Halvledare. Transistorer, Förstärkare

Relevanta dokument
SM Serien Strömförsörjning. Transistorn

Laboration 4: Tidsplan, frekvensplan och impedanser. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 2 Transistorn del 2

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 3 Transistorförstärkare

Tentamen i Elektronik för F, 2 juni 2005

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 1 Transistorn del 1

nmosfet och analoga kretsar

Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren

Laboration 6. A/D- och D/A-omvandling. Lunds universitet / Fakultet / Institution / Enhet / Dokument / Datum

FÖRELÄSNING 3. Förstärkaren. Arbetspunkten. Olika lastresistanser. Småsignalsschemat. Föreläsning 3

Figur 1 Konstant ström genom givaren R t.

TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Föreläsning 12 Bipolära Transistorer II. Funk<on bipolär transistor

Elektronik. Lars-Erik Cederlöf

OP-förstärkare. Idealiska OP-förstärkare

PROJEKTLABORATION i Analog Elektronik.

Rättade inlämningsuppgifter hämtas på Kents kontor Föreläsning 4 Må , Kent Palmkvist To ,

Formelsamling för komponentfysik. eller I = G U = σ A U L Småsignalresistans: R = du di. där: σ = 1 ρ ; = N D + p n 0

Utredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod?

Förstärkarens högfrekvensegenskaper. Återkoppling och stabilitet. Återkoppling och förstärkning/bandbredd. Operationsförstärkare.

Hambley avsnitt 12.7 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar) sann 1 falsk 0

Föreläsning 8. MOS transistorn Förstärkare med MOS transistorn Exempel, enkel förstärkare med MOS. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT VT11/BM

Operationsförstärkare (OP-förstärkare) Kapitel , 8.5 (översiktligt), 15.5 (t.o.m. "The Schmitt Trigger )

Olika sätt att bygga förstärkare. Differentialförstärkaren (översikt) Strömspegeln. Till sist: Operationsförstärkaren

MOSFET:ens in- och utimpedanser. Småsignalsmodeller. Spänning- och strömstyrning. Stora signaler. MOSFET:ens högfrekvensegenskaper

I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn.

Formelsamling för komponentfysik

Föreläsning 9 Bipolära Transistorer II

Laboration - Operationsfo rsta rkare

Elektronik 2018 EITA35

Elektronik 2017 EITA35

Tentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 5 april 2013

F1:13. 2 minutersövningar 2010 F1:30 F1:22. För att inte förlora signal kan följade göras: Analog elektronik Bertil Larsson

Effektförstärkning efter en OP-förstärkare

Övningsuppgifter i Elektronik

Förstärkning Large Signal Voltage Gain A VOL här uttryckt som 8.0 V/μV. Lägg märke till att förstärkningen är beroende av belastningsresistans.

Föreläsning 8. MOS transistorn. IE1202 Analog elektronik KTH/ICT/EKT HT09/BM

Definition av kraftelektronik

Elektro och Informationsteknik LTH. Laboration 3 RC- och RL-nät i tidsplanet. Elektronik för D ETIA01

Sammanfattning av kursen ETIA01 Elektronik för D, Del 1 (föreläsning 1-6)

Ellära. Laboration 2 Mätning och simulering av likströmsnät (Thevenin-ekvivalent)

Laboration 2: Likström samt upp och urladdningsförlopp

TSTE20 Elektronik 01/31/ :24. Nodanalys metod. Nodanalys, exempel. Dagens föreläsning. 0. Förenkla schemat 1. Eliminera ensamma spänningskällor

Laboration N o 1 TRANSISTORER

Tentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 11 januari 2013

Elektroteknikens grunder Laboration 3. OP-förstärkare

Tentamen Elektronik för F (ETE022)

TSTE05 Elektronik och mätteknik ISY-lab 3: Enkla förstärkarsteg

BV220. Bruksanvisning

Instruktion elektronikkrets till vindkraftverk

Signalbehandling, förstärkare och filter F9, MF1016

IE1206 Inbyggd Elektronik

Målsättning: Utrustning och material: Denna laboration syftar till att ge studenten:

Mät resistans med en multimeter

IE1206 Inbyggd Elektronik

Föreläsning 11 Bipolära Transistorer I. BJT Bipolar JuncDon Transistor. FunkDon bipolär transistor. DC operadon, strömförstärkning

Tentamen i Elektronik, ESS010, del1 4,5hp den 19 oktober 2007 klockan 8:00 13:00 För de som är inskrivna hösten 2007, E07

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 1 den 21 oktober 2008 klockan 8:00 13:00

5 OP-förstärkare och filter

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 4 Operationsförstärkare

TENTAMEN Elektronik för elkraft

Laboration II Elektronik

Undersökning av logiknivåer (V I

BV440M. Bruksanvisning

Sammanfattning av kursen ETIA01 Elektronik för D, Del 1 (föreläsning 1-10)

Grindar och transistorer

Tentamen i Elektronik för F, 13 januari 2006

TENTAMEN Elektronik för elkraft HT

Operationsförstärkaren

Bygg en entransistors Booster till datorn eller MP3-spelaren

Videoförstärkare med bipolära transistorer

Komponentfysik ESS030. Den bipolära transistorn

Laboration 1 Elektriska kretsar Online fjärrstyrd laborationsplats Blekinge Tekniska Högskola (BTH)

För att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet.

TSTE93 Analog konstruktion

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 16 dec 2008 klockan 8:00 13:00.

Tentamen i Krets- och mätteknik, fk, ETEF15. Exempeltentamen

DIGITAL MULTIMETER BRUKSANVISNING MODELL DT9201

Krets- och mätteknik, fk

Varvtalsstyrning av likströmsmotorer

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007.

Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2

PROJEKTLABORATION i Analog Elektronik

Vanliga förstärkarkopplingar med operationsförstärkaren

Du har följande material: 1 Kopplingsdäck 2 LM339 4 komparatorer i vardera kapsel. ( ELFA art.nr datablad finns )

Poler och nollställen, motkoppling och loopstabilitet. Skrivet av: Hans Beijner

Sammanfattning. ETIA01 Elektronik för D

Tentamen i Elektronik - ETIA01

OP-förstärkaren, INV, ICKE INV Komparator och Schmitt-trigger

Tentamen i Elektronik fk 5hp

Elektronik 2018 EITA35

TRANSISTORER. Umeå universitet Institutionen för tillämpad. fysik och elektronik. Patrik Eriksson

Laboration 1: Styrning av lysdioder med en spänning

Automation Laboration: Reglering av DC-servo

Induktiv beröringsfri närvarogivare/detektor med oscillator, (Proximity switch)

IF1330 Ellära KK1 LAB1 KK2 LAB2. tentamen

Föreläsning 5. Motkoppling och stabilitet bl. Stabilitetskriterier Stabilitetsmarginaler Kompensering Exempel. IE1202 Analog elektronik /BM

Lektion 1: Automation. 5MT001: Lektion 1 p. 1

Lektion 2: Automation. 5MT042: Automation - Lektion 2 p. 1

Transkript:

Halvledare Transistorer, Förstärkare

Om man har en två-ports krets v in (t) ~ v ut (t) R v ut (t) = A v in (t) A är en konstant: Om A är mindre än 1 så kallas kretsen för en dämpare Om A är större än 1 så kallas kretsen för en förstärkare R kallas för ett belastningsmotstånd (load)

Om både insignal och utsignal från förstärkaren är spänningar så är det en spänningsförstärkare. A v A v = v ut(t) v in (t) Negativt betyder att insignalen är förstärkt, men också inverterad. Inverterande förstärkare ) v ut (t) = 2 v in (t)

Modell av spänningsförstärkare: R s i i R o i o v s v i R i A voc v i + - v o Thévenin-ekvivalent av källan Spänningsberoende spänningskälla Modell av belastningen R i är förstärkarens in-resistans R o är förstärkarens ut-resistans A voc är förstärkarens tomgångsförstärkning (open circuit)

Spänningsförstärkning A v = v o vi = A voc R o + R s i i R o i o v s v i R i A voc v v i + - v o Strömförstärkning A i = i o ii = v o= v i =R i = A v R i Effektförstärkning (Gain) G = P o P i = V oi o V i I i = A v A i = (A v ) 2 R i

Förstärkarprestanda R s i i R o i o 1 M 2 v s 1 mv rms v i R ii 2 M 10 A 4 v v i + - v o 8 v i = R i R s +Ri v s = 2 3 1 10 3 ) v o = R o + A voc v i = 8 10 2 3 104 10 3 = 5 1 3 V A v = A voc R o + = 10 4 0:8 = 8000 A i = A v R i = 8000 250000 = 2 10 9 G = A v A i = 1:6 10 13

Belastnings-påverkan (loading effects): Ingångs-belastning Eftersom alla källor innehåller ett inre motstånd så kommer alltid en del av spänningskällans spänning att ligga över det inre motståndet R s i källan. Utgångs-belastning På samma sätt blir utspänningen lägre, eftersom en del av spänningen från den beroende källan kommer att ligga över ut-resistansen R o i förstärkaren. Detta orsakar då att totala förstärkningen sjunker då man ansluter förstärkaren till yttre kretsar.

Kaskad-koppling: v in (t) ~ v (1) ut (t) v (2) ut (t) R v (1) ut (t) = A 1 v in (t) Totala förstärkningen: v (2) ut (t) = A 2 v (1) ut (t) A kaskad = v(2) ut v in = A 1 A 2

Strömförsörjning och effektivitet R s i i R o i o v s v i R i A voc v v i + - v o P supply = V AA I A + V BB I B V AA V BB

Effektivitet P supply = V AA I A + V BB I B Effekt från strömförsörjning P s P o Utsignalens effekt Insignalens effekt P i P d Värme P i + P s = P o + P d = P o P s

Effektivitets-klasser: A: 25% effektivitet. Minst distorsion.enkelsidig matning. B: 78%. Medelhög distorsion. Dubbel-sidig matning. Fler komponenter. AB: ~65%. Lägre distorsion. Dubbelsidig matning. Fler komponenter. C: 90%. Hög distorsion. Dubbel-sidig matning. Fler komponenter. (Används endast i radiosändare) D: 90%. Pulsbreddsmodulering. Distorsion som AB. Komplicerade kretsar.

Strömförstärkare i i R o i o v s v i R i i s R s R i A isc i i v o A isc = i osc i i = Avocv i Ro v i R i = A voc R i R o

Transkonduktans-förstärkare R s i i R o i o v s v i R i G msc i i v o Om insignalen är en spänning och utsignalen är en ström i osc v i = G msc är en konduktans (invers av resistans)

Transresistans-förstärkare i i R o i o v s v i R i i s R s R i R moc i i v o Insignalen är en ström och utsignalen en spänning v ooc i i = R moc är en resistans.

Signalanpassning Om man har en signalledning Z o Z L Ingen reflektion om Z L = Z o = Z kabel Detta kallas siganalanpassning (signal matching)

Frekvenssvar Frekvenssvar DC-kopplad A i 0:707 A i Bandbredd B f log(f)

Frekvenssvar Frekvenssvar för AC-kopplad förstärkare A i 0:707 A i Bandbredd B f log(f)

Transistor Det finns flera typer av transistorer: Bipolär Transistor (Bi-polar Junction Transistor, BJT) Fälteffekt transistor (Field Effect Transistor, FET) Metal-Oxide Silicon FET, MOSFET Småsignal-transistor Effekttransistor

Transistor Bipolär transistor (Bi-polar Junction Transistor, BJT) Består av två N-kristaller (P-kristaller) och en P-kristall (Nkristall) NPN eller (PNP) typ. Kollektor Bas v CE > 0:7 V v BE 0:7 V Emitter

Transistor Två typer: NPN och PNP C C B B Strömmen som flyter mellan bas och emitter (NPN): I B ¼ I BS e e v BE kt E E

Transistor Strömmen genom kollektor-emitter Mättat område Saturated region

BJT förstärkare R1 R C 15 V i in (t) v BE = 0:7 V T i ut (t) R C = 15 : välj arbetspunkt 0:025 = 600 ) I B = 100¹A R1 = U R 1 I B = 14:3 100 10 6 = 143 k A i = I C IB = 10:5 0:1 = 105 C = 1!X c = 1 2¼100 100 ¼ 16 ¹F