Induktiv beröringsfri närvarogivare/detektor med oscillator, (Proximity switch)

Relevanta dokument
Elektroteknikens grunder Laboration 3. OP-förstärkare

Elektroteknikens grunder Laboration 1

Laborationsrapport. Kurs Elinstallation, begränsad behörighet. Lab nr 2. Laborationens namn Växelströmskretsar. Kommentarer. Utförd den.

OP-förstärkaren, INV, ICKE INV Komparator och Schmitt-trigger

Laboration II Elektronik

Lokaloscillator för FM-rundradiobandet 98,7-118,7 MHz

IE1206 Inbyggd Elektronik

TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg

Växelström och reaktans

IE1206 Inbyggd Elektronik

Elektriska och elektroniska fordonskomponenter. Föreläsning 4 & 5

Spänningsstyrd Oscillator

IDE-sektionen. Laboration 5 Växelströmsmätningar

Lab 3. Några slides att repetera inför Lab 3. William Sandqvist

Umeå universitet Tillämpad fysik och elektronik Ville Jalkanen mfl Laboration Tema OP. Analog elektronik för Elkraft 7.

Batteri. Lampa. Strömbrytare. Tungelement. Motstånd. Potentiometer. Fotomotstånd. Kondensator. Lysdiod. Transistor. Motor. Mikrofon.

Ellära. Laboration 4 Mätning och simulering. Växelströmsnät.

Elektronik grundkurs Laboration 1 Mätteknik

Spolens reaktans och resonanskretsar

Laborationsrapport Elektroteknik grundkurs ET1002 Mätteknik

Laborationsrapport. Kurs El- och styrteknik för tekniker ET1015. Lab nr. Laborationens namn Lik- och växelström. Kommentarer. Utförd den.

3.4 RLC kretsen Impedans, Z

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007.

IF1330 Ellära KK1 LAB1 KK2 LAB2. tentamen

Metalldetektorn. Alla förluster (även virvelströmsförluster. metaller) sammanfattas av symbolen r! Järnföremål. även L!

Sammanfattning av likströmsläran

IE1206 Inbyggd Elektronik

Laborationsrapport. Kurs Elektroteknik grundkurs ET1002. Lab nr 5. Laborationens namn Växelström. Kommentarer. Namn. Utförd den. Godkänd den.

Tentamen i Elektronik för E (del 2), ESS010, 5 april 2013

Impedans och impedansmätning

4. Elektromagnetisk svängningskrets

Introduktion till fordonselektronik ET054G. Föreläsning 3

Tentamen på elläradelen i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET

T1-modulen Lektionerna Radioamatörkurs OH6AG Bearbetning och översättning: Thomas Anderssén, OH6NT Heikki Lahtivirta, OH2LH

Laboration - Va xelstro mskretsar

Impedans! och! impedansmätning! Temperatur! Komponentegenskaper! Töjning! Resistivitetsmätning i jordlager!.!.!.!.!

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 3 Transistorförstärkare

Sedan tidigare För att varvtalsreglera likströmsmotor måste spänningen ändras För att varvtalsreglera synkron- och

Laboration N o 1 TRANSISTORER

APPARATER PÅ ELEKTRONIKLABBET

TSTE24 Elektronik. Dagens föreläsning. Förstärkare Mark Vesterbacka. Förstärkarsteg. Småsignalberäkningar. Examinationsexempel s.

Modifieringsförslag till Moody Tremolo

Utredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod?

Tentamen i Elektronik för F, 2 juni 2005

Strömförsörjning. Transformatorns arbetssätt

IF1330 Ellära KK1 LAB1 KK2 LAB2 KK4 LAB4. tentamen

IDE-sektionen. Laboration 6 Växelströmsmätningar

Laborationshandledning för mätteknik

Avkoppla rätt en kvantitativ undersökning av parasitinduktans hos olika layoutalternativ

VÄXELSTRÖM SPÄNNINGSDELNING

Karl Johansson, e01 Andréas Olofsson, e01. Lokaloscillator. för användning i FM-mottagare

VÄXELSTRÖM SPÄNNINGSDELNING

Filtrering av matningsspänningar för. känsliga analoga tillämpningar

Ellära och Elektronik Moment AC-nät Föreläsning 4

DIGITAL MULTIMETER BRUKSANVISNING MODELL DT9201

4:3 Passiva komponenter. Inledning

Laboration 2: Likström samt upp och urladdningsförlopp

Tentamen i Elektronik, ESS010, och Elektronik för D, ETI190 den 10 jan 2006 klockan 14:00 19:00

EJ1200 ELEFFEKTSYSTEM. ENTR: En- och trefastransformatorn

IE1206 Inbyggd Elektronik

För att skydda ett spänningsaggregat mot överbelastning kan man förse det med ett kortslutningsskydd som begränsar strömmen ut från aggregatet.

Grundläggande ellära Induktiv och kapacitiv krets. Förberedelseuppgifter. Labuppgifter U 1 U R I 1 I 2 U C U L + + IEA Lab 1:1 - ETG 1

Elektro och Informationsteknik LTH. Laboration 3 RC- och RL-nät i tidsplanet. Elektronik för D ETIA01

RC-kretsar, transienta förlopp

Instruktioner för laboration 2, Elektromagnetism och elektriska nät 1TE025 Elektriska system 1TE014

Halvledare. Transistorer, Förstärkare

Tentamen i Elektronik för F, 13 januari 2006

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Fö 8 - TMEI01 Elkraftteknik Kraftelektronik

TENTAMEN Elektronik för elkraft HT

Elektronik grundkurs Laboration 5 Växelström

Elektricitetslära och magnetism - 1FY808. Lab 3 och Lab 4

IDE-sektionen. Laboration 5 Växelströmsmätningar

LABORATION 3. Växelström

Tentamen på elläradelen i kursen Elinstallation, begränsad behörighet ET

Vi börjar med en vanlig ledare av koppar.

isolerande skikt positiv laddning Q=CV negativ laddning -Q V V

IF1330 Ellära KK1 LAB1 KK2 LAB2. tentamen

Som byggsats finns denna i tre utförande: 1. Komponenter och etsat samt färdigborrat kretskort. 2. Låda och kontakter. 3. Färdigbyggd.

Mätning med termoelement 1. Den fysikaliska bakgrunden

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 1 den 21 oktober 2008 klockan 8:00 13:00

I: Beskriv strömmarna i en npn-transistor i normal mod i de neutrala delarna av transistorn.

Växelström K O M P E N D I U M 2 ELEKTRO

Laboration ACT Växelström och transienta förlopp.

Att välja rätt strömtång (tångamperemeter) Börja med att besvara följande;

Tentamen Elektronik för F (ETE022)

Modifieringsförslag till Moody Boost

Laboration ACT Växelström och transienta förlopp.

AC-kretsar. Växelströmsteori. Lund University / Faculty / Department / Unit / Document / Date


Trådlös mobilladdare och energikälla Wireless mobile charger and energy source

Förstärkning Large Signal Voltage Gain A VOL här uttryckt som 8.0 V/μV. Lägg märke till att förstärkningen är beroende av belastningsresistans.

Ordinarie tentamen i IF1330 Ellära måndagen den 20 maj

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 6 mars 2006 SVAR

Tentamen IF1330 Ellära fredagen den 3 juni

4:8 Transistorn och transistorförstärkaren.

Impedans och impedansmätning

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

ELEKTROTEKNIK. Laboration E701. Apparater för laborationer i elektronik

Spänningsförsörjning. Olika typer av aggregat speciellt med switchteknik

Transkript:

Induktiv beröringsfri närvarogivare/detektor med oscillator, (Proximity switch) Om spolar och resonanskretsar Pot Core Såväl motstånd som kondensatorer kan vi oftast betrakta som ideala, det vill säga som rena resistanser respektive kapacitanser. Med spolar är det en helt annan sak. Här måste vi specificera induktans, Q-värde, frekvensområde och hur stor ström som ska flyta genom spolen. Det vanliga är därför att man måste beräkna och låta tillverka spolar speciellt för varje tillämpning. Luftspolars induktans kan beräknas med formler och tabeller ur handböcker. De är rätt mödosamma att använda, och ännu svårare är det att beräkna induktanser med järnkärna. Det finns speciella ferritkärnor, Pot Core, som är utförda som ett hölje som helt omsluter lindningen (höljet består av två halvor). För sådana finns ett enkelt samband mellan induktans L och antal lindningsvarv N. (Under förutsättning att strömmen i spolen är så låg att ferritkärnan inte mättas). L = A L N 2 A L -värdet är en konstant som fabrikanten anger för varje typ av kärna. Spolen lindas på en spolstomme, en bobbin. Det finns bobbiner med plats för flera lindningar så att man även kan linda transformatorer. Försökutrustningens resonanskrets Försöksutrustningen består av ena halvan av en Pot Core -kärna. Inuti denna finns en huvudlindning N 1 med 40 varv, och en återkopplingslindning N 2 med 2 varv. Det hela har monterats på ett litet veroboardkort tillsammans med två kondensatorer. Huvudlindningen N 1 bildar tillsammans med en kondensator på 820 pf, en resonanskrets med resonansfrekvensen i storleksordningen 1 MHz. 1

Mätningar på den lösa resonanskretsen Tag bort resonanskretsen från kopplingsdäcket (om den sitter fastsatt där). Anslut stiften 1 och 2 till 555-tongeneratorn (inställd för fyrkantvåg, hög utspänning, hög frekvens) och Scopemetern. Varje "språng" hos fyrkantvågen ger resonanskretsen en "kick". Med oscilloskopet kan man studera hur många perioder resonanskretsen kan hålla sig svängande efter varje "kick". Ju fler perioder som syns på oscilloskopskärmen, desto bättre Q-värde har LC-kretsen (högt Q-värde innebär låg dämpning och låga förluster). Tips! Figuren visar hur man grovt kan uppskatta Q-värdet från skärmbilden ( antalet positiva halvperioder N inom tidkonstanten τ multiplicerat med π, blir i figuren Q = 9 ). Ska man bygga en oscillator med en resonanskrets får inte dämpningen vara för hög. Efterklangen måste fortsätta i åtminstone 1,5 perioder. Pröva med att hålla olika metallföremål nära Pot Core -kärnans öppning. Vad händer? Hur påverkas Q-värdet och förlusterna? (Beröringsfria närvarogivare utnyttjar det faktum att metallföremål i närheten av en resonanskrets påverkar dess Q-värde.) Plats för anteckningar, dina kommentarer: Glöm inte att stänga av 555-tongeneratorn efter användningen, annars tar batteriet slut! 2

Om oscillatorkretsen Figuren visar en transistoroscillator, som brukligt är uppkallas den efter uppfinnaren, Armstrong. Med resistorn R B ställer man in den arbetspunkt som oscillatorn startar i. En lämplig arbetspunkt får man om matningspänningen 9 V delas lika mellan R C och transistorn U CE, det vill säga 4,5 V över vardera komponenten. ( R B = 320 kω ger ungefär denna arbetspunkt.) För att en oscillation ska kunna starta, krävs det förstärkning. Om en förstärkares utsignal återföres till ingången utan att ha fasvridits ( det vill säga med 0 eller 360 fasvridning ), blir det rundgång och en "självsvängning" kan starta. Det som krävs för detta är att förstärkningen är så hög att den övervinner all den dämpning som kan finnas. Armstrongkopplingens spole är egentligen en "transformator". Den växelspänning som finns över resonanskretsen transformeras över till transistorns Bas. Under växelspänningens positiva halvperiod förstärker transistorn strömmen, och det är dessa förstärkta strömpulser som håller igång ("kickar") svängningskretsen. För att få rena sinusformade svängningar måste det också finnas någon motverkande faktor som stryper förstärkningen för att förhindra att spänningen växer okontrollerat. Hos Armstrongkopplingen är svängningskretsen ansluten till transistorns Emitter. Blir (den positiva) spänningen här för hög, så minskas automatiskt basströmmen genom R B så att "strömkickarna" blir svagare. Mätningar på oscillatorkretsen (var inte rädd för att anpassa oscilloskopinställningarna) Transistoroscillatorn finns uppkopplad på ett kopplingsdäck enligt figuren. Vi använder transistorn BC108 B. Kontrollera arbetspunkten. Koppla en kortslutningsbygel över resonanskretsen ( mellan stift 1 och 2 ) för att förhindra oscillatorn att starta, och mät därefter spänningen mellan kollektorn och jord (batteriets minuspol), U C (= U CE ). Scopemetern ska vara inställd för mätning av DCV. U CE [V] = (Ligger arbetspunkten i närheten av halva matningsspänningen?) 3

Mät spänningen över resonanskretsen ( mellan stift 1 och stift 2, jord ). Ta först bort kortslutningen så att oscillatorn startar. Scopemetern ska vara DC-kopplad. Mät frekvensen, spänningens toppvärde ( = PEAK MAX), spänningens bottenvärde ( = PEAK MEAN) och spänningens medelvärde ( = DCV ). Uppskatta spänningens kurvform (borde vara en ren sinus). f [MHz] U MAX [V] U MIN [V] U DC [V] Kurvform Pröva med att hålla olika metallföremål nära Pot Core -kärnans öppning. Vad händer? Mät kollektorspänningen. ( U C spänningen mellan kollektor och jord, batteriets minusanslutning ). Scopemetern ska vara DC-kopplad. Justera triggnivån så att Du får stillastående skärmbild. Mät spänningens toppvärde, bottenvärde och medelvärde (DCV) med och utan ett metallföremål (50-öring?) på Pot Core -kärnans öppning. Utan metallföremål Med metallföremål U MAX [V] U MIN [V] U DC [V] U MAX [V] U MIN [V] U DC [V] Går det att formulera en beslutsregel som utifrån värdet på U DC talar om om det är metall eller inte framför resonanskretsen? Mät spänningen över kollektormotståndet. Anslut scopemetern över R C. Det som syns här är strömpulserna (en puls per period) som "kickar" igång svängningskretsen. AC-koppla Scopemetern och mät frekvensen. f [MHz] Du får nu ett annat värde än tidigare? Vad kan det bero på? Vilket värde ska man tro på? 4

Oscillatorkretsen med komparator Kan man använda kollektorspänningen för att indikera närvaron av metallföremål? Vi ansluter OP-förstärkaren LMC6041 som komparator för att jämföra kollektorspänningen med en inställbar referensnivå (från potentiometern). Kollektorspänningen varierar mycket snabbt, för snabbt för att vår OP-förstärkare ska ha någon chans att kunna hänga med, så den kommer att reagera på spänningens medelvärde. Figuren visar vilken förstärkning OP-förstärkaren har vid olika frekvenser - vid 1 MHz är det ingen förstärkning alls. Komparatorn (OP-förstärkaren) är uppkopplad på kopplingsdäcket tillsammans med transistoroscillatorn. Du behöver komplettera med en tråd mellen oscillatorn och komparatorn enligt figuren (den "slingrande" tråden). Justera potentiometern tills lysdioden precis har slocknat (inga metallföremål i närheten vid justeringen). Hur känslig är Din närvarodetektor, kan den upptäcka en skruvmejselspets? William Sandqvist 5