.RQVWUXNWLRQVDVSHNWHUORJLNNUHWVDU

Relevanta dokument
Systemkonstruktion LABORATION LOGIK

Elektronik grundkurs Laboration 6: Logikkretsar

Digitala kretsars dynamiska egenskaper

Avkoppla rätt en kvantitativ undersökning av parasitinduktans hos olika layoutalternativ

Avkoppling. av parasiter hos olika avkopplingslayouter. Gunnar Karlström, BK Services. - BK Services, konsult, tekniskt ansvarig för EMClabbet

Undersökning av logiknivåer (V I

Institutionen för elektrisk mätteknik

LABORATIONSINSTRUKTION LABORATION. Typdata, Grindar, Booleska uttryck KURS LAB NR. Digitalteknik INNEHÅLL. 1. Labdäcket IDL-800

Laboration D151. Kombinatoriska kretsar, HCMOS. Namn: Datum: Epostadr: Kurs:

Du har följande material: 1 Kopplingsdäck 2 LM339 4 komparatorer i vardera kapsel. ( ELFA art.nr datablad finns )

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007.

Laboration II Elektronik

Grindar och transistorer

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 4 Operationsförstärkare

RC-kretsar, transienta förlopp

Strömförsörjning. Laboration i Elektronik 285. Laboration Produktionsanpassad Elektronik konstruktion

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Elektroteknikens grunder Laboration 1

Mätteknik för F 2017 Störningar

Mätteknik för F 2018 Störningar

Figur 1 Konstant ström genom givaren R t.

Elektronik grundkurs Laboration 1 Mätteknik

Laborationsrapport Elektroteknik grundkurs ET1002 Mätteknik

Bruksanvisning ELMA 21 LCR MULTIMETER / E:nr Göteborg 2003

Tentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 5 april 2013

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

IE1205 Digital Design: F3 : CMOS-kretsen, Implementeringsteknologier. Fredrik Jonsson KTH/ICT/ES

DIGITALTEKNIK. Laboration D161. Kombinatoriska kretsar och nät

T1-modulen Lektionerna Radioamatörkurs OH6AG OH6AG. Bearbetning och översättning: Thomas Anderssén, OH6NT Heikki Lahtivirta, OH2LH

Tentamen i Elektronik, ESS010, del1 4,5hp den 19 oktober 2007 klockan 8:00 13:00 För de som är inskrivna hösten 2007, E07

ELLÄRA Laboration 4. Växelströmslära. Seriekrets med resistor, spole och kondensator

LTK010, vt 2017 Elektronik Laboration

Laborationshandledning för mätteknik

Laboration N o 1 TRANSISTORER

Experiment med schmittrigger

Tentamen i Elektronik - ETIA01

Laboration 1: Styrning av lysdioder med en spänning

Qucs: Laboration kondensator

Laborationsrapport. Kurs Elinstallation, begränsad behörighet. Lab nr 2. Laborationens namn Växelströmskretsar. Kommentarer. Utförd den.

Transistorn en omkopplare utan rörliga delar

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 3 Transistorförstärkare

Elektro och Informationsteknik LTH. Laboration 3 RC- och RL-nät i tidsplanet. Elektronik för D ETIA01

Systemkonstruktion LABORATION SWITCHAGGREGAT. Utskriftsdatum:

Växelström och reaktans

nmosfet och analoga kretsar

Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

(c) Summatorn. och utspänningen blir då v ut = i in R f. Med strömmen insatt blir utspänningen v ut = R f ( v 1. + v 2. ) eller omskrivet v ut = ( R f

Impedans och impedansmätning

DIGITALTEKNIK I. Laboration DE1. Kombinatoriska nät och kretsar

För att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet.

Tentamen i Krets- och mätteknik, fk, ETEF15. den 14 jan :00-13:00

3.4 RLC kretsen Impedans, Z

Lektion 2: Automation. 5MT042: Automation - Lektion 2 p. 1

Denna PCB-layout har optimerat länden på ledarna för att undvika skillnader i fördröjning.

- Digitala ingångar och framförallt utgångar o elektrisk modell

Tentamen i Krets- och mätteknik, fk, ETEF15. Exempeltentamen

Tentamen Elektronik för F (ETE022)

TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg

Blinkande LED med 555:an, två typkopplingar.

Elektronik 2017 EITA35

4. Elektromagnetisk svängningskrets

IDE-sektionen. Laboration 5 Växelströmsmätningar

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 1 den 21 oktober 2008 klockan 8:00 13:00

Digital elektronik. I Båda fallen gäller förstås att tidsförloppet måste bevaras.

Laboration - Va xelstro mskretsar

Utökning av mätområdet på ett mätinstrument med LED

5:2 Digitalteknik Boolesk algebra. Inledning OCH-funktionen

Förstärkning Large Signal Voltage Gain A VOL här uttryckt som 8.0 V/μV. Lägg märke till att förstärkningen är beroende av belastningsresistans.

OP-förstärkare. Idealiska OP-förstärkare

Vi börjar med en vanlig ledare av koppar.

Digital elektronik CL0090

Filtrering av matningsspänningar för. känsliga analoga tillämpningar

EEM076 ELEKTRISKA KRETSAR OCH FÄLT

Lektion 1: Automation. 5MT001: Lektion 1 p. 1

Användarmanual. Labbaggregat LW PS-305D

Modifieringsförslag till Moody Tremolo

Signalbehandling, förstärkare och filter F9, MF1016

Modifieringsförslag till Moody Boost

Laborationshandledning

ELEKTROTEKNIK. Laboration E701. Apparater för laborationer i elektronik

Videoförstärkare med bipolära transistorer

Digital Design IE1204

Elektroteknikens grunder Laboration 3. OP-förstärkare

Impedans och impedansmätning

Simulering med simulatorn TINA version 1.0

Impedans! och! impedansmätning! Temperatur! Komponentegenskaper! Töjning! Resistivitetsmätning i jordlager!.!.!.!.!

Definition av kraftelektronik

GPIO - General Purpose Input Output

SM Serien Strömförsörjning

Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet. Agneta Bränberg TRANSISTORTEKNIK. Laboration.

Laboration 2: Likström samt upp och urladdningsförlopp

Svar till Hambley edition 6

Ledningar med förluster. Förlustfria ledningar. Rum-tid-diagram. Bergerondiagram. Appendix: Härledning av Bergerondiagrammet

ETE115 Ellära och elektronik, vt 2015 Laboration 1

Övningsuppgifter i Elektronik

Antennförstärkare för UHF-bandet

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 16 dec 2008 klockan 8:00 13:00.

Steget vidare. (By JaunJimenez at English Wikipedia, CC BY 3.0, curid= )

DIGITALTEKNIK. Laboration D173. Grundläggande digital logik

Transkript:

) UHOlVQLQJVDQWHFNQLQJDU $QGHUV$UYLGVVRQ gyhuvlnwnuhwvidplomhu BBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBB 77/%LSROlUORJLN BBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBB Familjer (ett urval) 2 ECL 3 &026BBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBB Familjer (ett urval) 3 %L&026 BBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBB.UHWVWLOOJnQJ BBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBB,2 BBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBB 8WJnQJVW\SHU BBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBB Transistorswitch 5 Totempåle 5 Push-pull 5 Open-collector 5 Open-drain 6 Three-state 6,QJnQJDU BBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBB 6DPPDQNRSSOLQJBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBB Stigtid 6 Fan-out 7 6N\GGVGLRGHU BBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBB Allmänt 7 Exempel 8 $YNRSSOLQJ BBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBB,QWURGXNWLRQBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBB.RQGHQVDWRUBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBB /D\RXWBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBBB

gyhuvlnwnuhwvidplomhu 77/%LSROlUORJLN Transistor-transistor Logik Dessa familjer baseras på bipolära transistorer. Detta ger hög statisk strömförbrukning men hyfsad snabbhet. Drivspänning 4,75-5,25 V Logisk "0" in < 0,8 V Logisk "0" ut < 0,4 V Logisk "1" in > 2,0 V Logisk "1" ut < 2,4 V Standard-TTL används knappast längre, utan har ersatts av ett otal varianter för ökad snabbhet, minskat effektförbrukning mm. Ovanstående bild visar en schottky-ttl NANDgrind och en SPICE-simulering. Genom att förse transistorerna med en schottkydiod förhindras dessa att bottna helt, vilket i kombination med dessa dioders låga kapacitans, ökar kretsarnas snabbhet. Observera R 3 och diodspänningsfallet i Q 2 vilket leder till asymmetrisk logik (jfr omslagsnivåer ovan). Den sänker mer ström än den driver, typiskt några tiotals ma resp någon tiondels ma. Statiska strömförbrukningen är några ma/grind. )DPLOMHUHWWXUYDO Familj: Namn: Fördröjning: Effekt: Övrigt 74S Schottky 3 ns hög 74AS Advanced S 1,5 ns hög 74LS Low-power S 9 ns låg Standard 74ALS 4 ns låg 74F Fast 3 medel 54xx Militär variant, utökat temperaturområde 2

(&/ Emitterkopplad logik Detta är en lite udda medlem i TTL-familjen. Notera den ständiga strömmen genom Q 1-3. Detta ger hög statisk strömförbrukning men extrem snabbhet. Kretsarna används ända upp i GHz-området. Förutom strömförbrukningen kan omslagsnivåerna utgöra ett problem: -0,9 V = 1 och -1,8 V = 0. Familjen använd(e)s som bussdrivare. &026 Komplementär MOS Som framgår ovan byggs logiken upp av ett komplementärt par MOS-transistorer av anriknings respektive utarmningstyp. Detta ger en försumbar statisk strömförbrukning (na). Vid några MHz är den dock i nivå med TTL-kretsar. Logiknivåerna ligger symmetriskt kring halva matningsspänningen med ingångsnivåer ca 30/70% av matningsspänningen. Drivförmågan ligger typisk runt 6 ma. )DPLOMHUHWWXUYDO Familj: Namn: Fördröjning: Spänning: Övrigt: 4000 40 ns 3-15 V 74HC High-Speed CMOS 8 ns 2-6 V Billigast 74AC Advanced CMOS 3 ns 2-6 V Driver >24 ma 74LV Low-Voltage HCMOS 9 ns 1-3,6 V HC-variant 74xxT xx <> HC, AC 4,5-5,5 TTL-nivåer 3

%L&026 Kombinerad bipolär och CMOS teknik. CMOS på ingången ger hög inresistans och bipolära transistorer på utgången ger hög drivförmåga (60-200 ma). Dessa används oftast till att driva transmissionsledningar och markeras med ett B i familjenamnet t ex 74BCT..UHWVWLOOJnQJ Kurvan visar vilka kretsfamiljer som är på väg ut från respektive in på marknaden. Familjerna i figurens högra del bör inte användas för nykonstruktion eftersom tillgången på dessa framöver kommer att vara osäker. Framförallt gäller detta rena bipolära (TTL) varianter, men också den ursprungliga CMOS-familjen 40xx. I vänsterkanten kan trenden mot allt lägre matningsspänning skönjas. 4

,2 8WJnQJVW\SHU 7UDQVLVWRUVZLWFK De första logikkretsarna (RTL Resistor Transistor Logic) hade utgångssteg som liknade transistorswitchen ovan. Nackdelen med detta var att drivförmågan begränsades av R 1 eftersom alltför höga förluster vid låg utgång var önskvärd. 7RWHPSnOH Totempålen ersatte snart transistorswitchen som standardutgång. Fördelen är uppenbar. Q 3 fungerar som aktiv pull-up och leder bara vid hög utgång. Vid omslag kommer dock både Q 2 och Q 3 att leda under ett kort ögonblick, varför R 3 behövs för att begränsa denna kortslutningsström. D 1 behövs för att Q 3 ska stänga helt när Q 2 öppnar. Detta leder till att utgången inte når mer är V cc -1,4 V. Detta, tillsammans med R 3, leder till sämre driv- än sänkförmåga. 3XVKSXOO CMOS-kretsarnas motsvarighet till totempålen. I motsats till TTL-varianten är denna dock helt symetrisk i sina egenskaper. Den både sänker och lämnar några ma. 2SHQFROOHFWRU Ibland måste flera utgångar kopplas till samma signal. Ett exempel på detta kan vara ett bussystem där alla enheter delar på en acknowledge-signal. Ett pull-up motstånd kan då sänkas av alla enheter utan att dessa riskerar att driva mot varandra. En utgång av denna typ kallas open-collector. Ytterligare en användning kan vara då utgången arbetar med andra spänningar än logikkretsen i övrigt. Lasten kan då t ex anslutas mellan utgången och 24 V (förutsatt att denna klarar det). 5

2SHQGUDLQ Open-drain är CMOS-kretsarnas motsvarighet till open-collector. Observera att ett pull-up motstånd till V cc alltid behövs vid koppling till andra logikingångar. 7KUHHVWDWH Vid sammankoppling av flera utgångar i ett bussystem, visades ovan hur open-collector/drain kan användas. Nackdelen med detta är begränsad snabbhet p g a bristande drivförmåga av samma skäl som i transistorswitchen som redovisats tidigare. En lösning kan då vara utgångar av typen three-state. Detta tredje läge innebär att utgången kan styras till att agera högimpediv både mot V cc och jord. Fördelen är att push-pull/totempåle kan användas under normal drift.,qjnqjdu Som syntes i schottky-ttl-exemplet ovan består en TTL-krets ingång ofta av ett pull-up motstånd, varför logisk nolla uppnås genom att dra ström ur kretsen. Detta leder till att en oansluten ingång kan betraktas som logisk etta. Detta kan dock inte garanteras beroende på variationer mellan kretsfamiljer. CMOS-ingångar är såpass högimpediva att en oansluten ingång är helt oförutsägbar. Oftast leder detta till att ingången pendlar i det odefinierade området, vilket leder till ökad strömförbrukning och genererande av störningar. Alla oanvända ingångar måste anslutas till en definierad logiknivå! En TTL-krets tar oftast (se ovan) minst ström om ingången ansluts till V cc. 6DPPDQNRSSOLQJ 6WLJWLG För att en krets ska fungera enligt databladet krävs att tiden en signal passerar ingångens odefinierade nivåer inte överskrider vissa tider. Tabellen nedan visar vilken spänningsderivata som krävs i denna region för några familjer. V ilmax = max ingångsnivå för nolla. V ihmin = min ingångsnivå för etta. V t = tröskelnivå (den nivå där pulsbredden mäts) 6

I tabellen syns en fördel med långsamma kretsar. De ställer som regel lägre krav på insignalernas kvalitet. )DQRXW Kretsens fan-out anger hur många ingångar av samma familj som en utgång klarar driva. Vid betraktelse av TTL-kretsar inses en naturlig begränsning i och med att ingångarna kräver ett strömuttag. CMOS-kretsar begränsas däremot av krav på stigtider. Då ingången kan ses som en kapacitiv last, inses att en utgång inte kan driva obegränsat antal ingångar med uppfyllda krav på stigtider. Normalt ligger fan-out runt 10, men variationer förekommer. Speciellt vid sammankoppling av olika familjer kan detta vara betydligt lägre. 6N\GGVGLRGHU $OOPlQW En CMOS-krets skulle knappast överleva ens den mest försiktige laborant utan ett antal skyddsdioder. Dessa skyddar främst mot elektrostatiska urladdningar, men också i viss mån felkopplingar. Hänsyn måste dock tas till dess existens för att dessa inte ska förstöras. Betrakta figuren. Spänningar över V cc + 0,7 V och spänningar under jord - 0,7 V kommer att omhändertas av dioderna. Detta gör att en ingång, såvida strömmen begränsas (t ex av ett motstånd), direkt kan anslutas till t ex en 12 V signal. 7

([HPSHO Figuren visar en funktionsgenerator som är ansluten till en logikkrets. Observera att den har en annan spänningsmatning (V dd ) än kretsen (V cc ). Antag att logikkretsens spänningsmatning slås ifrån medan funktionsgeneratorn arbetar. Eftersom kretsen är av CMOS-typ kan ingången tyckas högimpediv och läget under kontroll. Nu kommer dock skyddsdioderna in i bilden. En ström, I, kommer att gå via kretsens ingång, genom skyddsdioden till V cc, via andra komponenters matning, till jord. Det finns en överhängande risk att skyddsdioden, som tål ca 20 ma, går sönder. Denna situation uppkommer ofta när kontaktdon används och det är svårt att förutsäga om matning eller signalledare ansluter först. Lösningen kan vara så enkel som ett motstånd i serie med ingången. Detta påverkar inte funktionen nämnvärt, men räddar dioden i exemplet. 8

$YNRSSOLQJ,QWURGXNWLRQ Figuren visar strömförbrukningen i en HC- respektive AC-krets vid olika inspänningar. Det är tydligt att en strömspik fås på matningsspänningen vid omslag, eftersom det odefinierade intervallet i vilket båda utgångstransistorerna leder passeras under ett kort ögonblick. Det syns också en tydlig skillnad mellan kretsfamiljerna. Snabbare kretsar har i regel kraftigare utgångstransistorer vilka vid omslag läcker mer ström. Dessutom blir kurvformen vassare vilket gör att störningarna ökar ytterligare. Förutom kortslutningsströmmen kommer också en hel del ström att gå åt för att driva nästa ingång. Figuren visar ringningarnas amplitud på spänningsmatningen till en oavkopplad 74ABT541 som belastas med 60pF / 500 Ω. (Alla utgångar aktiveras samtidigt.) Det är lätt att inse hur funktionsstörningar kan uppkomma både i den aktuella och kringliggande kretsar..rqghqvdwru För att förhindra att omnämnda strömmar går en längre sträcka på kretskortet och därmed stör kretsarna utefter dess väg samt orsakar stora elektromagnetiska fält, behövs en avkopplingskondensator. Denna förser kretsen med ström från nära håll under den tid då omslaget sker. För att kondensatorn ska göra nytta (lämna ström snabbt) krävs att den är av låginduktiv typ! Hit hör bl a keramiska skivkondensatorer. Kondensatorns storlek kan beräknas genom:, 1 W & = 9 där: I = ström/grind N = antal grindar t = omslagstiden 9

V = acceptabel spänningsvariation Storleksordningen 10-100 nf brukar vara lagom. /D\RXW För att kondensatorn ska göra nytta krävs att den är rätt placerad. Som tumregel kan en L 8 = / W ledares induktans approximeras med 10 nh/cm. Spänningsvariationen kan beräknas med: Antag att ledarna till kondensatorn är 3 cm och komponentbenen (kondensator och krets) 0,5 cm. Totala längden blir då 8 cm, vilket motsvarar induktansen 80 nh. Vid switchning av 50 ma på 3 ns ger detta en spänningsvariation på 1,3 volt. Uppenbarligen krävs korta ledare (helst jord/spänningsplan) och ytmonterade komponenter för ett bra resultat. Figuren visar ett exempel på bra layout för att minimera utstrålade fält. För att förhindra att störningar på matningsspänningen sprider sig har en induktans använts. Effekten av avkoppling syns tydligt när samma 74ABT541 som ovan försetts med en 100 nf kondensator på mycket nära avstånd. 10