Föreläsning 4 pn-övergången

Relevanta dokument
Föreläsning 4 pn-övergången

Föreläsning 8 pn- övergången

Föreläsning 5 pn-övergången II: Spänning&ström

Föreläsning 3 Extrinsiska Halvledare

Föreläsning 7 pn-övergången III

Föreläsning 3 Extrinsiska Halvledare

Föreläsning 10 (MOS)-Fälteffekttransistor I

Pla$kondensator - Fälteffekt

Föreläsning 10 pn- övergången III

Föreläsning 2 - Halvledare

Formelsamling för komponentfysik. eller I = G U = σ A U L Småsignalresistans: R = du di. där: σ = 1 ρ ; = N D + p n 0

Definition 1a: En talföljd är en reell (eller komplex) funktion vars definitionsmängd är mängden av naturliga tal {0,1,2,3,4, }.

Föreläsning 7. Signalbehandling i multimedia - ETI265. Kapitel 5. LTI system Signaler genom linjära system

Formelsamling för komponentfysik

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV

Lösningar Tenta

Digital signalbehandling

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Komponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Hålltider --- Ellära: Elektriska fält, potentialer och strömmar

Föreläsning 2 - Halvledare

Föreläsning 11 Fälteffekttransistor II

Föreläsning 6: Opto-komponenter

Tunnling. Förra gången: Spridning mot potentialbarriär. B T T + R = 1. Föreläsning 9. Potentialmodell (idealiserad): U = U B U = 0

Fasta tillståndets fysik.

Digital signalbehandling Sampling och vikning på nytt

Föreläsning 12 Bipolära Transistorer II. Funk<on bipolär transistor

Komponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Varför Komponentfysik? Hålltider --- Ellära, Elektriska fält och potentialer

Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI240/0601 och FFF090

Halvledare. Transistorer, Förstärkare

Tentamen i komponentfysik Halvledare 6,0p. 2. Dioder 7,5p.

som gör formeln (*) om vi flyttar första integralen till vänsterledet.

Tentamen i komponentfysik

Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III

= BERÄKNING AV GRÄNSVÄRDEN ( då x 0 ) MED HJÄLP AV MACLAURINUTVECKLING. a) Maclaurins formel

Föreläsning 6: Opto-komponenter

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV

Beskrivande uppgifter: I: Vad skiljer det linjära området och mättnadsområdet i termer av inversionskanal?

Digital signalbehandling

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2

CONSUMER PAYMENT REPORT SWEDEN

Föreläsning 6. Signalbehandling i multimedia - ETI265. Kapitel 4

Föreläsning 6. Signalbehandling i multimedia - ETI265. Kapitel 4

Välkomna till kursen i elektroniska material! Martin Leijnse

Välkomna till kursen i elektroniska material!

Vårnatt. l l l l l l 2 4. f f f f 6 l 8 l l l l l 2 4 kz k s k k. l l l l l l 2 l l 4. k k k f k k k j kz kk k

Föreläsning 1. Metall: joner + gas av klassiska elektroner =1/ ! E = J U = RI = A L R E = J = I/A. 1 2 mv2 th = 3 2 kt. Likafördelningslagen:

Förslag till beslut. Sammanfattning. Till Exploateringsnämnden

Om inget annan anges gäller det rumstemperatur, d.v.s. T =300K, termisk jämvikt och värden som inte ges i uppgiften hämtas från formelsamlingen.

Hittills på kursen: E = hf. Relativitetsteori. vx 2. Lorentztransformationen. Relativistiskt dopplerskift (Rödförskjutning då källa avlägsnar sig)

FORD KA KA_202054_V8_2014_Cover.indd /01/ :04:46

E F. pn-övergång. Ferminivåns temperaturberoende i n-dopade halvledare. egen ledning. störledning

2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de två fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen.

Har du sett till att du:

Föreläsning 6. Kapitel 4. Fouriertransform av analog signal, FT Fouriertransform av digital signal, DTFT fortsättning

Fysik TFYA68. Föreläsning 2/14

Bränsleceller för truckar och fordon för interna transporter inom processindustrin

om X har följande sannolikhetsfunktion λ λ . Då gäller a) väntevärdet E(X) = λ b) variansen σ = λ och därmed c) standardavvikelsen σ = λ

27. NATURLJUD. o k k o k k k. p k k k kz k k o k k k k k k n k k k. k o k. a f4 Fredrik: kk k. k dk. a f4 4 j. k n. k n k k. k n k n k n.

Elektronik 2017 EITA35

Med ett materials elektriska egenskaper förstår man helt allmänt dess ledningsförmåga, konduktans, och resistans Ohms lag:

Allmänt Materialfysik Ht Materials elektriska egenskaper 8.1 Bandstruktur. l A Allmänt. 8.1.

Materialfysik Ht Materials elektriska egenskaper 8.1 Bandstruktur

Utredande uppgifter. 2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de tre fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen.

VALLENTUNA KOMMUN Sammanträdesprotokoll 9 (19)

Föreläsning 10. Digital signalbehandling. Kapitel 7. Digitala FourierTransformen DFT. LTH 2011 Nedelko Grbic (mtrl. från Bengt Mandersson)

Affärsnätverka framgångsrikt

Inledande matematisk analys. 1. Utred med bevis vilket eller vilka av följande påståenden är sana:

TENTAMEN I MATEMATIK MED MATEMATISK STATISTIK HF1004 TEN

Umeå Universitet Institutionen för fysik Daniel Eriksson/Leif Hassmyr. Bestämning av e/m e

TRE KRONOR ISHOCKEY-VM I DANMARK 4 20 MAJ 2018 FÖLJ DOM SVENSKA VÄRLDSMÄSTARNA PÅ PLATS I KÖPENHAMN!

TRE KRONOR ISHOCKEY-VM I DANMARK 4 20 MAJ 2018 FÖLJ DOM SVENSKA VÄRLDSMÄSTARNA PÅ PLATS I KÖPENHAMN!

FyU02 Fysik med didaktisk inriktning 2 - kvantfysik

ERCO Hi-trac strömskena

Rättade inlämningsuppgifter hämtas på Kents kontor Föreläsning 4 Må , Kent Palmkvist To ,

Introduktion till halvledarteknik

( y) ( L) Beräkning av ström nmos: Lång kanal (L g >1µm) di dy. Oxid U GS U DS. Kanal. 0<U cs (y)<u DS. Lös med:

HÅLPROFILER & SVETSAD TUB

Tentamenn. som har. del II. Handbook av Råde. Del I. Modul 1. fasporträttt. x 2 är en 0, x. Sida 1 av 25

Tryckkärl (ej eldberörda) Unfired pressure vessels

R app o r t T A n a l y s a v f as t p r o v. Ut f ä r dad A le xa n d e r G i r on

4. så många platser för fjäderfän, slaktsvin eller suggor att platserna tillsammans motsvarar mer än 200 djurenheter definierade som i 1.20.

Nanoelektronik. FAFA10 Kvantfenomen och nanostrukturer HT Martin Magnusson.

Physics to Go! Part 1. 2:a på Android

En krona dagen om dag ona om r e k n n E E n n k e g o r a d m o a n

Komponen'ysik Dan Hessman Lektor i fasta tillståndets fysik. Tel:

Utredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod?

Komponentfysik ESS030. Den bipolära transistorn

BUFFÉ. Smedj an, 340. Gr öndal, 270 Fr i t t er s på gul a är t or kr yddade med kor i ander f r ön

Stort massflöde Liten volym och vikt Hög verkningsgrad. Utföranden Kolv (7) Skruv (4) Ving (4) Roots (1,5) Radial (2-4) Axial (1,3) Diagonal.

om de är minst 8 år gamla

Rep. Kap. 27 som behandlade kraften på en laddningar från ett B-fält.

TENTAMEN Kurs: HF1903 Matematik 1, Moment: TEN2 (analys) Datum: Lördag, 9 jan 2016 Skrivtid 13:00-17:00

Halvledare. Periodiska systemet (åtminstone den del som är viktig för en halvledarfysiker)

o n k o k t k t fk t ej k t ek t k t o n k k k k k k jz

Elektriska och magnetiska fält Elektromagnetiska vågor

Grundläggande matematisk statistik

Föreläsning 1. Elektronen som partikel (kap 2)

Sensorer, effektorer och fysik. Grundläggande fysikaliska begrepp som är viktiga inom mättekniken

FÖRELÄSNING 13: Analoga o Digitala filter. Kausalitet. Stabilitet. Ex) på användning av analoga filter = tidskontinuerliga filter

Transkript:

Förläsig 4 p-övrgåg p-övrgåg Gomtri Bastruktur Ibygg späig och lktriskt fält 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2013 1

Kompotfysik - Kursövrsikt Bipolära Trasistorr Optokompotr p-övrgåg: strömmar och kapacitasr Mi: Flash, RM MOSFET: strömmar MOSFET: laigar p-övrgåg: Ibygg späig och rymlaigsområ opig: -och p-typ matrial Laigsbärar: Elktror, hål och frmiivår Halvlarfysik: bastruktur och bagap Ellära: lktriska fält, pottialr och strömmar 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2013 2

- typ P - typ E Elktror E Elktror E c E c E g Joisra oator-atomr Positivt laa! E g Joisra accptor atomr gativt laa! Hål Hål koctratio av oatorr 0 koctratio av lktror Elktrora är rörliga och gativa oatoratomra sittr fast och är positivt laa koctratio av oatorr p p0 koctratio av lktror Hål är rörliga och positiva ccptoratomra sittr fast och är gativt laa 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2013 3

Mr om Frmi-Ergi, E F J J EF x EF 0 0 x rift+iffusiosström: Grait av E F Ig ström (jämvikt): E F är kostat P E C E F -U E F kostat:,p-sia bhövr ära si pottilla rgi! E F 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2013 4

Rkombiatio p 2 0 0 i Trmisk Jämvikt Om p > i 2: lktror ka rkombira m hål för att miska övrskottt! 0 = + 0 < + E C Tr lktror rkombirar: Kvar blir 3 positivt laa oatoratomr! p > p 0 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2013 5

Varför p-övrgåg? ags förläsig: Var aväs p-övrgåg? Ibygg pottialskilla Utarmigsområ Ibyggt lktriskt fält Formlr för tr paramtrar som karaktrisrar p-övrgåg: Ibyggt pottialskilla. Ibyggt lktriskt fält. Utarmigs (rymlaigs) läg. 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2011 6

Varför p-övrgåg? -typ io Lysio Solcll P-typ Emittr P BJT Bas -typ P -typ Kollktor MOSFET FET Sourc -typ Gat P-typ Substrat rai -typ 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2011 7

Mkaisk alogi - iffusiosströmmar i halvlar Vatthöj, E F Höjskilla pottill rgi iffusiosström tt flö av vatt frå västr högr. Höjskilla styr flöt. 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2013 8

E P-övrgåg - bastruktur J x E c + Positiv oator atom - gativ ccptor atom -typ Fria lktror Fria Hål P-typ Stor iffusiosström Igt -fält ig riftström E c I ε U t ( x) x 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2013 9

1 miuts övig : laigsförlig? ( x) ( x) ( x) p( x) Vilk total laigsförlig är korrkt?, B llr C? ( x) -typ x=0 P-typ B C (x) (x) (x) p p x p - - - x p x - - - 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2013 10

E P-övrgåg - bastruktur + Positiv oator atom - gativ ccptor atom Fria lktror Fria Hål E c -typ P-typ E c I ε U t ( x) x 2013-03-28 Förläsig 4 Kompotfysik 2013 11

E P-övrgåg - bastruktur E c + Positiv oator atom - gativ ccptor atom -typ Fria lktror Fria Hål P-typ E c tot 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2013 12

Ibygg Pottial, Ibygg Späig E P tot E c E c qu bi E F qu bi E Fp Rymlaigs områ U bi E F E Fp U bi U T l i l i Pottialbarriär för lktror och hål! 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2013 13

io - likriktig P J ε kt x I V I = I 0 (xp(v a /V T )-1) 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2013 14

io - framspäig P J ε kt x I E pot =-U a U a V U a I = I 0 (xp(v a /V T )-1) - U a + 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2013 15

io - backspäig P J ε kt x I U a E pot =-U a V -U a I 0 + U a - 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2013 16

tot, p och max Vi bhövr kua räka ut:, p, tot : bskrivr lvis ios kapacitas. Gr hur stor volym som solcll ka absorbra ljus + + + + + + + + + + + tot p - - - - - - - - - - - - - - - Maximala lktriska fältstyrka : Gombrottsspäig Iirkt Solcllr, fotoio x=- x=0 X= p 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2013

tot, p och max tot ( x) ε r 0 ε (x) x U ( x) (x) x Laig - fält Fält - Pottial p U ( p p ) U ( ) U bi x=- (m -3 ) x=0 X= p X= p Två obkata: och p Itgrra två gågr U(X) U bi = U( p )-U( ) x=- x=0 18 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2013

Laig Fält Pottial - Ergi (m -3 ) U(x) (V) X= p X= p U bi x=- x=- x=0 x (V/m) X= p x C x=0 x=- x=0 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2013 19

tot, p och max 2013-03-28 20 Förläsig 4, Kompotfysik 2013 2 2 0 2 ) ( ) ( p r bi p U U U U p U bi r U 0 2 1 bi r p U 0 2 1 bi r p tot U 0 2 p r r 0 0 ε max Maximal fältstyrka: Utarmigsområt läg:

Sammafattig: ya btckigar U bi : ibygg pottial, späig (V) U t : trmisk späig: kt/=25.8mv vi T=300K : utarmigsläg på -sia (m) p : utarmigsläg på p-sia (m) tot = + p : total utarmigsläg (m) max : maximal fältstyrka i p-övrgåg 21 2013-03-28 Förläsig 4, Kompotfysik 2013