Lågbrusig antennförstärkare för FM bandet

Relevanta dokument
Antennförstärkare för FM-bandet

Radioprojekt våren 2002 Antennförstärkare Jimmy Johansson e98 Fredrik Åhfeldt e98 Handledare: Göran Jönsson

Selektivt ingångssteg för FM-bandet Radioprojekt 2006 vid institutionen för Elektrovetenskap

Antennförstärkare för UHF-bandet

Antennförstärkare för UHF-bandet

LÅGBRUSIG INGÅNGSFÖRSTÄRKARE

10 db effektförstärkare för GSM

Antennförstärkare. PMR-bandet. Anders Petersson, e99ape Ulf Axelsson, e99ua 28 februari Institutionen för Elektrovetenskap Radioprojekt

Radioprojekt, ETI041 Ingångssteg med högfrekvensselektivitet. Niklas Lindqvist Björn Nilsson Handledare Göran Jönsson

Spänningsstyrd Oscillator

Optimalt ingångssteg för FM-radio

Antennförstärkare för UHF-bandet

Lågbrusigt ingångssteg för FM-bandet

Effektförstärkare Klass B för 900 MHz

Lokaloscillator för FM-rundradiobandet 98,7-118,7 MHz

Selektivt Ingångssteg

Radioprojekt 2005 Dubbelbalanserad mixer och oscillator Philips SA 612

Rundradiomottagare Mikael Andersson Martin Erikson. Department of electroscience. ETI 041 Radioprojekt

Projektrapport FM-Radiomottagare MHz Radioprojekt VT-2002

Videoförstärkare med bipolära transistorer

Dual-gate MOSFET blandare för FM-mottagare

Karl Johansson, e01 Andréas Olofsson, e01. Lokaloscillator. för användning i FM-mottagare

Aktiv blandning med dual gate MOSFET

Mätningar med nätverksanalysator

En 98,7-118,7 MHz LO med 55 db övertonsundertryckning och 13 dbm uteffekt

Spänningsstyrd lokaloscillator för FM-bandet

TSTE20 Elektronik Lab5 : Enkla förstärkarsteg

Institutionen för teknik och naturvetenskap, ITN. Datum Gruppmedlemmar: Răzvan Bujilă Per Hedlund Roger Idebrant Frida Östberg

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 17 dec 2007 klockan 8:00 13:00 för inskrivna på elektroteknik Ht 2007.

Laboration II Elektronik

Tentamen i Elektronik 5hp för E2/D2/Mek2

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 3 Transistorförstärkare

Poler och nollställen, motkoppling och loopstabilitet. Skrivet av: Hans Beijner

Målsättning: Utrustning och material: Denna laboration syftar till att ge studenten:

Tentamen i Elektronik fk 5hp

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Laboration ( ELEKTRO

AKTIVA FILTER. Laboration E42 ELEKTRO. UMEÅ UNIVERSITET Tillämpad fysik och elektronik Sverker Johansson Rev 1.0.

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Bygg en entransistors Booster till datorn eller MP3-spelaren

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 16 dec 2008 klockan 8:00 13:00.

Byggsats Radio med förstärkare Art.nr: 99409

TRANSISTORER. Umeå universitet Institutionen för tillämpad. fysik och elektronik. Patrik Eriksson

Förstärkning Large Signal Voltage Gain A VOL här uttryckt som 8.0 V/μV. Lägg märke till att förstärkningen är beroende av belastningsresistans.

Figur 1 Konstant ström genom givaren R t.

Laborationsrapport Elektroteknik grundkurs ET1002 Mätteknik

Självsvängande blandare med dual-gate FET

Laborationshandledning

DEL-LINJÄRA DIAGRAM I

Laborationsrapport. Kurs Elektroteknik grundkurs ET1002. Lab nr 3. Laborationens namn Halvledarkomponenter. Kommentarer. Namn. Utförd den.

Institutionen för tillämpad fysik och elektronik Umeå universitet. Agneta Bränberg TRANSISTORTEKNIK. Laboration.

Föreläsning 9 Transistorn och OP-förstärkaren

TRANSISTORER. Umeå universitet Institutionen för tillämpad fysik och elektronik

PROJEKTLABORATION i Analog Elektronik.

DIFFERENTALFÖRSTÄRKARE

Strömförsörjning. Laboration i Elektronik 285. Laboration Produktionsanpassad Elektronik konstruktion

Förstärkarens högfrekvensegenskaper. Återkoppling och stabilitet. Återkoppling och förstärkning/bandbredd. Operationsförstärkare.

Lab nr Elinstallation, begränsad behörighet ET1013 Likströmskretsar

Simulering med simulatorn TINA version 1.0

Ellära. Laboration 2 Mätning och simulering av likströmsnät (Thevenin-ekvivalent)

Laboration - Operationsfo rsta rkare

Avant BRUKSANVISNING. FAKTARUTA AVANT Hög utnivå med förstärkning upp till 57 db. Automatiska funktioner för tilt och förstärkning

Umeå universitet Tillämpad fysik och elektronik Ville Jalkanen mfl Laboration Tema OP. Analog elektronik för Elkraft 7.

Moment 1 - Analog elektronik. Föreläsning 1 Transistorn del 1

Lösningsförslag till Problem i kapitel 3 i Mobil Radiokommunikation

TSKS06 Linjära system för kommunikation Lab2 : Aktivt filter

TENTAMEN Elektronik för elkraft

Tentamen i Grundläggande ellära och digitalteknik ETA 013 för D

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 1 den 21 oktober 2008 klockan 8:00 13:00

Vanliga förstärkarkopplingar med operationsförstärkaren

Elektronik grundkurs Laboration 1 Mätteknik

IDE-sektionen. Laboration 5 Växelströmsmätningar

Aktivt stereo delningsfilter för hifi och High End

LTK010, vt 2017 Elektronik Laboration

Tentamen i Elektronik för F, 2 juni 2005

TERTEC Evolution. Den perfekta High-tech Antenn Högsta kvalitet mottagning Extrem väderbeständig Perfekt för svåra mottagningssituationer

Radioprojekt VT 2003 Fasbrusmätning på en kvadraturoscillator

Som byggsats finns denna i tre utförande: 1. Komponenter och etsat samt färdigborrat kretskort. 2. Låda och kontakter. 3. Färdigbyggd.

Filtrering av matningsspänningar för. känsliga analoga tillämpningar

Elektronik 2017 EITA35

Halvledare. Transistorer, Förstärkare

Tentamen i Elektronik, ESS010, del 2 den 6 mars 2006 SVAR

Hambley avsnitt 12.7 (7.3 för den som vill läsa lite mer om grindar) sann 1 falsk 0

Laborationsrapport. Kurs Elektroteknik grundkurs ET1002. Lab nr 5. Laborationens namn Växelström. Kommentarer. Namn. Utförd den. Godkänd den.

Cédric Cano Uppsala Mätsystem F4Sys. Pulsmätare med IR-sensor

Elektriska kretsar och fält - några exempel på tillämpningar

Laborationsrapport. Kurs El- och styrteknik för tekniker ET1015. Lab nr. Laborationens namn Lik- och växelström. Kommentarer. Utförd den.

Utredande uppgifter: I: Beskriv de fyra arbetsmoderna för en npn-transistor. II: Vad är orsaken till strömförstärkningen i normal mod?

Elektronik 2018 EITA35

Tentamen i Krets- och mätteknik, fk, ETEF15. Exempeltentamen

DT-210 SVENSK_BRUKSANVISNING

Elektro och Informationsteknik LTH. Laboration 3 RC- och RL-nät i tidsplanet. Elektronik för D ETIA01

TENTAMEN Elektronik för elkraft HT

Tentamen Elektronik för F (ETE022)

Tentamen i Elektronik för F, 13 januari 2006

TSTE24 Elektronik. Dagens föreläsning. Förstärkare Mark Vesterbacka. Förstärkarsteg. Småsignalberäkningar. Examinationsexempel s.

Övningsuppgifter i Elektronik

Laboration 1: Styrning av lysdioder med en spänning

4:8 Transistorn och transistorförstärkaren.

LABORATION I TELEKOMMUNIKATION FREKVENSMODULERING. Med PLL

Transkript:

Lågbrusig antennförstärkare för FM bandet Radioprojekt Institutionen för elektrovetenskap Lunds tekniska högskola 5 mars 2004 Sammanfattning I denna rapport avhandlas hur en lågbrusig antennförstärkare för FMbandet kan konstrueras utifrån givna specifikationer. Avsnitt som behandlas är transistorval, biasering och anpassningsnät. Rapporten avslutas med resultat av designen samt en diskussion om möjliga förbättringar.

Innehåll 1 Inledning 1 2 Konstruktion 1 2.1 Transistor................................ 1 2.2 Biaseringsnät.............................. 1 2.3 Ingångs- och utgångsnät........................ 2 3 Resultat 2 4 Avslutning 3 5 Erkännade 4 6 Referenser 4 A Matlabkod 5 B Figurer 7 i

1 Inledning Uppgiften består i att dimensionera och konstruera en antennförstärkare för FMbandet, dvs för frekvenser mellan 88-108MHz. Antennförstärkaren är det första blocket i en radiomottagare och kraven som är viktigast att uppfylla är hög förstärkning samt lågt brus. Utgångspunkten för designen var en förstärkning på minst S 21 2 och med brusfaktor maximalt 2dB mer än F opt. För att förstärkaren ska kunna anslutas till nästkommande steg ska både in- och utgången vara anpassde till 50Ω. En annan egenskap som krävs av antennförstärkaren är möjligheten att kunna leverera relativt stor effekt till nästkommande steg. Anledningen är att hög förstärkning och lågt brus i första steget öppnar möjligheten till lågt brus för hela radiomottagaren. Till den färdiga förstärkaren finns sedan flertalet mätningar redovisade, t.ex. In- och utgångsimpedans Förstärkning 1dB kompressionpunkt 3:e ordningens interceptpunkt Brusfaktor 2 Konstruktion Konstruktionen av antennförstärkaren kan delas upp i fyra steg; val av transistor, biaseringsnät samt design av ingångs- och utgångsnät. Utöver dessa fyra designområden måste även kretsen HF-jordas med kopplingskondensatorer och biaseringen måste avskiljas från HF-signalen med hjälp av en RFC. 2.1 Transistor Valet av transistor är avgörande för den kommande konstruktionen i och med att dess egenskaper bestämmer kraven på anpassningsnäten och biaseringsnätet. Vid valet av transistor studerades databladen för ett flertal olika transistorer där framförallt den maximala förstärkningen samt brus i det aktuella frekvensområdet fick styra valet. För de kommande matematiska beräkningarna av anpassingsnät behövs transistorns S-parametrar och brusfaktor vilka visade sig vara i det närmaste omöjliga att få tag på. Möjligheten fanns att mäta upp dessa värden men då tiden var knapp ansågs att det var bättre att välja transistor vars S-parametrar var angivna av tillverkaren. De två transistorerna som valet stod mellan var BFR520A och BFR92A där den senare slutligen användes då den ansågs lättare att få stabil i det aktuella frekvensområdet. Specifikationen från projektbeskrivningen på förstärkningen blir därmed S 21 2 = 25dB. Nackdelen med valet av BFR92A var att dess brusparametrar inte var angivna av tillverkaren och de kunde inte heller lämna ut dem vid förfrågan. Därmed har brusegenskaperna fått uppskattas ur databladen. I figur 1 är stabilitetscirklar för in- och utgången, available gain -cirkel för 25dB samt bruscirkel för 3dB markerade. Med de uppskattade brusegenskaperna blev resultatet efter kontroll att förstärkaren inte skulle klara specifikationen på 2dB. Eftersom stabilitetskravet måste gå före kravet på lågt brus kompromissades bruskravet till 3dB vilket förstärkaren enligt figur 1 bör klara. 2.2 Biaseringsnät En antennförstärkaren behöver kunna leverera relativt mycket effekt och därmed måste transistorns arbetspunkt väljas så att detta kan uppfyllas. Återigen fick 1

Figur 1: Smithdiagram med stabilitetscirklar för in- och utgång, available gain - cirkel för 25dB, samt bruscirkel för 3dB. tillgängliga S-parametrar styra valet till V CE = 10V och I C = 10mA. Realiseringen av biaseringsnätet gjordes med ett passivt strömstyrt biaseringsnät. Det har fördelarna att det inte är speciellt beroende av transistorns strömförstärkning eller temperaturändringar i kretsen. Det ger också ganska små värden på de ingående resistorerna vilket är fördelaktigt. För beräkningar av resistorerna se appendix A. 2.3 Ingångs- och utgångsnät Att designa ingångs- och utgångsnätet är helt avgörande för den slutliga förstärkarens egenskaper. För att ge maximal effektöverföring bestämdes att utgången skulle konjugatanpassas och eventuell missanpassning får därmed införas på ingången. Efter en första kontroll av stabiliteten med Γ S = 0 och Γ L = Γ out visade det sig att förstärkaren var klart instabil och därmed måste missanpassning på endera nätet införas. För att göra en enkel realisering av missanpassningsnätet valdes en seriekondensator och efter simulering bestämdes storleken så att förstärkaren blev stabil. Kondensatorn på ingången ger även en positiv bieffekt då den elliminerar eventuell likspänning från antennen. Nackdelelen med kondensatorn på ingången är att anpassningen mot antennen förstörs med reflekterad effekt tillbaka till antennen som föjld. För att inte kompromissa med bandbredden valdes utgångsnätet till ett PI-nät i och med att nätets Q-värde kan väljas godtyckligt. Utgångsnätets bandbred valdes till 20MHz och centerfrekvensen till 100MHz. Genom att välja topologin med kondensatorn som seriekomponent undviks även eventuell likspänning på utgången. För beräkning av komponentvärden användes metoden ur [1], se appendix för beräkningar. 3 Resultat De första mätningarna på den färdigkonstruerade förstärkaren visade att justeringen för stabilitet på ingången hade lyckats. Maximal förstärkning G t på 23.5dB låg något under specifikationen 25dB men får med tanke på vald transistor anses som klart godkänd. Detta gäller endast vid frekvensen 94.15MHz och förstärkningen 2

Figur 2: Fullständigt kopplingsschema med angivna komponentvärden. är betydligt lägre i kanterna på frekvensområdet. I figur 3 och 6 syn vidare att både in- och utgångsimpedansen är ganska dåligt anpassade till 50Ω vilket kommer innebära problem när förstärkaren kopplas ihop med nästkommande steg. För att minska missanpassningen på utgången ökades L 2 till 18nH vilket resulterade i en utgångsimpedans närmre 50Ω. I figur 3 till 6 i appendix visas mätningarna av S-parametrarna för förstärkaren i det aktuella frekvensområdet. Markören visar den punkt där S 21 är som störst, dvs S 21 = 23.5dB vid f = 94.15MHz. I specifikationen angavs också krav på uppmätt 1dB kompressionspunkt och 3:e ordningens interceptpunkt. 1dB kompressionspunkten kan mätas direkt med nätverksanalysatorn inställd på effektsvep. Förstärkaren klarar av att leverera ungefär 5mW vid optimal arbetsfrekvens innan den går i kompression. Se figur 7 i appendix för uppmätt kurva. För att mäta 3:e ordningens interceptpunkt måste nätverksanalysatorn kompleteras med en yttre styrd signalgenerator vars signal kopplas med en combiner till ingången på förstärkaren. Resultatet av mätningen visas i figur 8 i appendix och interceptpunkten är som störst 17.6dBm vid 94.15MHz. Som sista verifikation utfördes en brusmätning i ett väl störningsavskärmat rum. Till det används en brusmätare och en känd bruskälla inkopplad på förstärkarens ingång. I figur 9 syns att förstärkarens brusfaktor är cirka 2.8dB i hela intervallet. 4 Avslutning Den färdiga förstärkaren visade sig överträffa våra egna förväntningar i avseende på brus och förstärkning. Alla beräkningar är utförda med deslib-paketet i Matlab och simuleringarna stämmer ganska väl överens med den färdiga förstärkaren. Dock finns det avvikelser mellan beräkningarna och slutkontruktionen då centerfrekvensen hamnade något lägre än den beräknade på 100MHz. Detta skulle kunna vara anledningen till den låga förstärkningen i övre delen av frekvensområdet. Ett annat betydligt större problem med förstärkaren är den dåliga anpassningen på både in- och utgången. Eftersom detta leder till reflekterad effekt tillbaka till antennen är det tveksamt om någon radiosignal skulle kunna höras genom bruset. Då det nät som byggts är det optimalt beräknade krävs för ytterligare förbättringar upprepade praktiska försök med olika komponeneter i de båda anpassningsnäten, något som gruppen ej haft tid till. Om detta inte skulle fungera krävs att en annan transistor väljs som kanske är mer lämpad att använda vid centerfrekvensen 3

100MHz än vad BFR92A är. Problemet är klart synligt redan i figur 1 där halva Smithdiagrammet är instabilt vid den valda frekvensen och arbetspunkten. 5 Erkännade Vi vill tacka Göran Jönsson och Markus Törmänen för givande diskussioner, glada tillrop, hjälp och idéer i samband med projektet. 6 Referenser [1] L. Sundström, G. Jönsson, H. Börjeson, Radio Electronics, Department of Electroscience Lund Institute of Technology, 2003 4

A Matlabkod Plot av Smithdiagram close all black=[0 0 0]; red=[1 0 0]; green=[0 1 0]; blue=[0 0 1]; smtool; s=readspar( bfr92ach.s2p ); s1=s(2,:); S11=s1(1); S21=s1(2); S12=s1(3); S22=s1(4); f=100*10^6; drawci(sinstci(s1),2, -,green); %Stabilitetscirkel ingång drawci(soutstci(s1),2, -,red); %Stabilitetscirkel utgång S=s(2,1:4); nfmin=idbp(1.75); gammaopt=p2c(0.25,70.0); rn=0.25; %Uppskattat ur diagram i datablad %Uppskattat ur diagram i datablad %SAKNAS! plotc(gammaopt,2, *,black); drawci(noisecig(idbp(3),nfmin,rn,gammaopt),2, -,black,1); %3dB noisecirkel gammas=0.153-0.36*i; %Med 37,5pF på ingången F=nfg(nfmin,rn,gammaopt,gammaS); FdB=dbp(F) plotc(gammas,2, *,green); %gammas gammaout=sgamout(s1,gammas); plotc(gammaout(1),2, *,red); %gammaout plotc(conj(gammaout),2, *,blue); %gammaout* delta=abs(sdelta(s1)) K=sk(s1) ga1=idbp(25-dbp(abs(s1(1,2))^2)); %Availablegaincirkel för 25dB drawci(singcib(s1,ga1),2, :,black,1); Beräkning av biaseringsnät VCC=12; VCE=10; hfe=90; IC=10*10^-3; IB=10*10^-3/hfe; ID=10*10^-3/sqrt(hfe); Rcc=(VCC-VCE)/(IC+IB+ID) R1=(VCE-0.5*VCE)/(IB+ID) R2=0.5*VCE/ID Rb=(0.5*VCE-0.7)/IB %Ur datablad %179Ohm %4,3kOhm %4,7kOhm %38,7kOhm 5

Beräkning av PI-nät Ql=5 rout=real(g2z(gammaout(1),50)) Rv=50/(1+Ql^2); Xs2=Ql*Rv; Xp2=50/Ql; Qs=sqrt(rout/Rv-1); Xs1=Qs*Rv; Xp1=rout/Qs; L1=Xp1/(2*pi*1e8) C2=1/(Xs1*2*pi*1e8); C3=1/(Xs2*2*pi*1e8); L4=Xp2/(2*pi*1e8) Ctot=C2*C3/(C2+C3) %Q-värde från bandbredd 20MHz %238Ohm %34nH %16nH %51pF 6

B Figurer Figur 3: S 11 uppmätt med nätverksanalysator. Figur 4: S 12 uppmätt med nätverksanalysator. 7

Figur 5: S 21 uppmätt med nätverksanalysator. Figur 6: S 22 uppmätt med nätverksanalysator. 8

Figur 7: 1dB kompressionspunkt uppmätt med nätverksanalysator. Figur 8: 3:e ordningens interceptpunkt uppmätt med nätverksanalysator och yttre signalkälla. 9

Figur 9: Förstärkarens brusfaktor med spektrumanalysator. 10