och skapa avbrott i ledningsmönstret: Elektromigration. - Bredda ledningen! Inom chipskonstruktion (chips har tunnare ledningar än ett kretskort har, så chipset är känsligare) brukar riktlinjen på maxström (DC) vara 1 ma per µm ledningsbredd. Trenden mot lägre matningsspänningar för med sig att strömmarna ökar, eftersom effektförbrukningen tyvärr sällan minskas (trots att matningsspänningen minskas just för att minska effektförbrukningen). Alltså ökar risken för elektromigration. Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 7(45)

8 FOTON AV ELEKTROMIGRATIONENS FÖLJDER... Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 8(45)

9 KRAFTDISTRIBUTION OCH SPÄNNINGSFALL 1(2) Även en ledare har resistans, så när stora strömmar går genom en ledning för kraftförsörjning gör resistansen att ett spänningsfall skapas över ledningen. V DD och V SS kommer alltså inte att vara lika stort överallt! - Problemet accentueras i system som har låg matningsspänning. Ännu en gång så är det chipsen som är känsligast, t.ex. i en 1 cm lång ledning skulle spänningsfallet kunna överstiga 0,5 V (vid slapp design!). Man kan bredda ledaren, för att minska resistansen. - Risken finns att en breddning utnyttjas till att öka strömmen proportionellt med bredden! Då skulle vi vara tillbaka vid samma spänningsfall som innan bredden ökades :-( Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 9(45)

10 KRAFTDISTRIBUTION OCH SPÄNNINGSFALL 2(2) Det bästa sättet att hålla nere spänningsfallet är att minimera ledningslängder på kraftförsörjningen. Ett exempel på teknik är s.k. fingrade ledningar: V DD V SS Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 10(45)

11 KLOCKNING - V(OLTAGE) C(ONTROLLED) O(SCILLATOR) En klockgenerator kan byggas mer eller mindre analog: En analog/digital krets är ringoscillatorn. Udda antal inverteringar krävs! (Tänk i termer av fasförskjutning) bias Fördröjningen i varje individuellt kretselement justeras med en biasspänning (därav VCO). Elementen kallas strömstrypta inverterare. bias Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 11(45)

12 EN FASLÅST SLINGA (PLL) Referensklocka Laddningspump Fasdetektor Loopfilter VCO Buffert PLL:en låser fasen i VCO:n till den externa referensklockan, så den internt genererade klockan har sina flanker synkroniserade med referensklockan. Referensklockan kommer från kretskortet och är i storleksordningen 100 MHz, medan den interna klockan kan ligga i storlekordningen 1 GHz. Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 12(45)

13 KLOCKSKEV När man arbetar med ett digitalt system gäller det att kunna synkronisera vissa (många) klockfaser, vilket ofta sker genom att man har en referensklocka med ganska låg frekvens till vilken andra klocksignalers faser (t.ex. en stigande flank) kalibreras genom en PLL. Inuti t.ex. ett chips får man dock se till att hålla klocksignalerna synkrona utan att använda PLL:er i parti och minut. - Detta är inte lätt för antagandet att två klocksignaler som går åt olika håll i exakt lika långa ledare får samma fördröjning... är fel. S.k. klockskev uppstår på grund av... - att de belastande kapacitanserna (i ändarna av resp. klockledning) är olika. - variationer i kanallängder, i V T, i dielektrikats tjocklek, i V DD, och i temperatur. - oförutsägbara kopplingskapacitanser och rena designfel. Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 13(45)

14 EXEMPEL PÅ KLOCKDISTRIBUTION - H-TRÄDET klocka buffert Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 14(45)

15 Introduktion till ledningar i digitala system Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 15(45)

16 KLOCKPERIOD OCH LOGIKUTVÄRDERING Vi har maximalt en klockperiod på oss att utvärdera logik mellan vippor/register. Ledningar mellan grindar har stor inverkan på fördröjningar och kan leda till att elektroniken inte fungerar korrekt (beräkningen hinns ej klart i tid). klocka klocka vippa Logik/grindar vippa Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 16(45)

17 NÄR LJUSHASTIGHETEN BLIR ETT HINDER... 1(3) Klockcykelns längd sätter alltså en gräns för hur lång tid logikkretsarna har på sig att räkna färdigt sina Booleska uttryck. Vid 3,73 GHz klockas kärnan i en P4 vid dubbla frekvensen (= 7,46 GHz), vilket ger en periodtid på 134 ps. Hur långt kan en chipssignal nå på 134 ps? P4-chipset till höger har en yta på 135 mm 2, eller 10,7 x 12,6 mm. Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 17(45)

18 NÄR LJUSHASTIGHETEN BLIR ETT HINDER... 2(3) I vakuum är ljushastigheten c = m/s. När en elektrisk växelspänningssignal färdas på en förlustfri chipsledning bestämmer emellertid dielektrikat runt ledningen maxhastigheten. Vi kan skriva den maximala hastigheten c som v = ε r Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 18(45)

19 NÄR LJUSHASTIGHETEN BLIR ETT HINDER... 3(3) För SiO 2 är ε r = 3,9 och maxhastigheten blir då ca m/s. Med denna hastighet når man på 134 ps ungefär 20 mm! 1. Det finns ledningar som är längre än 20 mm på vanliga chips idag! 2. Och vad värre är... man kommer sällan upp i maxhastigheten! Maxhastigheten ovan är bara möjlig att uppnå i s.k. förlustfria ledningar, d.v.s. de som har R = 0 Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 19(45)

20 MODERN METALLSTRUKTUR PÅ IC C ε w ledning = t oxid Lågt ε ger låga kapacitanser! Intels första 90-nm process (2002): Koldopad kiseldioxid med ε r = 2,9 maxhastighet = m/s vår tänkta P4-extreme ed -signal kan nu som mest nå 24 mm inom en klockcykel, istället för de 20 mm som den nådde i SiO 2! Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 20(45)

21 TRENDEN MOT SMALARE OCH HÖGRE LEDNINGAR... Sidokapacitanser Ledningarna skalas ned i bredd sidokapacitanser dominerar Metallager längre från jordplan, och ledningar allt tätare packade s.k. överhörning påverkar allt mer Överhörning! Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 21(45)

22 MODERN TILLVERKNINGSPROCESS (5 METALL-LAGER) Notera att ledningarna längst ned har mycket liten tvärsnittsyta, vilket leder till hög resistivitet. Detta är en av nackdelarna med skalning. Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 22(45)

23 MODERN TILLVERKNINGSPROCESS (7 METALL-LAGER) Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 23(45)

24 EN LEDNINGS ANATOMI OCH PROBLEMET MED SKALNING De nedre lagrens ledningar har liten tvärsnittyta resistansen är stor! spacing R( le 1 ) = ρ wt t l C( le 1 ) = ε w t oxid t spacing w w och t oxid skalas kontinuerligt ned med en faktor ~0,7 per chipsgeneration. t skalas däremot inte ned lika kraftigt, eftersom R skulle öka för snabbt annars. Alltså, per längdenhet är C konstant med skalningen, medan R ökar! Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 24(45)

25 VAD GÖR MAN OM LEDNINGEN ÄR FÖR LÅNGSAM? 1(2) CHIP För långsam ledning Med s.k. repeater-insertion kan man förstärka upp en signal så att fördröjningen minskar. Denna metod fungerar bara om ledningen har förluster. Använder man för många repeatrar ökar fördröjningen! Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 25(45)

26 VAD GÖR MAN OM LEDNINGEN ÄR FÖR LÅNGSAM? 2(2) CHIP För långsam ledning Pipelinad buss funkar för alla sorters ledningar: Man överger kravet på att kommunikationen sker inom en enda klockcykel. Nackdelen är att latensen (= antal cykler över ledningen) ökar, vilket skapar helt nya, och aldrig positiva, förutsättningar för arkitekturnivån. Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 26(45)

27 Ledningsmodeller Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 27(45)

28 NÄR ALLT ÄR ENKELT V in V ut Vi betraktar ett kretsschema där en CMOS-inverterare driver en annan CMOS-inverterare. Vi antar att den första inverteraren ska slå om sin utgång från 0 till 1. Schemat antyder att det finns en fysisk ledning mellan grindarna, men att denna ledning är försumbar i analysen. Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 28(45)

29 SVÅRIGHETER? V in V ut R C grind Fördröjningen beror av R C grind, där den drivande PMOS:en har en inre impedans R (ON-resistansen månntro?) och där C grind är summan av kapacitanser från gateterminalerna: Ledningen är här i vår analys fortfarande ideal. Men tänk om grindarna är långt ifrån varann i verkligheten? Kanske fördröjningen genom ledningen är jämförbar med grindarnas fördröjning? Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 29(45)

30 ETT FALL OCH EN LÖSNING V in C V ut R C C grind Med en punktformig kapacitans som modell för den långa ledningen ska inte bara den belastande grinden (C grind ) laddas upp utan också ledningens C. Nu beror fördröjningen av R (C+C grind ). Denna situation är mycket vanlig i CMOS. Viktigt: Signalen etableras samtidigt över hela ledningen. Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 30(45)

31 V in NYA SVÅRIGHETER? Symbol för distribuerad RC-ledning V ut R r r r r c c c c C grind Ibland uppvisar ledare ett distribuerat beteende. Vi har en transmissionsledning! Viktigt: Signalen etableras först vid ledningens ingång, men sedan dröjer det innan signalen dyker upp på utgången. Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 31(45)

32 PUNKTFORMIG ELLER DISTRIBUERAD? Av engelskans lumped kan man skapa begreppet punktformig. Detta synsätt betyder att en komponent eller en ledning inte innehåller några distribuerade beteenden. Ett distribuerat beteende hittar vi främst hos ledningar, och att det blir ett aktuellt synsätt kommer sig av ett av tre skäl: 1. Stig- och/eller falltiden liten = ledningen upplevs lång av signalflanken (av intresse i digital konstruktion). 2. Ledningen är mycket lång jämfört med signalperioden (av intresse i telefonledningar och kraftledningar för högspänning). 3. Komponenten vi betraktar har en storlek som är i samma härad som våglängden på signalen (av intresse i mikrovågsteknik). Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 32(45)

33 V in x = 0 STIG- OCH/ELLER FALLTID x = X V ut 0,9 V DD V in t d Tumregel: När t r < 2,5 t d måste man se på ledningen som distribuerad. Denna punkt (av de tre) är den i särklass viktigaste för digitala konstruktioner. 0,1 V DD tr En chipssignal håller farten ~ c 2 och idag kan t r vara nere vid 10 ps! Denna stigtid kräver distribuerat tänkande för t d > 4 ps L > c. 2-4 ps = 0,6 mm Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 33(45)

34 EN DISTRIBUERAD LEDNING I I I I I I V V V V V V Spänningar och strömmar tar sig fram i ledningen som en vågfront. I varje punkt utefter ledningen kan man roa sig med att hitta V I, för denna representerar en slags impedans i varje punkt: man kallar denna den karakteristiska impedansen (ofta Z 0 ). Skulle t.ex. I i två närliggande segment skilja sig åt, medan V är densamma, betyder det att den karakteristiska impedansen varierar längs ledningen. Detta har stor betydelse för digital elektronikkonstruktion, eftersom digitala signaler reflekteras vid impedansövergångar! Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 34(45)

35 EN GENERELL MODELL AV ETT LEDNINGSSEGMENT Koaxial är bara ett exempel Notera: R, L, G och C ges alla per längdenhet dx r = R dx dx l = L dx c = C dx g = G dx Konduktansen G anger hur stort strömläckaget mellan signal och jord är; man kan se det som att dielektrikat läcker. Vi kommer snart försumma G. Om förlusterna anses vara små, d.v.s. R är liten och G är försumbar, kan man förenkla modellen till en LC-modell. Detta är fallet med koaxialkabeln. Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 35(45)

36 TELEGRAFEKVATIONERNA 1(2) dx i(x, t) r = R dx l = L dx i(x+dx, t) + + v(x, t) c = C dx g = G dx v(x+dx, t) - - v( x+ dx, t) v( x, t) = [ R dx] i( x, t) [ L dx] i( x, t) t i( x+ dx, t) i( x, t) = [ G dx] v( x+ dx, t) [ C dx] v( x+ dx, t) t Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 36(45)

37 TELEGRAFEKVATIONERNA 2(2) Använd Taylorutveckling omkring x, d.v.s. vi låter dx 0. Nu erhåller vi telegrafekvationerna: - - v( x, t) x = R + L i( x, t) t i( x, t) x = G + C v( x, t) t Beroende på vilken ledning man har, kan man sätta vissa av de ingående variablerna till noll, och få olika lösningar på ekvationerna. Under nästa föreläsning kommer vi i mer detalj gå igenom två kategorier av ledningsmodeller: ledningar med förluster respektive förlustfria ledningar. Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 37(45)

38 LEDNING MED FÖRLUSTER - DISTRIBUERAD RC-LEDNING in r r r r ut c c c c Vi säger att ledningsmodellen har förluster. Används som modell för tunna, resistiva ledare; ofta i de lägre metallagren på chips. Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 38(45)

39 SIMULERING AV RC-LÄNK Panel ,00m 900,00m 800,00m 700,00m 600,00m 500,00m 400,00m in R ut 300,00m C 200,00m 100,00m 0,00 0, , n 1, u Time (lin) (TIME) 1, u Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 39(45)

40 SIMULERING AV LRC-LÄNK 1,20 Panel 1 1, ,00m 900,00m 800,00m 700,00m 600,00m 500,00m 400,00m 300,00m in R L C ut 200,00m 100,00m 0,00 0, , n 1, u Time (lin) (TIME) 1, u Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 40(45)

41 FÖRLUSTFRI LEDNING - DISTRIBUERAD LC-LEDNING in l l l l ut c c c c I verkliga konstruktioner finns det förstås alltid någon liten resistans i ledningen, men LC-ledningen har så framträdande induktiva egenskaper att de resistiva egenskaperna kan försummas. Vi säger att ledningsmodellen är förlustfri. Används som modell för breda ledare som transporterar signaler med branta flanker; på kretskort eller i övre metallager på chips. Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 41(45)

42 Introduktion till reflektioner i förlustfria ledningar Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 42(45)

43 VIKTEN AV ATT AVSLUTA EN LEDNING in l l l l ut c c c c Z L Vi testar med att lämna utgången öppen, d.v.s. Z L är oändligt stor in l l l l ut c c c c Z L = Z 0 Vi testar också med att hänga på en matchad utgångslast, Z L = Z 0 Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 43(45)

44 ÖPPEN UTGÅNG - Z L 6,00 Panel 1 5,00 4,00 3,00 2,00 1,00 0,00-1,00-2,00-3,00-4,00 0, ,000000u 4,000000u Time (lin) (TIME) Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 44(45)

45 RÄTT TERMINERAD UTGÅNG - Z L = Z 0 Panel 1 1,20 1,00 800,00m 600,00m 400,00m 200,00m 0,00-200,00m 0, ,000000u 4,000000u Time (lin) (TIME) Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 45(45)

EEM076 ELEKTRISKA KRETSAR OCH FÄLT

EEM076 ELEKTRISKA KRETSAR OCH FÄLT EEM076 ELEKTRISKA KRETSAR OCH FÄLT Föreläsning: Ledningar Professor Per Larsson-Edefors VLSI Research Group Chalmers tekniska högskola perla@chalmers.se Per Larsson-Edefors, Datorteknik, Chalmers tekniska

Läs mer

Ledningar med förluster. Förlustfria ledningar. Rum-tid-diagram. Bergerondiagram. Appendix: Härledning av Bergerondiagrammet

Ledningar med förluster. Förlustfria ledningar. Rum-tid-diagram. Bergerondiagram. Appendix: Härledning av Bergerondiagrammet FÖRELÄSNING 10 Ledningar med förluster Förlustfria ledningar Rum-tid-diagram Bergerondiagram Appendix: Härledning av Bergerondiagrammet Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik

Läs mer

FÖRELÄSNING 3. Förstärkaren. Arbetspunkten. Olika lastresistanser. Småsignalsschemat. Föreläsning 3

FÖRELÄSNING 3. Förstärkaren. Arbetspunkten. Olika lastresistanser. Småsignalsschemat. Föreläsning 3 FÖRELÄSNING 3 Förstärkaren Arbetspunkten Olika lastresistanser Småsignalsschemat Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 1(36) Förstärkaren (S&S4 1.4, 5.2, 5.4, 5.5, 5.6/

Läs mer

Olika sätt att bygga förstärkare. Differentialförstärkaren (översikt) Strömspegeln. Till sist: Operationsförstärkaren

Olika sätt att bygga förstärkare. Differentialförstärkaren (översikt) Strömspegeln. Till sist: Operationsförstärkaren FÖRELÄSNING 12 Olika sätt att bygga förstärkare Differentialförstärkaren (översikt) Strömspegeln Till sist: Operationsförstärkaren Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik

Läs mer

Förstärkarens högfrekvensegenskaper. Återkoppling och stabilitet. Återkoppling och förstärkning/bandbredd. Operationsförstärkare.

Förstärkarens högfrekvensegenskaper. Återkoppling och stabilitet. Återkoppling och förstärkning/bandbredd. Operationsförstärkare. FÖRELÄSNING 5 Förstärkarens högfrekvensegenskaper Återkoppling och stabilitet Återkoppling och förstärkning/bandbredd Operationsförstärkare Kaskadkoppling Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola

Läs mer

Impedans och impedansmätning

Impedans och impedansmätning 2016-09- 14 Impedans och impedansmätning Impedans Många givare baseras på förändring av impedans Temperatur Komponentegenskaper Töjning Resistivitetsmätning i jordlager.... 1 Impedans Z = R + jx R = Resistans

Läs mer

Grindar och transistorer

Grindar och transistorer Föreläsningsanteckningar Föreläsning 17 - Digitalteknik I boken: nns ej med Grindar och transistorer Vi ska kort beskriva lite om hur vi kan bygga upp olika typer av grindar med hjälp av transistorer.

Läs mer

FÖRELÄSNING 8. Översikt på mikrochipsteknologi. I/O-kretsar. Mikrochipstillverkning. Föreläsning 8

FÖRELÄSNING 8. Översikt på mikrochipsteknologi. I/O-kretsar. Mikrochipstillverkning. Föreläsning 8 FÖRELÄSNING 8 Översikt på mikrochipsteknologi I/O-kretsar Mikrochipstillverkning Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 1(37) Översikt på mikrochipsteknologi (S&S4+5 Appendix

Läs mer

Avkoppla rätt en kvantitativ undersökning av parasitinduktans hos olika layoutalternativ

Avkoppla rätt en kvantitativ undersökning av parasitinduktans hos olika layoutalternativ Avkoppla rätt en kvantitativ undersökning av parasitinduktans hos olika layoutalternativ Per Magnusson, Signal Processing Devices Sweden AB, per.magnusson@spdevices.com Gunnar Karlström, BK Services, gunnar@bkd.se

Läs mer

Fördröjningsminimering vid buffring. ON-resistansen. Energiåtgång och effektförbrukning i CMOS. RAM-minnet

Fördröjningsminimering vid buffring. ON-resistansen. Energiåtgång och effektförbrukning i CMOS. RAM-minnet FÖRELÄSNING 7 Fördröjningsminimering vid buffring ON-resistansen Energiåtgång och effektförbrukning i CMOS RAM-minnet Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik 1(41) Fördröjningsminimering

Läs mer

CMOS-inverteraren. CMOS-logik. Parasitiska kapacitanser. CMOS-variationer: Pseudo-NMOS och PTL

CMOS-inverteraren. CMOS-logik. Parasitiska kapacitanser. CMOS-variationer: Pseudo-NMOS och PTL FÖRELÄSNING 6 CMOS-inverteraren CMOS-logik Parasitiska kapacitanser CMOS-variationer: Pseudo-NMOS och PTL Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola ED351 Kretselektronik 1(46) CMOS-inverteraren (S&S4:

Läs mer

Avkoppling. av parasiter hos olika avkopplingslayouter. Gunnar Karlström, BK Services. - BK Services, konsult, tekniskt ansvarig för EMClabbet

Avkoppling. av parasiter hos olika avkopplingslayouter. Gunnar Karlström, BK Services. - BK Services, konsult, tekniskt ansvarig för EMClabbet Avkoppling undersökning av parasiter hos olika avkopplingslayouter Presentation Gunnar Karlström, BK Services - BK Services, konsult, tekniskt ansvarig för EMClabbet Per Magnusson, SP Devices - SP Devices,

Läs mer

nmosfet och analoga kretsar

nmosfet och analoga kretsar nmosfet och analoga kretsar Erik Lind 22 november 2018 1 MOSFET - Struktur och Funktion Strukturen för en nmosfet (vanligtvis bara nmos) visas i fig. 1(a). Transistorn består av ett p-dopat substrat och

Läs mer

Impedans! och! impedansmätning! Temperatur! Komponentegenskaper! Töjning! Resistivitetsmätning i jordlager!.!.!.!.!

Impedans! och! impedansmätning! Temperatur! Komponentegenskaper! Töjning! Resistivitetsmätning i jordlager!.!.!.!.! Impedans och impedansmätning Impedans Temperatur Komponentegenskaper Töjning Resistivitetsmätning i jordlager.... Impedans Z = R + jx R = Resistans = Re(Z), X = Reaktans = Im(Z) Belopp Fasvinkel Impedans

Läs mer

FÖRELÄSNING 13. Sekvenskretsar - vippor och latchar. Digitalt konstruktionsexempel. Föreläsning 13

FÖRELÄSNING 13. Sekvenskretsar - vippor och latchar. Digitalt konstruktionsexempel. Föreläsning 13 FÖRELÄSNING 3 Sekvenskretsar - vippor och latchar Digitalt konstruktionsexempel Per Larsson-Edefors, Chalmers tekniska högskola ED35 Kretselektronik (49) Sekvenskretsar - vippor och latchar (S&S4 3.7/S&S5.)

Läs mer

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen april 2006

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen april 2006 24 april 2006 (9) Institutionen för elektrovetenskap Daniel Sjöberg ETE5 Ellära och elektronik, tentamen april 2006 Tillåtna hjälpmedel: formelsamling i kretsteori. OBS! Ny version av formelsamlingen finns

Läs mer

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D Lars-Erik ederlöf Per Liljas Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ET 03 för D 200-08-20 Tentamen omfattar 40 poäng, 2 poäng för varje uppgift. 20 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet hjälpmedel

Läs mer

Institutionen för elektrisk mätteknik

Institutionen för elektrisk mätteknik Institutionen för elektrisk mätteknik TENTAMEN EMC, störningar och störningsbekämpning 2005-06-01 14-17 Del 1 består av kortsvarsfrågor som ger en poäng för rätt svar och löses utan hjälp av bok under

Läs mer

3.4 RLC kretsen. 3.4.1 Impedans, Z

3.4 RLC kretsen. 3.4.1 Impedans, Z 3.4 RLC kretsen L 11 Växelströmskretsar kan ha olika utsende, men en av de mest använda är RLC kretsen. Den heter så eftersom den har ett motstånd, en spole och en kondensator i serie. De tre komponenterna

Läs mer

Införa begreppen ström, strömtäthet och resistans Ohms lag Tillämpningar på enkla kretsar Energi och effekt i kretsar

Införa begreppen ström, strömtäthet och resistans Ohms lag Tillämpningar på enkla kretsar Energi och effekt i kretsar Kapitel: 25 Ström, motstånd och emf (Nu lämnar vi elektrostatiken) Visa under vilka villkor det kan finnas E-fält i ledare Införa begreppet emf (electromotoric force) Beskriva laddningars rörelse i ledare

Läs mer

Digital elektronik och inbyggda system

Digital elektronik och inbyggda system Digital elektronik och inbyggda system Per Larsson-Edefors perla@chalmers.se Digital elektronik och inbyggda system, 2019 Sida 1 Ett inbyggt system är uppbyggt kring en eller flera processorer, med en

Läs mer

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D Lars-Erik Cederlöf Per Liljas Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D1 2001-05-28 Tentamen omfattar 40 poäng, 2 poäng för varje uppgift. 20 poäng ger godkänd tentamen. Tillåtet

Läs mer

Experiment med schmittrigger

Experiment med schmittrigger dlab00a Experiment med schmittrigger Namn Datum Handledarens sign. Varför denna laboration? Schmittriggern är en mycket användbar koppling inom såväl analog- som digitaltekniken. Ofta används den för att

Läs mer

Impedans och impedansmätning

Impedans och impedansmätning Impedans och impedansmätning Impedans Många givare baseras på förändring av impedans Temperatur Komponentegenskaper Töjning Resistivitetsmätning i jordlager.... 1 Impedans Z = R + jx R = Resistans = Re(Z),

Läs mer

Tentamen Elektronik för F (ETE022)

Tentamen Elektronik för F (ETE022) Tentamen Elektronik för F (ETE022) 2008-08-28 Tillåtna hjälpmedel: formelsamling i kretsteori, ellära och elektronik. Tal 1 En motor är kopplad till en spänningsgenerator som ger spänningen V 0 = 325 V

Läs mer

ETEF15 Krets- och mätteknik, fk Fältteori och EMC föreläsning 3

ETEF15 Krets- och mätteknik, fk Fältteori och EMC föreläsning 3 ETEF15 Krets- och mätteknik, fk Fältteori och EMC föreläsning 3 Daniel Sjöberg daniel.sjoberg@eit.lth.se Institutionen for Elektro- och informationsteknik Lunds universitet Oktober 2013 Outline 1 Introduktion

Läs mer

Systemkonstruktion LABORATION LOGIK

Systemkonstruktion LABORATION LOGIK Systemkonstruktion LABORATION LOGIK Laborationsansvarig: Anders Arvidsson Utskriftsdatum: 2005-04-26 Syfte Denna laboration syftar till att visa några av logikkretsarnas analoga egenskaper. Genom att experimentera

Läs mer

Tentamen ETE115 Ellära och elektronik för F och N,

Tentamen ETE115 Ellära och elektronik för F och N, Tentamen ETE5 Ellära och elektronik för F och N, 2009 0602 Tillåtna hjälpmedel: formelsamling i kretsteori och elektronik. Observera att uppgifterna inte är ordnade i svårighetsordning. Alla lösningar

Läs mer

Laboration 2 Instrumentförstärkare och töjningsgivare

Laboration 2 Instrumentförstärkare och töjningsgivare Laboration 2 Instrumentförstärkare och töjningsgivare 1 1 Introduktion Denna laboration baseras på två äldre laborationer (S4 trådtöjningsgivare samt Instrumentförstärkare). Syftet med laborationen är

Läs mer

Sammanfattning av kursen ETIA01 Elektronik för D, Del 1 (föreläsning 1-6)

Sammanfattning av kursen ETIA01 Elektronik för D, Del 1 (föreläsning 1-6) Sammanfattning av kursen ETIA01 Elektronik för D, Del 1 (föreläsning 1-6) Kapitel 1: sid 1 37 Definitioner om vad laddning, spänning, ström, effekt och energi är och vad dess enheterna är: Laddningsmängd

Läs mer

Vi börjar med en vanlig ledare av koppar.

Vi börjar med en vanlig ledare av koppar. Vi börjar med en vanlig ledare av koppar. [Från Wikipedia] Skineffekt är tendensen hos en växelström (AC) att omfördela sig inom en elektrisk ledare så att strömtätheten är störst nära ledarens yta, och

Läs mer

Sammanfattning av kursen ETIA01 Elektronik för D, Del 1 (föreläsning 1-10)

Sammanfattning av kursen ETIA01 Elektronik för D, Del 1 (föreläsning 1-10) Sammanfattning av kursen ETIA0 Elektronik för D, Del (föreläsning -0) Kapitel : sid 37 Definitioner om vad laddning, spänning, ström, effekt och energi är och vad dess enheterna är: Laddningsmängd q mäts

Läs mer

Tentamen i Elektronik för F, 13 januari 2006

Tentamen i Elektronik för F, 13 januari 2006 Tentamen i Elektronik för F, 3 januari 006 Tillåtna hjälpmedel: Formelsamling i kretsteori, miniräknare Du har fått tag på 6 st glödlampor från USA. Tre av dem visar 60 W och tre 40 W. Du skall nu koppla

Läs mer

Laborationshandledning

Laborationshandledning Laborationshandledning Utbildning: ED Ämne: TNE094 Digitalteknik och konstruktion Laborationens nummer och titel: Nr 5 Del A: Schmittrigger Del B: Analys av sekvensnät Laborant: E-mail: Medlaboranters

Läs mer

Sammanfattning av likströmsläran

Sammanfattning av likströmsläran Innehåll Sammanfattning av likströmsläran... Testa-dig-själv-likströmsläran...9 Felsökning.11 Mätinstrument...13 Varför har vi växelström..17 Växelspännings- och växelströmsbegrepp..18 Vektorräknig..0

Läs mer

Signalbehandling, förstärkare och filter F9, MF1016

Signalbehandling, förstärkare och filter F9, MF1016 Signalbehandling, förstärkare och filter F9, MF1016 Signalbehandling, inledning Förstärkning o Varför förstärkning. o Modell för en förstärkare. Inresistans och utresistans o Modell för operationsförstärkaren

Läs mer

EDI615 Tekniska gränssnitt Fältteori och EMC föreläsning 4

EDI615 Tekniska gränssnitt Fältteori och EMC föreläsning 4 EDI615 Tekniska gränssnitt Fältteori och EMC föreläsning 4 Daniel Sjöberg daniel.sjoberg@eit.lth.se Institutionen för elektro- och informationsteknik Lunds universitet April 2013 Outline 1 Introduktion

Läs mer

Du behöver inte räkna ut några siffervärden, svara med storheter som V 0 etc.

Du behöver inte räkna ut några siffervärden, svara med storheter som V 0 etc. (8) 27 augusti 2008 Institutionen för elektro- och informationsteknik Daniel Sjöerg ETE5 Ellära och elektronik, tentamen augusti 2008 Tillåtna hjälpmedel: formelsamling i kretsteori, ellära och elektronik.

Läs mer

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen januari 2008

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen januari 2008 januari 2008 (8) Institutionen för elektro och informationsteknik Daniel Sjöberg ETE5 Ellära och elektronik, tentamen januari 2008 Tillåtna hjälpmedel: formelsamling i kretsteori. Observera att uppgifterna

Läs mer

MOSFET:ens in- och utimpedanser. Småsignalsmodeller. Spänning- och strömstyrning. Stora signaler. MOSFET:ens högfrekvensegenskaper

MOSFET:ens in- och utimpedanser. Småsignalsmodeller. Spänning- och strömstyrning. Stora signaler. MOSFET:ens högfrekvensegenskaper FÖRELÄSNING 4 MOSFET:ens in och utimpedanser Småsignalsmodeller Spänning och strömstyrning Stora signaler MOSFET:ens högfrekvensegenskaper Per LarssonEdefors, Chalmers tekniska högskola EDA351 Kretselektronik

Läs mer

Undersökning av logiknivåer (V I

Undersökning av logiknivåer (V I dlab002a Undersökning av logiknivåer (V I Namn Datum Handledarens sign. Laboration Varför denna laboration? Vid såväl konstruktion som felsökning och reparation av digitala kretskort är det viktigt att

Läs mer

Digitala kretsars dynamiska egenskaper

Digitala kretsars dynamiska egenskaper dlab00a Digitala kretsars dynamiska egenskaper Namn Datum Handledarens sign. Laboration Varför denna laboration? Mycket digital elektronik arbetar med snabb dataöverföring och strömförsörjs genom batterier.

Läs mer

Ett urval D/A- och A/D-omvandlare

Ett urval D/A- och A/D-omvandlare Ett urval D/A- och A/D-omvandlare Om man vill ansluta en mikrodator (eller annan digital krets) till sensorer och givare så är det inga problem så länge givarna själva är digitala. Strömbrytare, reläer

Läs mer

Förstärkning Large Signal Voltage Gain A VOL här uttryckt som 8.0 V/μV. Lägg märke till att förstärkningen är beroende av belastningsresistans.

Förstärkning Large Signal Voltage Gain A VOL här uttryckt som 8.0 V/μV. Lägg märke till att förstärkningen är beroende av belastningsresistans. Föreläsning 3 20071105 Lambda CEL205 Analoga System Genomgång av operationsförstärkarens egenskaper. Utdelat material: Några sidor ur datablad för LT1014 LT1013. Sidorna 1,2,3 och 8. Hela dokumentet (

Läs mer

Tentamen i El- och vågrörelselära,

Tentamen i El- och vågrörelselära, Tentamen i El- och vågrörelselära, 204 08 28. Beräkna den totala kraft på laddningen q = 7.5 nc i origo som orsakas av laddningarna q 2 = 6 nc i punkten x,y) = 5,0) cm och q 3 = 0 nc i x,y) = 3,4) cm.

Läs mer

Tentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 5 april 2013

Tentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 5 april 2013 Tentamen i Elektronik för E (del ), ESS00, 5 april 03 Tillåtna hjälpmedel: Formelsamling i kretsteori. Spänningen mv och strömmen µa mäts upp på ingången till en linjär förstärkare. Tomgångsspänningen

Läs mer

Elektroakustik Något lite om analogier

Elektroakustik Något lite om analogier Elektroakustik 2003-09-02 10.13 Något lite om analogier Svante Granqvist 2002 Något lite om analogier När man räknar på mekaniska system behöver man ofta lösa differentialekvationer och dessutom tänka

Läs mer

Laboration 4: Tidsplan, frekvensplan och impedanser. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum

Laboration 4: Tidsplan, frekvensplan och impedanser. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum Laboration 4: Tidsplan, frekvensplan och impedanser Decibel Ett relativt mått på effekt, med enheten [db]: Man kan också mäta absoluta värden genom att relatera till en referens: Impedans på ingång och

Läs mer

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II Föreläsning 9 ipolära Transistorer Funktion bipolär transistor Småsignal-modell Hybrid-p Designparametrar 1 Komponentfysik - Kursöversikt ipolära Transistorer pn-övergång: kapacitanser Optokomponenter

Läs mer

Sensorer, effektorer och fysik. Grundläggande fysikaliska begrepp som är viktiga inom mättekniken

Sensorer, effektorer och fysik. Grundläggande fysikaliska begrepp som är viktiga inom mättekniken Sensorer, effektorer och fysik Grundläggande fysikaliska begrepp som är viktiga inom mättekniken Innehåll Grundläggande begrepp inom mekanik. Elektriskt fält och elektrisk potential. Gauss lag Dielektrika

Läs mer

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen oktober 2006

ETE115 Ellära och elektronik, tentamen oktober 2006 (2) 9 oktober 2006 Institutionen för elektrovetenskap Daniel Sjöberg ETE5 Ellära och elektronik, tentamen oktober 2006 Tillåtna hjälpmedel: formelsamling i kretsteori. Observera att uppgifterna inte är

Läs mer

Elektroteknikens grunder Laboration 1

Elektroteknikens grunder Laboration 1 Elektroteknikens grunder Laboration 1 Grundläggande ellära Elektrisk mätteknik Elektroteknikens grunder Laboration 1 1 Mål Du skall i denna laboration få träning i att koppla elektriska kretsar och att

Läs mer

ETEF15 Krets- och mätteknik, fk Fältteori och EMC föreläsning 3

ETEF15 Krets- och mätteknik, fk Fältteori och EMC föreläsning 3 ETEF15 Krets- och mätteknik, fk Fältteori och EMC föreläsning 3 Daniel Sjöberg daniel.sjoberg@eit.lth.se Institutionen for Elektro- och informationsteknik Lunds universitet Oktober 2014 Outline 1 Introduktion

Läs mer

Denna PCB-layout har optimerat länden på ledarna för att undvika skillnader i fördröjning.

Denna PCB-layout har optimerat länden på ledarna för att undvika skillnader i fördröjning. Denna PCB-layout har optimerat länden på ledarna för att undvika skillnader i fördröjning. En transmissionslinje för två ledare utgör i verkligheten en rad små induktanser och kapacitanser. Detta gör att

Läs mer

Tentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 11 januari 2013

Tentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 11 januari 2013 Tentamen i Elektronik för E (del ), ESS00, januari 03 Tillåtna hjälpmedel: Formelsamling i kretsteori. Du har en mikrofon som kan modelleras som en spänningskälla i serie med en resistans. Du vill driva

Läs mer

Elektronik 2017 EITA35

Elektronik 2017 EITA35 Elektronik 2017 EITA35 OP-Amp Komplex Återkoppling. Klippning. Maximal spänning/ström. Gain-bandwidthproduct. Offset. Slewrate Avkopplingskondensator Transistorer - MOSFETs Lab 4 Anmälan på hemsidan Projektnummer

Läs mer

Q I t. Ellära 2 Elektrisk ström, kap 23. Eleonora Lorek. Ström. Ström är flöde av laddade partiklar.

Q I t. Ellära 2 Elektrisk ström, kap 23. Eleonora Lorek. Ström. Ström är flöde av laddade partiklar. Ellära 2 Elektrisk ström, kap 23 Eleonora Lorek Ström Ström är flöde av laddade partiklar. Om vi har en potentialskillnad, U, mellan två punkter och det finns en lämplig väg rör sig laddade partiklar i

Läs mer

Figur 1 Konstant ström genom givaren R t.

Figur 1 Konstant ström genom givaren R t. Automationsteknik Övning givaranpassning () Givaranpassning Givare baseras ofta på att ett materials elektriska egenskaper förändras när en viss fysikalisk storhet förändras. Ett exempel är temperaturmätning

Läs mer

Laboration 6. A/D- och D/A-omvandling. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum

Laboration 6. A/D- och D/A-omvandling. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum Laboration 6 A/D- och D/A-omvandling A/D-omvandlare Digitala Utgång V fs 3R/2 Analog Sample R R D E C O D E R P/S Skiftregister R/2 2 N-1 Komparatorer Digital elektronik Halvledare, Logiska grindar Digital

Läs mer

Blinkande LED med 555:an, två typkopplingar.

Blinkande LED med 555:an, två typkopplingar. Blinkande LED med 555:an, två typkopplingar. När vi börjar att koppla med lysdioder, är det kul att prova lite ljuseffekter. En sådan effekt är olika blinkande lysdioder. Det finns flera möjligheter att

Läs mer

ETEF15 Krets- och mätteknik, fk Fältteori och EMC föreläsning 3

ETEF15 Krets- och mätteknik, fk Fältteori och EMC föreläsning 3 ETEF15 Krets- och mätteknik, fk Fältteori och EMC föreläsning 3 Daniel Sjöberg daniel.sjoberg@eit.lth.se Institutionen for Elektro- och informationsteknik Lunds universitet Oktober 2012 Outline 1 Introduktion

Läs mer

T1-modulen Lektionerna Radioamatörkurs OH6AG Bearbetning och översättning: Thomas Anderssén, OH6NT Heikki Lahtivirta, OH2LH

T1-modulen Lektionerna Radioamatörkurs OH6AG Bearbetning och översättning: Thomas Anderssén, OH6NT Heikki Lahtivirta, OH2LH T1-modulen Lektionerna 13-15 Radioamatörkurs - 2011 Bearbetning och översättning: Thomas Anderssén, OH6NT Original: Heikki Lahtivirta, OH2LH 1 Spolar gör större motstånd ju högre strömmens frekvens är,

Läs mer

Digitalteknik F9. Automater Minneselement. Digitalteknik F9 bild 1

Digitalteknik F9. Automater Minneselement. Digitalteknik F9 bild 1 Digitalteknik F9 Automater Minneselement Digitalteknik F9 bild Automater Från F minns vi följande om en automat (sekvenskrets): Utsignalerna beror av insignal och gammalt tillstånd: Insignaler Utsignaler

Läs mer

Elektronik 2018 EITA35

Elektronik 2018 EITA35 Elektronik 2018 EITA35 Föreläsning 2 lp2 VV, VI, IV och IV genom återkoppling Inverterande VV 1 Information Elektroniska Frågor börjar denna veckan! Tentan är rättad väntar på att resultat ska läggas in

Läs mer

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2 Moment 1 - Analog elektronik Föreläsning 2 Transistorn del 2 Jan Thim 1 F2: Transistorn del 2 Innehåll: Fälteffekttransistorn - JFET Karakteristikor och parametrar MOSFET Felsökning 2 1 Introduktion Fälteffekttransistorer

Läs mer

Andra ordningens kretsar

Andra ordningens kretsar Andra ordningens kretsar Svängningskretsar LCR-seriekrets U L (t) U s U c (t) U R (t) L di(t) dt + Ri(t) + 1 C R t0 i(t)dt + u c (0) = U s LCR-seriekrets För att undvika integralen i ekvationen, så deriverar

Läs mer

1 Grundläggande Ellära

1 Grundläggande Ellära 1 Grundläggande Ellära 1.1 Elektriska begrepp 1.1.1 Ange för nedanstående figur om de markerade delarna av kretsen är en nod, gren, maska eller slinga. 1.2 Kretslagar 1.2.1 Beräknar spänningarna U 1 och

Läs mer

F5 Introduktion till digitalteknik

F5 Introduktion till digitalteknik Exklusiv eller XOR F5 Introduktion till digitalteknik EDAA05 Roger Henriksson Jonas Wisbrant På övning 2 stötte ni på uttrycket x = (a b) ( a b) som kan utläsas antingen a eller b, men inte både a och

Läs mer

Svar och Lösningar. 1 Grundläggande Ellära. 1.1 Elektriska begrepp. 1.2 Kretslagar Svar: e) Slinga. f) Maska

Svar och Lösningar. 1 Grundläggande Ellära. 1.1 Elektriska begrepp. 1.2 Kretslagar Svar: e) Slinga. f) Maska Svar och ösningar Grundläggande Ellära. Elektriska begrepp.. Svar: a) Gren b) Nod c) Slinga d) Maska e) Slinga f) Maska g) Nod h) Gren. Kretslagar.. Svar: U V och U 4 V... Svar: a) U /, A b) U / Ω..3 Svar:

Läs mer

5:2 Digitalteknik Boolesk algebra. Inledning OCH-funktionen

5:2 Digitalteknik Boolesk algebra. Inledning OCH-funktionen 5:2 Digitalteknik Boolesk algebra. Inledning I en dator representeras det binära talsystemet med signaler i form av elektriska spänningar. 0 = 0 V (låg spänning), 1 = 5 V(hög spänning). Datorn kombinerar

Läs mer

Tentamen i Elektronik för E, 8 januari 2010

Tentamen i Elektronik för E, 8 januari 2010 Tentamen i Elektronik för E, 8 januari 200 Tillåtna hjälpmedel: Formelsamling i kretsteori Tvåpol C A I V Du har tillgång till en multimeter som kan ställas in som voltmeter eller amperemeter. Voltmeter

Läs mer

4. Elektromagnetisk svängningskrets

4. Elektromagnetisk svängningskrets 4. Elektromagnetisk svängningskrets L 15 4.1 Resonans, resonansfrekvens En RLC krets kan betraktas som en harmonisk oscillator; den har en egenfrekvens. Då energi tillförs kretsen med denna egenfrekvens

Läs mer

Transistorn en omkopplare utan rörliga delar

Transistorn en omkopplare utan rörliga delar Transistorn en omkopplare utan rörliga delar Gate Source Drain Principskiss för SiGe transistor (KTH) Varför CMOS? CMOS-Transistorer är enkla att tillverka CMOS-Transistorer är gjorda av vanlig sand =>

Läs mer

10. Kretsar med långsamt varierande ström

10. Kretsar med långsamt varierande ström 1. Kretsar med långsamt varierande ström [RMC] Elektrodynamik, ht 25, Krister Henriksson 1.1 1.1. Villkor för långsamt varierande I detta kapitel behandlas den teori som kan användas för att analysera

Läs mer

Så sparas ström i dagens åttabitare

Så sparas ström i dagens åttabitare ELEKTRONIK TIDNINGEN Arne Martin Holberg projektchef Atmel Andreas Eieland produktmarknadschef Atmel Så sparas ström i dagens åttabitare Hur dagens styrkretsar är konstruerade för låg strömförbrukning,

Läs mer

Lektion 1: Automation. 5MT001: Lektion 1 p. 1

Lektion 1: Automation. 5MT001: Lektion 1 p. 1 Lektion 1: Automation 5MT001: Lektion 1 p. 1 Lektion 1: Dagens innehåll Electricitet 5MT001: Lektion 1 p. 2 Lektion 1: Dagens innehåll Electricitet Ohms lag Ström Spänning Motstånd 5MT001: Lektion 1 p.

Läs mer

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV PMOS Småsignal FET A, f t MOS- Kondensator D/MOS- kamera Flash- minne 1 PMOS U Gate U - 0.V 1.0V 0.4V Source Isolator SiO Drain U - 1V P ++ N- typ semiconductor P ++

Läs mer

EDI615 Tekniska gränssnitt Fältteori och EMC föreläsning 3

EDI615 Tekniska gränssnitt Fältteori och EMC föreläsning 3 EDI615 Tekniska gränssnitt Fältteori och EMC föreläsning 3 Daniel Sjöberg daniel.sjoberg@eit.lth.se Institutionen för elektro- och informationsteknik Lunds universitet April 2014 Outline 1 Introduktion

Läs mer

Digital IC konstruktion

Digital IC konstruktion Digital IC konstruktion Viktor Öwall Transistorn: en förstärkare Power Supply Korrekt? gate drain source En transistor kan användas på många olika sätt, t.ex. för att förstärka en elektrisk signal. Ground

Läs mer

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 1 den 18 oktober, 2010, kl

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 1 den 18 oktober, 2010, kl Institutionen för Elektro och informationsteknik, LTH Tentamen i Elektronik, ESS00, del den 8 oktober, 00, kl. 08.00.00 Ansvariga lärare: Anders Karlsson, tel. 40 89, 07 98 (kursexp. 90 0). arje uppgift

Läs mer

Föreläsning 8. MOS transistorn. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM

Föreläsning 8. MOS transistorn. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM Föreläsning 8 MOS transistorn Förstärkare med MOS transistorn t Exempel, enkel förstärkare med MOS IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM 1 Varför MOS transistorn Förstå en grundläggande komponent

Läs mer

Föreläsning 8. Ohms lag (Kap. 7.1) 7.1 i Griffiths

Föreläsning 8. Ohms lag (Kap. 7.1) 7.1 i Griffiths 1 Föreläsning 8 7.1 i Griffiths Ohms lag (Kap. 7.1) i är bekanta med Ohms lag i kretsteori som = RI. En mer generell framställning är vårt mål här. Sambandet mellan strömtätheten J och den elektriska fältstyrkan

Läs mer

Vad är en UART? Universal Asynchronous Receiver Transmitter parallella seriella parallell åttabitars signal mest signifikant bit

Vad är en UART? Universal Asynchronous Receiver Transmitter parallella seriella parallell åttabitars signal mest signifikant bit Vad är en UART? Beteckningen UART är en förkortning för det engelska uttrycket Universal Asynchronous Receiver Transmitter, vilket översatt till svenska blir ungefär Universell Asynkron Mottagare/Sändare.

Läs mer

Elektriska och elektroniska fordonskomponenter. Föreläsning 4 & 5

Elektriska och elektroniska fordonskomponenter. Föreläsning 4 & 5 Elektriska och elektroniska fordonskomponenter Föreläsning 4 & 5 Kondensatorn För att lagra elektrisk laddning Användning Att skydda brytarspetsarna (laddas upp istället för att gnistan bildas) I datorminnen

Läs mer

Induktans Induktans Induktans Induktans

Induktans Induktans Induktans Induktans 71! 72! Spole med resistans R och med N varv! i! N v! För ett varv gäller! v ett varv = R ett varv " i + d# Seriekoppling ger! v = R " i + d#! är det sammanlänkade flödet och är summan av flödena genom

Läs mer

Spänningsstyrd Oscillator

Spänningsstyrd Oscillator Spänningsstyrd Oscillator Referat I det här projektet byggs en delkrets till frekvensneddelare för oscilloskop som inte har tillräcklig bandbredd för dagens höga frekvenser. Kretsen som byggs är en spänningsstyrd

Läs mer

Elektriska komponenter och kretsar. Emma Björk

Elektriska komponenter och kretsar. Emma Björk Elektriska komponenter och kretsar Emma Björk Elektromotorisk kraft Den mekanism som alstrar det E-fält som driver runt laddningarna i en sluten krets kallas emf(electro Motoric Force trots att det ej

Läs mer

Digital IC konstruktion

Digital IC konstruktion Digital IC konstruktion Viktor Öwall Transistorn: en förstärkare Power Supply Korrekt? gate drain source En transistor kan användas på många olika sätt, t.ex. för att förstärka en elektrisk signal. Ground

Läs mer

Kortslutningsströmmar i lågspänningsnät Detta är ett nedkortat utdrag ur kursdokumentation.

Kortslutningsströmmar i lågspänningsnät Detta är ett nedkortat utdrag ur kursdokumentation. 1(7) Kortslutningsströmmar i lågspänningsnät Detta är ett nedkortat utdrag ur kursdokumentation. Enligt punkt 434.1 i SS 4364000 ska kortslutningsströmmen bestämmas i varje punkt så erfordras. Bestämningen

Läs mer

Antennförstärkare för UHF-bandet

Antennförstärkare för UHF-bandet Radioprojekt 2009 ETI 041 Kursansvarig: Göran Jönsson Antennförstärkare för UHF-bandet I denna rapport konstrueras en antennförstärkare för UHF-bandet. Rapporten berör de teoretiska delarna, såsom simuleringar,

Läs mer

Laborationshandledning

Laborationshandledning Laborationshandledning Utbildning: ED Ämne: TNGE11 Digitalteknik Laborationens nummer och titel: Nr 5 Del A: Schmittrigger Del B: Analys av sekvensnät Laborant: E-mail: Medlaboranters namn: Handledarens

Läs mer

Chalmers Tekniska Högskola Tillämpad Fysik Igor Zoric

Chalmers Tekniska Högskola Tillämpad Fysik Igor Zoric Chalmers Tekniska Högskola 2002 05 28 Tillämpad Fysik Igor Zoric Tentamen i Fysik för Ingenjörer 2 Elektricitet, Magnetism och Optik Tid och plats: Tisdagen den 28/5 2002 kl 8.45-12.45 i V-huset Examinator:

Läs mer

IE1206 Inbyggd Elektronik

IE1206 Inbyggd Elektronik IE1206 Inbyggd Elektronik F1 F3 F4 F2 Ö1 Ö2 PIC-block Dokumentation, Seriecom Pulsgivare I, U, R, P, serie och parallell KK1 LAB1 Pulsgivare, Menyprogram Start för programmeringsgruppuppgift Kirchhoffs

Läs mer

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007.

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007. Tekniska Högskolan i Lund Institutionen för Elektrovetenskap Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007. Uppgifterna i tentamen ger totalt

Läs mer

Grundläggande ellära - - 1. Induktiv och kapacitiv krets. Förberedelseuppgifter. Labuppgifter U 1 U R I 1 I 2 U C U L + + IEA Lab 1:1 - ETG 1

Grundläggande ellära - - 1. Induktiv och kapacitiv krets. Förberedelseuppgifter. Labuppgifter U 1 U R I 1 I 2 U C U L + + IEA Lab 1:1 - ETG 1 IEA Lab 1:1 - ETG 1 Grundläggande ellära Motivering för laborationen: Labmomenten ger träning i att koppla elektriska kretsar och att mäta med oscilloskop och multimetrar. Den ger också en koppling till

Läs mer

- Digitala ingångar och framförallt utgångar o elektrisk modell

- Digitala ingångar och framförallt utgångar o elektrisk modell Elektroteknik för MF1016. Föreläsning 8 Mikrokontrollern ansluts till omvärden. - Analoga ingångar, A/D-omvandlare o upplösningen och dess betydelse. o Potentiometer som gasreglage eller volymratt. o Förstärkning

Läs mer

Tentamen i Elektronik, ESS010, del1 4,5hp den 19 oktober 2007 klockan 8:00 13:00 För de som är inskrivna hösten 2007, E07

Tentamen i Elektronik, ESS010, del1 4,5hp den 19 oktober 2007 klockan 8:00 13:00 För de som är inskrivna hösten 2007, E07 Tentamen i Elektronik, ESS00, del 4,5hp den 9 oktober 007 klockan 8:00 :00 För de som är inskrivna hösten 007, E07 Tekniska Högskolan i Lund Institutionen för Elektrovetenskap Tentamen i Elektronik, ESS00,

Läs mer

1. Skriv Ohm s lag. 2. Beräkna strömmen I samt sätt ut strömriktningen. 3. Beräkna resistansen R. 4. Beräkna spänningen U över batteriet..

1. Skriv Ohm s lag. 2. Beräkna strömmen I samt sätt ut strömriktningen. 3. Beräkna resistansen R. 4. Beräkna spänningen U över batteriet.. ÖVNNGSPPGFTER - ELLÄRA 1. Skriv Ohm s lag. 2. Beräkna strömmen samt sätt ut strömriktningen. 122 6V 3. Beräkna resistansen R. R 0,75A 48V 4. Beräkna spänningen över batteriet.. 40 0,3A 5. Vad händer om

Läs mer

IE1204 Digital Design

IE1204 Digital Design IE1204 Digital Design F1 F3 F2 F4 Ö1 Booles algebra, Grindar MOS-teknologi, minimering F5 F6 Ö2 Aritmetik Ö3 KK1 LAB1 Kombinatoriska kretsar F7 F8 Ö4 F9 Ö5 Multiplexor KK2 LAB2 Låskretsar, vippor, FSM

Läs mer