Pla$kondensator - Fälteffekt

Relevanta dokument
( y) ( L) Beräkning av ström nmos: Lång kanal (L g >1µm) di dy. Oxid U GS U DS. Kanal. 0<U cs (y)<u DS. Lös med:

Föreläsning 11 Fälteffekttransistor II

Föreläsning 10 (MOS)-Fälteffekttransistor I

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV

Beskrivande uppgifter: I: Vad skiljer det linjära området och mättnadsområdet i termer av inversionskanal?

Föreläsning 13 Fälteffekttransistor III

nmosfet och analoga kretsar

Formelsamling för komponentfysik. eller I = G U = σ A U L Småsignalresistans: R = du di. där: σ = 1 ρ ; = N D + p n 0

Elektronik 2017 EITA35

Formelsamling för komponentfysik

Föreläsning 3 Extrinsiska Halvledare

Föreläsning 8. MOS transistorn. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM

Laboration 6. A/D- och D/A-omvandling. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum

Föreläsning 8. MOS transistorn Förstärkare med MOS transistorn Exempel, enkel förstärkare med MOS. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT VT11/BM

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2

Tentamen i komponentfysik

Föreläsning 8 pn- övergången

Tentamen i Komponentfysik ESS030, ETI240/0601 och FFF090

12. Kort om modern halvledarteknologi

12. Kort om modern halvledarteknologi

Föreläsning 3 Extrinsiska Halvledare

Föreläsning 11 Bipolära Transistorer I. BJT Bipolar JuncDon Transistor. FunkDon bipolär transistor. DC operadon, strömförstärkning

FÖRELÄSNING 3. Förstärkaren. Arbetspunkten. Olika lastresistanser. Småsignalsschemat. Föreläsning 3

Föreläsning 7 Fälteffek1ransistor IV

12. Kort om modern halvledarteknologi

E F. pn-övergång. Ferminivåns temperaturberoende i n-dopade halvledare. egen ledning. störledning

Lösningar Tenta

2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de två fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen.

Föreläsning 8 Bipolära Transistorer I

Digital IC konstruktion

Formelsamling i kretsteori, ellära och elektronik

Elektronik. MOS-transistorn. Översikt. Då och nu. MOS-teknologi. Lite historik nmosfet Arbetsområden pmosfet CMOS-inverterare NOR- och NAND-grindar

Föreläsning 8 Bipolära Transistorer I

Nanoelektronik. FAFA10 Kvantfenomen och nanostrukturer HT Martin Magnusson.

Halvledare. Transistorer, Förstärkare

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 14 dec 2009 klockan 14:00 19:00.

CMOS-inverteraren. CMOS-logik. Parasitiska kapacitanser. CMOS-variationer: Pseudo-NMOS och PTL

Formelsamling i kretsteori, ellära och elektronik

Digital IC konstruktion

Utredande uppgifter. 2: Räkna ut utsträckningen av rymdladdningsområdet i de tre fallen i 1 för n-sidan, p-sidan och den totala utsträckningen.

Grindar och transistorer

Digital IC konstruktion

MOSFET:ens in- och utimpedanser. Småsignalsmodeller. Spänning- och strömstyrning. Stora signaler. MOSFET:ens högfrekvensegenskaper

Föreläsning 4 pn-övergången

Föreläsning 5 pn-övergången II: Spänning&ström

Praktisk beräkning av SPICE-parametrar för halvledare

Komponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Hålltider --- Ellära: Elektriska fält, potentialer och strömmar

Digital IC konstruktion

Komponentfysik Introduktion. Kursöversikt. Varför Komponentfysik? Hålltider --- Ellära, Elektriska fält och potentialer

Labb-PM MCC086 Mikroelektronik 2016

Föreläsning 12 Bipolära Transistorer II. Funk<on bipolär transistor

Välkomna till kursen i elektroniska material!

Föreläsning 7 pn-övergången III

Introduktion till halvledarteknik

Komponen'ysik Dan Hessman Lektor i fasta tillståndets fysik. Tel:

Tentamen i matematisk statistik, Statistisk Kvalitetsstyrning, MSN320/TMS070 Lördag , klockan Lärare: Jan Rohlén

Normalfördelningens betydelse. Sannolikhet och statistik. Täthetsfunktion, väntevärde och varians för N (µ, σ)

Föreläsning 2 - Halvledare

Elektronik. Lars-Erik Cederlöf

Tentamen i Krets- och mätteknik, fk, ETEF15. Exempeltentamen

Vad är elektricitet?

För att skatta väntevärdet för en fördelning är det lämpligt att använda Medelvärdet. E(ξ) =... = µ

Om dagens föreläsning!

Föreläsning 4 pn-övergången

Digital IC konstruktion

Elektronik 2018 EITA35

Utredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod?

Föreläsning 10 pn- övergången III

Fyra typer av förstärkare

Olika sätt att bygga förstärkare. Differentialförstärkaren (översikt) Strömspegeln. Till sist: Operationsförstärkaren

Sammanfattning av formler i balkteoripärm PJG,

Komponen'ysik Dan Hessman Lektor i fasta tillståndets fysik. Tel:

Bra tabell i ert formelblad

Vad är elektricitet?

TENTAMEN I MATEMATISK STATISTIK

I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn.

Digital IC konstruktion

Du behöver inte räkna ut några siffervärden, svara med storheter som V 0 etc.

Lösningsskiss för tentamen Vektorfält och klassisk fysik (FFM234 och FFM232)

ETEF15 Krets- och mätteknik, fk Fältteori och EMC föreläsning 3

Hambley avsnitt 12.7 (även 7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar)

UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Bo Tannfors Transistorswitchen. Laboration E25 ELEKTRO

Halvledare. Periodiska systemet (åtminstone den del som är viktig för en halvledarfysiker)

TAMS15: SS1 Markovprocesser

LÖSNINGAR TILL. Räkningar: (z i z) 2 = , Δ = z = 1 n. n 1. Konfidensintervall:

Laboration N o 1 TRANSISTORER

Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2

Motivering av högerledet i Maxwells 4:e ekvation

P (A) = k A P (A ) = 1 P (A) P (A B) P (B) P (M i ) = 1 P (A) P (X = k) = p X (k) p X (k) = 1 P (A B) p X (k)

Tryckta transistorer på papper och plast

θx θ 1 om 0 x 1 f(x) = 0 annars

Föreläsning 6: Opto-komponenter

Föreläsning 6: Opto-komponenter

Tentamen i El- och vågrörelselära,

FÖRELÄSNING 8. Översikt på mikrochipsteknologi. I/O-kretsar. Mikrochipstillverkning. Föreläsning 8

HAVSÖRNSVÄGEN, FAGERSJÖ FÖRSTUDIE

Definition av kraftelektronik

ETEF15 Krets- och mätteknik, fk Fältteori och EMC föreläsning 3

Veckans teman. Repetition av ordinära differentialekvationer ZC 1, 2.1-3, 4.1-6, 7.4-6, 8.1-3

ETEF15 Krets- och mätteknik, fk Fältteori och EMC föreläsning 3

Transkript:

Pla$kodesator - Fälteffekt gs 1V gs V gs V gs 3V + + + + + + + + + + + + + Metall P- typ halvledare Joiserade acceptoratomer (N A Hål Elektroer 16-4- 6 Föreläsig 5, Kompoe7ysik 16 1

Tröskelspäig stark iversio Späig över halvledare Φ F + Späig över ide ε rε N A eφ F yta p p N A + - Q N Φ F + vid > ε rε N A eφ F +Q N -e th e Φ F Q addig vid (mer ä stark iversio: N N Q ( < 16-4- 6 Föreläsig 5, Kompoe7ysik 16

Fälteffek$rasistor - MOSFET - Geometri Oxid Z Gate Stark Iversio ledade lager vid yta Source Kaal Drai x y Z ΔX Q N (y I V 16-4- 6 Föreläsig 5, Kompoe7ysik 16 3

Metal- Oxid- Semicoductor Field Effect Trasistor J µ Q ε ε Q ( g G I Varför miskar strömökige?? 16-4- 1 Föreläsig 4, Kompoe7ysik 16 4

Beräkig av ström MOS: åg kaal ( g >1µm Oxid I < cs (y< y Kaal I ε Q N ( ( y th ( y Z µ ε ( y y ( y ( y Q ( y N ös med: cs cs di dy ( ( 16-4- 6 Föreläsig 5, Kompoe7ysik 16 5

Ström och kaal lijära området 5 Draiström (ma 4 3 1 - th I I gs < th Zµ ( th > th > th + 1 3 4 5 6 Draispäig (V 16-4- 6 Föreläsig 5, Kompoe7ysik 16 6

Ström och kaal mä$adsområdet Draiström (ma 5 4 3 1 - th I, sat Zµ ( Pich off: I oberoede av 1 3 4 5 6 Draispäig (V Q N < - th ( ( y th Q ( ( N - th th > - th Q N ( QN ( th ( y ( Q N 16-4- 6 Föreläsig 5, Kompoe7ysik 16 7

miuters övig egapva A I B I + I V gs + I D I - Drai 16-4- 6 Föreläsig 6, Kompoe7ysik 15 8

Ström ideal MOS Draiström (ma 5 4 3 1 - th Mäcadsområdet 1 3 4 5 6 Draispäig (V Draiström (ma 4.5 4 3.5 3.5 1.5 1.5 > I G 1 3 4 Gatespäig (V Strypt ( < Biaseras så ac: > - th > th ijära området > th I Zµ ( th Mäcadsområdet th I, sat Zµ ( th 16-4- 6 Föreläsig 6, Kompoe7ysik 15 9

Exempel - MOS 1. V 3 mf/m µ.135 m /Vs 5 µm Z5 µm Beräka strömme för 1.5, 1, & 3V om V.5, 1, & 3V om.5v ijära området > I Zµ ( Mäcadsområdet I, sat Zµ ( 16-4- 6 Föreläsig 6, Kompoe7ysik 15 1

Ström icke ideal MOS, kaallägdsmodulapo 5 Draiström (ma 4 3 1 Kaallägdsmodulamo i mäcadsområdet Ger utgågskoduktas λ typiskt.5-.5 V - 1 1 3 4 5 6 Draispäig (V I,sat Zµ "( % $ # $ & 1+ λ ( 16-4- 6 Föreläsig 6, Kompoe7ysik 15 11

Ström och kaal mä$adsområdet Draiström (ma 5 4 3 1 - th I, sat Zµ ( Pich off: I oberoede av 1 3 4 5 6 Draispäig (V Q N < - th ( ( y th Q ( ( N - th th > - th Q N ( QN ( th ( y ( Q N 16-4- 6 Föreläsig 6, Kompoe7ysik 15 1

Exempel MOS med utgågskoduktas 1. V 3 mf/m µ.135 m /Vs 5 µm Z5 µm λ. V - 1 Beräka strömme för 1.5, 1, & 3V om V.5, 1, & 3V om.5v ijära området > I Zµ " ( $ # % & Mäcadsområdet I,sat Zµ "( $ # $ % & 1+ λ ( 16-4- 6 Föreläsig 6, Kompoe7ysik 15 13

D Storsigalmodell, mä$adsområdet I G gate gate + Bara om: > th > - th I G - + - Ideal: Source Icke Ideal: drai k ( - th drai I I ds ds Source (1+λ k( - th Draiström (ma 4.5 4 3.5 > - th 3.5 1.5 1.5 1 3 4 Gatespäig (V k Z I G 16-4- 6 Föreläsig 6, Kompoe7ysik 15 14

Flatbad- shiv Φ F + ε ε r N Ae Φ F Ideal MOSFET fb + Φ F + ε ε r N Ae Φ F Verklig MOSFET E E E E i E i E i E Fgate E Fsub E V E Fgate e fb E Fsub E V E Fgate E Fsub E V ζ ζ ζ 16-4- 6 Föreläsig 6, Kompoe7ysik 15 15

miuter övig. MOSFET iverterad I + Skissa I- V om vi har I SD biaserat e MOSFET iverterad! + SD > GD > I pich- off I SD ijärt Mä$ad ökar - MOSFET - MOSFET SD 16-4- 6 Föreläsig 6, Kompoe7ysik 15 16

PMOS Gate -.V 1.V.4V Source Isolator SiO Drai - 1V P ++ N- typ semicoductor P ++ I - 1 ma Acrahera hål vid yta: slås på då är egapv! Korrekt operamo: < V, hål frå source mll drai 16-4- 6 Föreläsig 6, Kompoe7ysik 15 17

MOS och pmos I +. V MOS: I posimv posimv Strömme flyter frå drai mll source I < -. V > pmos: I egamv egamv I SD posimv Strömme flyter frå source mll drai < - q I SD > I ijärt pich- off p- MOSFET I Mä$ad ökar miskar Mä$ad - MOSFET pich- off ijärt 16-4- 6 Föreläsig 6, Kompoe7ysik 15 18